转移基板、转移方法及发光基板技术

本发明专利技术涉及显示设备技术领域，具体而言，涉及一种转移基板及转移方法，还涉及一种发光基板。转移基板包括第一基板、解离胶单元和待转移元件，解离胶单元阵列排布在第一基板的同一侧；待转移元件通过解离胶单元粘贴在第一基板上；解离胶单元被配置为被目标光线照射后发生解离，使得待转移元件脱离第一基板而坠落，解离胶单元在第一基板上的正投影完全位于目标光线在第一基板上所形成的光斑内。可以实现通过对单个待转移元件的单次照射即可完成解离胶单元的解离，提升了待转移元件的掉落精度，使得待转移元件坠落后的位置可控。使得待转移元件坠落后的位置可控。使得待转移元件坠落后的位置可控。

【技术实现步骤摘要】
转移基板、转移方法及发光基板


[0001]本专利技术涉及显示设备
，具体而言，涉及一种转移基板及转移方法，还涉及一种发光基板。

技术介绍

[0002]目前，更小尺寸的微型发光二极管可以使得高分辨率更容易实现，比如可以获得4K甚至8K分辨率的智能手机或虚拟现实屏幕。微型发光二极管除了拥有上述优点之外，还在对比度、色域和柔性显示屏领域拥有更大的优势，这些都让微型发光二极管技术再与OLED技术相比时具有显著的优势。
[0003]然而，微型发光二极管包括Micro LED或Mini LED。Mini LED的尺寸维度在200μm左右，Micro LED的尺寸维度在100μm以下，目前现有的激光光斑尺寸范围一般介于10
‑
50μm之间，在微型发光二极管以及迷你发光二极管的面板产品的激光巨量解离工艺中，当具有小尺寸的光斑对发光二极管对应的大尺寸解离胶进行解离时，存在对单个发光二极管多次照射的情况，此种情况影响发光二极管的坠落位置精度，造成发光二极管坠落后位置不可控。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转移基板，其特征在于，包括：第一基板；解离胶单元，阵列排布在所述第一基板的同一侧；待转移元件，所述待转移元件通过所述解离胶单元粘贴在所述第一基板上；其中，所述解离胶单元被配置为被目标光线照射后发生解离，使得所述待转移元件脱离所述第一基板，所述解离胶单元在所述第一基板上的正投影位于所述目标光线在所述第一基板上所形成的光斑内。2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述解离胶单元的几何中心正对所述待转移元件的几何中心。3.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述解离胶单元的厚度为1
‑
3μm。4.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，每个所述解离胶单元包括一个解离胶块，所述解离胶块的几何中心正对所述待转移元件的几何中心。5.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，每个所述解离胶单元包括多个解离胶块，多个所述解离胶块整体的几何中心正对所述待转移元件的几何中心。6.根据权利要求4或5所述的转移基板，其特征在于，所述解离胶块的形状为圆柱形、圆台形、棱柱形或棱台形。7.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述目标光线为紫外激光。8...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，董学，袁广才，谷新，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：