一种阻挡等离子体反流的进气结构制造技术

本发明专利技术涉及一种阻挡等离子体反流的进气结构，将进气结构的进气导向体本体分成三部分，分别为顶部进气导向体、若干分层进气导向组以及底部进气导向体，其中，顶部进气导向体设置在进气法兰与进气喷嘴交接处，底部进气导向体设置在进气喷嘴底部，若干分层进气导向组设置在顶部进气导向体、底部进气导向体之间；在进气喷嘴的封闭端圆周壁上对称开设两个出气口，出气口与进气喷嘴的封闭端之间形成锐角，同时底部进气导向体与出气口贯通；通过将导气通道设计成弓形，可以减小腔体内等离子体回流及阻止回流气体接触高功率射频部件，避免了进气导向体内气体通道与射频件近距离连通，同时避免垂直方向上的气体通道距离足够电子运动点火，损坏进气结构。损坏进气结构。损坏进气结构。

【技术实现步骤摘要】
一种阻挡等离子体反流的进气结构
[0001]

[0002]本专利技术涉及一种阻挡等离子体反流的进气结构，属于半导体刻蚀


技术介绍

[0003]在半导体集成电路制造工艺中，刻蚀是其中最为重要的一道工序，其中等离子体刻蚀是常用的刻蚀方式之一，通常刻蚀发生在真空反应腔室内，通常真空反应腔室内包括静电吸附卡盘，用于承载吸附晶圆、射频负载及冷却晶圆等作用。目前在对半导体器件等的制作过程中，通常将静电吸附卡盘放置在真空的处理腔室中部的基座上，晶圆位于静电吸附卡盘的上表面，在基座顶部的电极中施加射频，使在处理腔室内形成引入的反应气体的等离子体对晶圆进行加工处理，在进行一些非挥发性金属材料的刻蚀过程中，等离子体在偏压的作用下加速达到金属材料表面，从刻蚀材料表面溅射出的金属颗粒会附着在腔体内所有暴露的表面上，包括腔体内壁及腔体顶部的耦合窗，造成污染，为了解决污染，需要在腔室内部通入清洗气体，并在顶部加载射频功率对清洗气体进行电离，带走这些污染颗粒，由于整个清洗过程中腔体是接地的，而顶部耦合窗由于是绝缘材质，所以清洗过程中顶部射频加载射频功率激发等离子体，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阻挡等离子体反流的进气结构，包括反应腔室，在反应腔室的顶部安装耦合窗，耦合窗中心位置安装进气喷嘴（50），进气喷嘴（50）的封闭端开设出气口，进气喷嘴（50）内嵌设进气导向体本体，进气法兰（52）套设在进气喷嘴（50）开口端，工艺气体经过进气法兰（52）后，通过进气导向体本体到达进气喷嘴（50）内部，通过进气喷嘴（50）的出气口进入反应腔室内，其特征在于：前述的进气导向体本体包括顶部进气导向体（90）、若干分层进气导向组以及底部进气导向体（120），其中，顶部进气导向体（90）设置在进气法兰（52）与进气喷嘴（50）交接处，底部进气导向体（120）设置在进气喷嘴（50）底部，若干分层进气导向组设置在顶部进气导向体（90）、底部进气导向体（120）之间；在进气喷嘴（50）的封闭端圆周壁上对称开设两个出气口，出气口与进气喷嘴（50）的封闭端之间形成锐角，同时底部进气导向体（120）与出气口贯通。2.根据权利要求1所述的阻挡等离子体反流的进气结构，其特征在于：前述的分层进气导向组包括由上至下顺次叠加布设的第一分层进气导向体（100）和第二分层进气导向体（110）；第一分层进气导向体（100）呈圆柱状，其中心向上凸起形成第一进气台（102），以第一进气台（102）中心为圆心，沿着第一分层进气导向体（100）圆周轴向方向开设若干贯通的第一进气槽（101），第二分层进气导向体（110）同样呈圆柱状，其中心向上凸起形成第二进气台（112），以第二进气台（112）中心为圆心，沿着第二进气台（112）的圆周在第二分层进气导向体（110）轴向方向上开设若干贯通的第二进气槽（111）；当第一分层进气导向体（100）安装在第二分层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海洋，刘小波，胡冬冬，张军，程实然，李娜，吴志浩，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：