一种晶闸管门极触发电路制造技术

技术编号:31020638 阅读:32 留言:0更新日期:2021-11-30 03:08
本申请提供了一种晶闸管门极触发电路,包括触发模块和取能模块;取能模块与触发模块连接,用于为触发模块供电;触发模块包括三极管Q3和负反馈回路,三极管Q3的集电极和发射极与负反馈回路连接,三极管Q3的基极与控制系统连接,负反馈回路还与被触发晶闸管的门极连接。触发模块用于:根据三极管Q3接收的来自控制系统提供的不同电压等级的触发信号经过负反馈回路向被触发晶闸管的门极发送恒定的门极触发电流。本申请中的触发模块可以满足不同电压等级的被触发晶闸管需求,门极触发电流恒定,使用的器件少,成本低,且能够应用于高电压大电流晶闸管的串并联场景,且能够兼容各种电压等级,适用范围广。适用范围广。适用范围广。

【技术实现步骤摘要】
一种晶闸管门极触发电路


[0001]本申请涉及电子电力器件控制与保护
,具体涉及一种晶闸管门极触发电路。

技术介绍

[0002]晶闸管具有阻断电压高、通流能力强、导通损耗小、体积小、容易控制等优点,在大功率应用场合如高压直流输电、电磁发射源、金属冶炼等领域已广泛应用。晶闸管触发电路的作用是产生满足使晶闸管可靠触发要求的门极触发脉冲,确保晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。
[0003]由于受晶闸管制作工艺的限制,目前晶闸管主流产品的额定电压较低,单级无法满足较高电压等级的耐压要求,在大功率电力电子交直流输电系统中,常需要多级晶闸管串并联使用,这种场合要求串并联的晶闸管尽可能同一时刻导通,门极触发脉冲的前沿越陡,越有利于串联晶闸管的同时触发,因此必须使各元件的di/dt都在允许的范围内。
[0004]目前晶闸管门极触发电路为锯齿波触发电路应用最多,锯齿波电路包含滞后元件电容,输出的脉冲信号为电压脉冲,且有一定的延时,导致触发电路可靠性低,不能可靠触发晶闸管。

技术实现思路

[0005]为了克服上述现有技术中可靠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶闸管门极触发电路,其特征在于,包括触发模块和取能模块,所述取能模块与触发模块连接,用于为所述触发模块供电;所述触发模块包括三极管Q3和负反馈回路,所述三极管Q3的集电极和发射极与所述负反馈回路连接,所述三极管Q3的基极与控制系统连接,所述负反馈回路还与被触发晶闸管的门极连接;所述触发模块用于:根据所述三极管Q3接收的来自所述控制系统提供的不同电压等级的触发信号经过所述负反馈回路向所述被触发晶闸管的门极发送恒定的门极触发电流。2.根据权利要求1所述的晶闸管门极触发电路,其特征在于,所述负反馈回路包括偏置电阻R3、偏置电阻R5、偏置电阻R6、偏置电阻R7、三极管Q1和三极管Q2;所述三极管Q3的集电极通过偏置电阻R3与所述取能模块连接,所述三极管Q3的发射极通过偏置电阻R6与所述被触发晶闸管的阴极连接,所述偏置电阻R3与所述取能模块连接点为节点V;所述三极管Q2的基极与所述三极管Q3的集电极连接,所述三极管Q2的集电极通过偏置电阻R7与所述被触发晶闸管的阴极连接,所述三极管Q2的发射极通过偏置电阻R5连接到节点V;所述三极管Q1的基极与所述三极管Q2的集电极连接,所述三极管Q1的集电极通过偏置电阻R5与所述取能模块连接,所述三极管Q1的发射极与所述被触发晶闸管的门极连接,为所述被触发晶闸管提供恒定的门级触发电流。3.根据权利要求2所述的晶闸管门极触发电路,其特征在于,所述三极管Q1和三极管Q3均为NPN三极管,所述三极管Q2为PNP三极管。4.根据权利要求2所述的晶闸管门极触发电路,其特征在于,当所述被触发晶闸管根据预设需求工作在目标电压等级下时,通过调整所述偏置电阻R3的阻值和/或偏置电阻R5的阻值,使所述节点V的电压在目标电压范围内;当所述节点V的电压在目标电压范围内时,所述三极管Q1工作于静态工作点下;当被触发晶闸管的门极阻抗减小时,所述被触发晶闸管的门极触发电流减小,所述负反馈回路控制所述门极触发电流减小,实现在所述目标电压范围内保持所述被触发晶闸管的门极触发电流的恒定;当被触发晶闸管的门极阻抗减小时,所述被触发晶闸管的门极触发电流减小,所述负反馈回路控制所述门极触发电流增大,实现在所述目标电压范围内保持所述被触发晶闸管的门极触发电流的恒定。5.根据权利要求4所述的晶闸管门极触发电路,其特征在于,所述当所述被触发晶闸管的门极阻抗减小时,所述被触发晶闸管的门极触发电流增大,通过所述负反馈回路控制所述门极触发电流减小的具体过程为:基于增大的被触发晶闸管的门极触发电流,所述三极管Q1的基极电流和所述三极管Q1的集电极电流均增大;基于增大的三极管Q1的基极电流和增大的三极管Q1的集电极电流,流经所述偏置电阻R5的电流增大,且所述偏置电阻R5的压降增大;基于增大的偏置电阻R5的压降,所述三极管Q2的发射极电压减小,且所述三极管Q2的集电极电流减小;
基于减小的三极管Q2的集电极电流,所述偏置电阻R7的电流减小,且所述偏置电阻R7的电压减小;基于减小的偏置电阻R7的电压,所述三极管Q1的基极电压减小,且所述三极...

【专利技术属性】
技术研发人员:雷朝煜郝良收熊银武胡今朝魏孟刚武晓梅闫晗
申请(专利权)人:南瑞集团有限公司中电普瑞电力工程有限公司
类型:发明
国别省市:

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