控制工艺腔室清洁气体用量的方法及工艺处理系统技术方案

技术编号:31022881 阅读:29 留言:0更新日期:2021-11-30 03:16
公开控制工艺腔室清洁气体用量的方法及工艺处理系统。控制工艺腔室的清洁气体用量的方法包含:供应清洁气体至工艺腔室,以清洁工艺腔室;于清洁期间,利用摄像装置获取工艺腔室的影像;利用影像处理装置识别影像,以判断工艺腔室的清洁是否完成;以及当判断工艺腔室的清洁为完成时,停止供应清洁气体。停止供应清洁气体。停止供应清洁气体。

【技术实现步骤摘要】
控制工艺腔室清洁气体用量的方法及工艺处理系统


[0001]本专利技术涉及一种控制工艺腔室清洁气体用量的方法及工艺处理系统;具体而言,本专利技术涉及一种可有效控制工艺腔室清洁气体用量的方法及使用此方法的工艺处理系统。

技术介绍

[0002]在半导体装置或显示面板的制造中,薄膜沉积工艺不仅会在基板上形成薄膜,也会在工艺腔室内壁上附着有沉积物。当工艺腔室内壁上的沉积物累积到相当程度时,就会在工艺腔室中形成微尘粒子,影响后续工艺处理的良率。因此,工艺腔室的清洁为确保工艺良率的重要因素。
[0003]工艺腔室的清洁一般使用含氟化合物以等离子体方式进行,且通常以时间模式或终点检测模式控制。然而,不论是用何种模式进行,为了确保清除工艺腔室内壁上的沉积物,通常会以清洗规格上限(即额外增加清洁时间)进行,造成过度清洗状况并导致清洁气体的浪费。此外,含氟化合物为造成温室效应的来源之一,现有清洁程序无法有效控制清洁气体的用量,不仅使得清洗成本上升,更会造成环境污染。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一目的在于提供一种控制工艺腔室的清洁气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制一工艺腔室的清洁气体用量的方法,包含:供应清洁气体至该工艺腔室,以清洁该工艺腔室;于清洁期间,利用一摄像装置获取该工艺腔室的影像;利用一影像处理装置识别该影像,以判断该工艺腔室的清洁是否完成;以及当判断该工艺腔室的清洁为完成时,停止供应该清洁气体。2.如权利要求1所述的方法,其中清洁该工艺腔室包含:产生该清洁气体的等离子体以清洁该工艺腔室,且该摄像装置获取该工艺腔室的该影像包含:获取该等离子体形成的辉光的影像。3.如权利要求2所述的方法,其中判断该工艺腔室的清洁是否完成包含:判断该辉光是否存在,其中当该辉光存在时,该工艺腔室的清洁尚未完成,且当该辉光不存在时,该工艺腔室的清洁为完成。4.如权利要求3所述的方法,其中该影像处理装置通过神经网络学习技术判断该辉光是否存在。5.如权利要求1所述的方法,其中供应该清洁气体包含:供应含氟化合物。6.一种工艺处理系统,包含:一工艺腔室,用以进行工艺处理;一气体供应装置,提供清洁气体至该工艺腔室,以清洁该工艺腔室;一摄像装置,于清洁期间,获取该工艺腔室的影像;一影...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁廖杰赖宏忠孙孝涌彭国洋陈俞宾朱官权陈宏德林韦成
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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