有机发光二极管像素结构及其制造方法技术

本申请公开了一种有机发光二极管像素结构及其制造方法，所述有机发光二极管像素结构包括有机发光二极管，所述有机发光二极管包括像素电路层，所述像素电路层包括：第一走线；存储电容，包括下极板与上极板，其中，所述下极板与所述第一走线同层设置；以及绝缘层，覆盖所述第一走线与所述下极板。其中，所述第一走线的一侧具有多个间隔设置的凸部，以使在像素定义层的开口内喷墨打印墨水形成发光功能层时，可以减弱墨水在同一区域内聚集，使得墨水均匀分布，从而有效地提高开口内发光功能层膜厚的均匀性，使得发光区均匀发光。使得发光区均匀发光。使得发光区均匀发光。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管像素结构及其制造方法


[0001]本申请涉及显示面板
，尤其涉及一种有机发光二极管像素结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]AMOLED显示面板中，当采用喷墨打印技术制作OLED器件时，首先在发光功能层下方制作像素电路，其中由于存储电容大多由两层或三层金属制作，信号线一般由单层金属制作。
[0003]图1为现有像素电路层的平面图。
[0004]如图1所示，像素电路层100包括直线形的第一走线21、直线形的第二走线22以及存储电容Cst。为了防止第一走线21与第二走线22之间短路，因此第一走线21与第二走线22之间还会留出一定间距，间距处仅有绝缘层，所述层叠形成像素电路之后，地势相较于存储电容较低，两条走线之间会形成一较长的间距，在打印发光功能层时，墨水会向地势低处聚集，导致打印不均匀，进而使得OLED的发光功能层厚不均，导致显示面板发光不均匀。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于，提供一种有机发光二极管像素结构及其制造方法，在打印时墨水分布均匀，避免发光区内OLED膜厚不均，显示面板发光不均匀的情况发生。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种有机发光二极管像素结构，所述有机发光二极管包括像素电路层，所述像素电路层包括：第一走线；存储电容，包括下极板与上极板，其中，所述下极板与所述第一走线同层设置；以及绝缘层，覆盖所述第一走线与所述下极板，其中，所述第一走线的一侧具有多个间隔设置的凸部。
[0007]进一步地，所述第一走线的另一侧具有多个间隔设置的凸部。
[0008]进一步地，所述第一走线连续弯折设置以形成所述第一走线的一侧的所述多个凸部及所述第一走线的另一侧的所述多个凸部。
[0009]进一步地，所述第一走线的一侧的所述多个凸部与所述第一走线的另一侧的所述多个凸部相对设置。
[0010]进一步地，所述像素电路层还包括：第二走线，其一侧具有多个间隔设置的凸部。
[0011]进一步地，所述第二走线的另一侧具有多个间隔设置的凸部。
[0012]进一步地，所述第二走线弯折设置以形成所述第二走线的一侧的所述多个凸部及所述第二走线的另一侧的所述多个凸部。
[0013]进一步地，所述第二走线的一侧的所述多个凸部与所述第二走线的另一侧的所述多个凸部相对设置。
[0014]进一步地，所述像素电路层的上极板用以做为发光二极管的阳极；所述有机发光二极管像素结构还包括：像素定义层，设于所述阳极上，其中所述像素定义层设置开口用以暴露出所述阳极；发光功能层，设置于所述阳极上；以及阴极层，设置于所述发光功能层及
所述像素定义层上。
[0015]为实现上述目的，本专利技术还提供一种有机发光二极管像素结构的制备方法，包括如下步骤：在基板上制备像素电路层，其中，所述像素电路层包括第一走线与存储电容，所述第一走线的一侧具有多个间隔设置的凸部；在所述存储电容的上极板上设置像素定义层，其中，所述上极板用以做为发光二极管的阳极；图案化所述像素定义层以形成开口暴露所述阳极；以喷墨法于所述开口中打印发光功能层；在所述发光功能层及所述像素定义层上沉积阴极。
[0016]本专利技术的技术效果在于，提供一种有机发光二极管像素结构及其制造方法，对第一走线进行图案化处理，使得第一走线的至少一侧具有凸部，以使在像素定义层的开口内喷墨打印墨水形成发光功能层时，可以减弱墨水在同一区域内聚集，使得墨水均匀分布，从而有效地提高开口内发光功能层膜厚的均匀性，使得发光区均匀发光。为了进一步提升发光区的效果，也可以对第二走线进行图案化处理，使得第二走线的至少一侧具有凸部。
附图说明
[0017]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0018]图1为现有像素电路层的平面图。
[0019]图2为本申请实施例1提供的有机发光二极管像素的剖面图。
[0020]图3为本申请实施例1提供的像素电路层的平面图。
[0021]图4为本申请实施例1提供的有机发光二极管像素的制备流程图。
[0022]图5为本申请实施例1提供的像素电路层的制备流程图。
[0023]图6为本申请实施例2提供的像素电路层的平面图。
[0024]图7为本申请实施例3提供的像素电路层的平面图。
[0025]图8为本申请实施例4提供的像素电路层的平面图。
[0026]图9为本申请实施例5提供的像素电路层的平面图。
[0027]图10为本申请实施例6提供的像素电路层的平面图。
[0028]图11为本申请实施例7提供的像素电路层的平面图。
[0029]图12为本申请实施例8提供的像素电路层的平面图。
[0030]附图部件标识如下：
[0031]1、基板；
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2、第一金属层；
[0032]3、绝缘层；
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4、第二金属层；
[0033]5、像素定义层；
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6、发光功能层；
[0034]7、第三金属层；
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31、过孔；
[0035]51、开口；
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21、第一走线；
[0036]22、第二走线；
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23、下极板；
[0037]210、连接点；
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100、像素电路层。
具体实施方式
[0038]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0039]实施例1
[0040]如图2所示，本实施例提供一种有机发光二极管像素结构，其包括基板1、第一金属层2、绝缘层3、第二金属层4、像素定义层5、发光功能层6以及第三金属层7。
[0041]具体的，第一金属层2设于基板1上，且图案化形成同层设置的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述有机发光二极管像素结构包括像素电路层，所述像素电路层包括：第一走线；存储电容，包括下极板与上极板，其中，所述下极板与所述第一走线同层设置；以及绝缘层，覆盖所述第一走线与所述下极板，其中，所述第一走线的一侧具有多个间隔设置的凸部。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第一走线的另一侧具有多个间隔设置的凸部。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第一走线连续弯折设置以形成所述第一走线的一侧的所述多个凸部及所述第一走线的另一侧的所述多个凸部。4.根据权利要求2所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第一走线的一侧的所述多个凸部与所述第一走线的另一侧的所述多个凸部相对设置。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述像素电路层还包括：第二走线，其一侧具有多个间隔设置的凸部。6.根据权利要求5所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第二走线的另一侧具有多个间隔设置的凸部。7.根据权利要求6所述的有机发光二极管像素结...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖翔，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：