一种干粒半抛砖制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种干粒半抛砖制备工艺，包括以下步骤：步骤一、对砖坯进行表面喷水处理，利用可在砖坯上形成图案的丝网，在其表面淋仿古面釉，以形成具备图案的仿古面釉层；步骤二、在所述仿古面釉层淋印花釉，再在其表面涂覆一层保护釉；步骤三、继续在保护釉表面淋干粒釉，1100～1300℃高温煅烧，在仿古釉面表面形成半透明的凹凸晶体；步骤四、利用柔性抛光设置根据砖坯釉面上表面的凹凸晶体的凹凸程度进行打磨抛光，得干粒半抛砖。本发明专利技术制备得到的干粒半抛砖细腻有颜值，并且更有防污、耐磨的效果，使产品更防潮防污，抗折度升级，无惧日常损耗，历久弥新。历久弥新。历久弥新。

【技术实现步骤摘要】
一种干粒半抛砖制备工艺


[0001]本专利技术涉及半抛砖制备工艺领域。更具体地说，本专利技术涉及一种干粒半抛砖制备工艺。

技术介绍

[0002]随着人们生活水平的逐步提高，审美眼光也逐步提高，而半抛砖是界入抛光砖和哑光砖之间，没抛光砖那么亮眼和反光，又没有哑光砖那么死板，也逐步被大家青睐，但是目前市面上的半抛砖普遍存在不耐脏，防油污效果不好，尤其是用于厨房。而且传统的半抛砖都是采用普通的刚性抛光机，其并不能随着抛光表面的凹凸变化而实时变化进行打磨，造成半抛砖打磨效果不好，凸起部分打磨过度，凹陷部分打磨过少的问题。

