【技术实现步骤摘要】
零部件、形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置
[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种零部件、形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置。
技术介绍
[0002]在典型的等离子体刻蚀工艺中,工艺气体(如CF4、O2等)在射频(RadioFrequency,RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场(电容耦合或者电感耦合)作用后与晶圆表面发生物理轰击作用及化学反应,从而刻蚀出具有特定结构的晶圆。
[0003]然而,在等离子体刻蚀工艺过程中,物理轰击及化学反应作用过程中会释放出大量的热,使得腔体不断的升温;另外在等离子体刻蚀工艺结束后由于冷机的冷却作用,又会将这些热量带走,使得腔室的温度下降。对于处在刻蚀腔体内的零部件而言,通常会涂覆一些耐等离子体腐蚀的涂层(例如,Y2O3涂层)以保护零部件不被腐蚀。因此,涂覆在零部件上的耐等离子体涂层处于一个不断升温、降温的热循环冲击环境中。由于在服役过程中热应力不断积累,可能引起耐等离子体涂层微裂纹产生、扩展、开裂、剥落等现象,引起耐 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体反应装置中的零部件,所述等离子体反应装置包括反应腔,所述反应腔内为等离子体环境,所述零部件暴露于所述等离子体环境中,其特征在于,所述零部件包括:非氧化物基底;耐等离子体涂层,所述耐等离子体涂层涂覆于所述非氧化物基底的表面,所述耐等离子体涂层为稀土金属化合物,所述耐等离子体涂层和所述非氧化物基底之间通过饱和化学键过渡。2.如权利要求1所述的用于等离子体反应装置中的零部件,其特征在于,所述饱和化学键包括:Si-O键。3.如权利要求1所述的用于等离子体反应装置中的零部件,其特征在于,所述稀土金属化合物包括稀土金属元素的氧化物、氟化物或氟氧化物中的一种或多种。4.如权利要求1所述的用于等离子体反应装置中的零部件,其特征在于,所述稀土金属化合物中的稀土金属元素包括:Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu中的一种或多种。5.如权利要求1所述的用于等离子体反应装置中的零部件,其特征在于,所述非氧化物基底的材料包括:硅、碳化硅或氮化硅中的一种或多种。6.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:反应腔,其内为等离子体环境;如权利要求1至5任一项所述的用于等离子体反应装置中的零部件,所述零部件暴露于所述等离子体环境中。7.如权利要求6所述的等离...
【专利技术属性】
技术研发人员:段蛟,孙祥,陈星建,
申请(专利权)人:中微半导体设备上海股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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