零部件、形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置制造方法及图纸

技术编号:31009863 阅读:37 留言:0更新日期:2021-11-30 00:05
本发明专利技术适用于半导体技术领域,公开了一种用于等离子体反应装置中的零部件、零部件形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置。一种用于等离子体反应装置中的零部件,等离子体反应装置包括反应腔,反应腔内为等离子体环境,零部件暴露于等离子体环境中,零部件包括:非氧化物基底;耐等离子体涂层,耐等离子体涂层涂覆于非氧化物基底表面,耐等离子体涂层为稀土金属化合物,耐等离子体涂层和非氧化物基底之间通过饱和化学键过渡。本发明专利技术提供的零部件,在非氧化物基底与耐等离子体涂层之间的界面通过饱和的化学键实现过渡,降低耐等离子体涂层脱落的风险,提高耐等离子体涂层的服役寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
零部件、形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置


[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种零部件、形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置。

技术介绍

[0002]在典型的等离子体刻蚀工艺中,工艺气体(如CF4、O2等)在射频(RadioFrequency,RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场(电容耦合或者电感耦合)作用后与晶圆表面发生物理轰击作用及化学反应,从而刻蚀出具有特定结构的晶圆。
[0003]然而,在等离子体刻蚀工艺过程中,物理轰击及化学反应作用过程中会释放出大量的热,使得腔体不断的升温;另外在等离子体刻蚀工艺结束后由于冷机的冷却作用,又会将这些热量带走,使得腔室的温度下降。对于处在刻蚀腔体内的零部件而言,通常会涂覆一些耐等离子体腐蚀的涂层(例如,Y2O3涂层)以保护零部件不被腐蚀。因此,涂覆在零部件上的耐等离子体涂层处于一个不断升温、降温的热循环冲击环境中。由于在服役过程中热应力不断积累,可能引起耐等离子体涂层微裂纹产生、扩展、开裂、剥落等现象,引起耐等离子体涂层保护功能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体反应装置中的零部件,所述等离子体反应装置包括反应腔,所述反应腔内为等离子体环境,所述零部件暴露于所述等离子体环境中,其特征在于,所述零部件包括:非氧化物基底;耐等离子体涂层,所述耐等离子体涂层涂覆于所述非氧化物基底的表面,所述耐等离子体涂层为稀土金属化合物,所述耐等离子体涂层和所述非氧化物基底之间通过饱和化学键过渡。2.如权利要求1所述的用于等离子体反应装置中的零部件,其特征在于,所述饱和化学键包括:Si-O键。3.如权利要求1所述的用于等离子体反应装置中的零部件,其特征在于,所述稀土金属化合物包括稀土金属元素的氧化物、氟化物或氟氧化物中的一种或多种。4.如权利要求1所述的用于等离子体反应装置中的零部件,其特征在于,所述稀土金属化合物中的稀土金属元素包括:Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu中的一种或多种。5.如权利要求1所述的用于等离子体反应装置中的零部件,其特征在于,所述非氧化物基底的材料包括:硅、碳化硅或氮化硅中的一种或多种。6.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:反应腔,其内为等离子体环境;如权利要求1至5任一项所述的用于等离子体反应装置中的零部件,所述零部件暴露于所述等离子体环境中。7.如权利要求6所述的等离...

【专利技术属性】
技术研发人员:段蛟孙祥陈星建
申请(专利权)人:中微半导体设备上海股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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