技术实现思路

[0003]为了实现根据本专利技术的这些目的和其它优点，提供了一种干粒半抛砖制备工艺，包括以下步骤：
[0004]步骤一、对砖坯进行表面喷水处理，利用可在砖坯上形成图案的丝网，在其表面淋仿古面釉，以形成具备图案的仿古面釉层；
[0005]步骤二、在所述仿古面釉层淋印花釉，再在其表面涂覆一层保护釉；
[0006]步骤三、继续在保护釉表面淋干粒釉，1100～1300℃高温煅烧，在仿古釉面表面形成半透明的凹凸晶体；
[0007]步骤四、利用柔性抛光设置根据砖坯釉面上表面的凹凸晶体的凹凸程度进行打磨抛光，得干粒半抛砖。
[0008]根据本专利技术的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述砖坯由以下重量份的原料制备得到：
[0009]3‑
5份黑泥、40
‑
45份中温砂、1
‑
3份煅烧高铝土、1
‑
3份张高铝土、1
‑
3份强塑土、5
‑
10份高温砂、1
‑
3份镁质泥、10
‑
20份白泥、10
‑
12份中温砂以及1
‑
5份高铝土。
[0010]根据本专利技术的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述印花釉由以下重量份的原料制备得到：30
‑
40份钾长石、10
‑
30份钠长石、5
‑
20份碳酸钡、1
‑
5份氧化锌、1
‑
5份烧滑石、3
‑
5份硅灰石、12
‑
16份水洗土、5
‑
10份氧化铝、4
‑
10份石英、3
‑
10份白刚玉、10
‑
20份硅酸锆、120
‑
130份植物油以及5
‑
10份丙三醇。
[0011]根据本专利技术的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述干粒釉由以下重量份的原料混合得到：1
‑
5份干粒、5
‑
8份釉浆、100
‑
140份悬浮剂、3
‑
10份烷基多糖苷、20
‑
30份胶水、5
‑
10份过氧化二异丙苯、5
‑
10份橡胶、5
‑
10份纳米石墨烯颗粒以及20
‑
30份聚丙烯酰胺阴离子。
[0012]上述实施方案中，纳米石墨烯颗粒在干粒釉制备的搅拌摩擦过程中可以在干粒颗粒的凹凸表面起填充作用，不仅提高了干粒釉的柔顺性能，使得涂覆形成的干粒层表面凹凸形成图案，使得砖体表面略呈哑光，但是实际上却顺滑，也降低了其表面张力，使得抗油
污性能提高，而且由于纳米石墨烯颗粒独特的性能使得其可与摩擦化学反应在摩擦副间形成了稳定的第三体，增加整体的抗磨性能；石墨烯颗粒不易于分散在悬浮剂中，因此此处利用烷基多糖苷对石墨烯颗粒表面进行改性，降低其表面张力，使其能够更好地融入并分散于悬浮剂中，而且同时搭配阴离子过氧化二异丙苯酰胺对石墨烯颗粒进行改性，使得石墨烯颗粒外部包裹一层阴离子过氧化二异丙苯酰胺，由于阴离子过氧化二异丙苯酰胺带负电，可以利用同极相斥的原理，保持相邻石墨烯颗粒之间距离，使得其均衡。而且石墨烯颗粒外部包裹一层阴离子聚丙烯酰胺阴离子，其将具备一定的活性，其将与烷基多糖苷中的羟基发生氢键搭桥作用，增强分子与分子间的作用力，促进了整体稳定性。
[0013]根据本专利技术的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述干粒釉由以下方法制备得到：
[0014]a)取釉浆、悬浮剂、烷基多糖苷、聚丙烯酰胺阴离子混合，至于烘箱中40
‑
50℃加热，且边加热边搅拌，得混合物A；
[0015]b)取过氧化二异丙苯和橡胶于170℃下熔融共混，活化10
‑
20min，加入纳米石墨烯颗粒充分搅拌，得混合物B；
[0016]c)将混合物A和所述混合物B混合，且置于密闭容器内，于5
‑
7Mpa压力下反应15min，然后升温200℃，保温10min，分别加入干粒，得到所述干粒釉。
[0017]上述实施方案中，过氧化二异丙苯与橡胶反应，形成硫化橡胶，可提高干粒釉的耐高温性，且过氧化二异丙苯能够形成大分子自由基与接枝剂反应，随着自由基的转移和偶合，促进形成网状结构，改善原料间的相容性，促进纳米石墨烯在网状结构的网孔内的分散度。
[0018]根据本专利技术的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述柔性抛光设备包括：
[0019]机架，其由两侧的立架和固定在所述立架顶部的横梁组成，所述横梁的底部沿长度方向设有直线轨道，所述直线轨道上设有跑车以及推动该跑车沿所述直线轨道行走的直线电机；所述机架下方设有用于铺放砖块的升降平台；
[0020]抛光机构，其包括安装筒、铁芯、线圈、磁块、反力弹簧、垂杆、抛光轮和旋转电机，所述安装筒竖直向下固定在所述跑车的底部，所述铁芯竖直固定在所述安装筒的内顶部，其上缠绕所述线圈，所述反力弹簧竖立固定在所述安装筒的内底部，其顶端固定所述磁块，所述铁芯充磁后对所述磁块产生向下的排斥力，所述垂杆竖直连接在所述磁块的底部，其下端自所述安装筒底部穿出，所述抛光轮可转动的安装在所述垂杆的下端，所述旋转电机安装在所述垂杆上，并与所述抛光轮连接用于带动所述抛光轮进行转动；
[0021]探测机构，其包括支座、可调电阻和探杆，所述支座固定在所述跑车的底部，且沿所述跑车的前进方向位于所述安装筒的前端，所述可调电阻固定在所述支座上，所述探杆竖直设置，其下端与所述抛光轮的底部平齐，上端固定连接在所述可调电阻的调节部件上，通过所述探杆的上下活动，带动所述调节部件移动，进而改变所述调节电阻的实际电阻值；
[0022]其中，所述可调电阻与所述线圈串联在同一电路中，所述探杆向上活动时，带动所述调节部件移动，使所述可调电阻的实际电阻值增大，进而使通过所述线圈的电流减小，所述铁芯对磁块的排斥力减小；
[0023]所述探杆向下活动时，带动所述调节部件移动，使所述可调电阻的实际电阻值减
小，进而使通过所述线圈的电流增大，所述铁芯对磁块的排斥力增大。
[0024]上述实施方案中，柔性抛光设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、对砖坯进行表面喷水处理，利用可在砖坯上形成图案的丝网，在其表面淋仿古面釉，以形成具备图案的仿古面釉层；步骤二、在所述仿古面釉层淋印花釉，再在其表面涂覆一层保护釉；步骤三、继续在保护釉表面淋干粒釉，1100~1300℃高温煅烧，在仿古釉面表面形成半透明的凹凸晶体；步骤四、利用柔性抛光设置根据砖坯釉面上表面的凹凸晶体的凹凸程度进行打磨抛光，得干粒半抛砖。2.根据权利要求1所述的干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，所述砖坯由以下重量份的原料制备得到：3
‑
5份黑泥、40
‑
45份中温砂、1
‑
3份煅烧高铝土、1
‑
3份张高铝土、1
‑
3份强塑土、5
‑
10份高温砂、1
‑
3份镁质泥、10
‑
20份白泥、10
‑
12份中温砂以及1
‑
5份高铝土。3.根据权利要求1所述的干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，所述印花釉由以下重量份的原料制备得到：30
‑
40份钾长石、10
‑
30份钠长石、5
‑
20份碳酸钡、1
‑
5份氧化锌、1
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5份烧滑石、3
‑
5份硅灰石、12
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16份水洗土、5
‑
10份氧化铝、4
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10份石英、3
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10份白刚玉、10
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20份硅酸锆、120
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130份植物油以及5
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10份丙三醇。4.根据权利要求1所述的干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，所述干粒釉由以下重量份的原料制备得到：1
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5份干粒、5
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8份釉浆、100
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140份悬浮剂、3
‑
10份烷基多糖苷、20
‑
30份胶水、5
‑
10份过氧化二异丙苯、5
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10份橡胶、5
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10份纳米石墨烯颗粒以及20
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30份聚丙烯酰胺阴离子。5.根据权利要求4所述的干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，所述干粒釉由以下方法制备得...

【专利技术属性】
技术研发人员：林要军，马云龙，张俊，
申请(专利权)人：亚细亚建筑材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：