基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法制造方法及图纸

公开了基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法。该基板处理装置包括：腔室，该腔室在其内部具有用于处理基板的空间；基板支承组件，该基板支承组件包括支承板，该支承板位于该腔室中并支承该基板；气体供应单元，该气体供应单元将气体供应到该腔室的内部中；等离子体生成单元，该等离子体生成单元将该腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，该基板温度控制单元控制该基板的温度，且该基板温度控制单元包括：多个加热器，该多个加热器安装在该支承板的不同区域中；电源部，该电源部向该多个加热器供应电力；铁氧体芯，该铁氧体芯中断引入至该电源部的低频信号；和多个空气芯，该多个空气芯中断引入至该电源部的高频信号。电源部的高频信号。电源部的高频信号。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年5月19日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2020
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0059469的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。


[0003]本文描述的专利技术构思的实施方案涉及一种基板处理装置和一种用于控制铁氧体芯(ferrite core)的温度的方法，且更具体地，涉及一种根据各个区域来控制基板温度的基板处理装置，以及一种用于控制铁氧体芯的温度的方法。

技术介绍

[0004]在半导体制造过程中，需要一种用于控制基板温度的基板温度控制装置。现有的基板温度控制装置利用与各个加热单元相对应的多个控制单元来控制用于调节基板的各个区域温度的多个加热单元。然而，最近被聚焦(spotlight)的具有多区域的基板需要100个或更多个加热单元，并且当设置与加热单元相对应的控制单元时，需要是现有设施的30倍或更多倍的设施。设施体积的增加可能违背近来减小设施体积的趋势。/>[0005]此外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其包括：腔室，在所述腔室的内部所述腔室具有用于处理基板的空间；基板支承组件，所述基板支承组件包括支承板，所述支承板位于所述腔室中并配置为支承所述基板；气体供应单元，所述气体供应单元配置为将气体供应到所述腔室的内部中；等离子体生成单元，所述等离子体生成单元配置为将所述腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，所述基板温度控制单元配置为控制所述基板的温度，其中，所述基板温度控制单元包括：多个加热器，所述多个加热器安装在所述支承板的不同区域中；电源部，所述电源部配置为向所述多个加热器供应电力；铁氧体芯，所述铁氧体芯配置为中断引入至所述电源部的低频信号；和多个空气芯，所述多个空气芯配置为中断引入至所述电源部的高频信号。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯设置在所述多个空气芯与所述电源部之间，且所述铁氧体芯的长度大于所述多个空气芯的长度。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯包括电感为100μH至150μH的线圈。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述基板温度控制单元还包括：铁氧体芯温度测量部，所述铁氧体芯温度测量部配置为测量所述铁氧体芯的温度。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述基板温度控制单元还包括：铁氧体芯冷却部，所述铁氧体芯冷却部配置为冷却所述铁氧体芯；和铁氧体芯温度控制部，所述铁氧体芯温度控制部配置为根据所述铁氧体芯的温度来控制所述铁氧体芯冷却部。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯冷却部包括围绕所述铁氧体芯安装的多个冷却风扇。7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯温度控制部控制所述铁氧体芯冷却部，使得所述铁氧体芯的温度维持在50摄氏度至100摄氏度的范围内。8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，设置一个所述铁氧体芯。9.一种基板处理装置，其包括：腔室，在所述腔室的内部所述腔室具有用于处理基板的空间；基板支承组件，所述基板支承组件包括支承板，所述支承板位于所述腔室中并配置为支承所述基板；气体供应单元，所述气体供应单元配置为将气体供应到所述腔室的内部中；等离子体生成单元，所述等离子体生成单元配置为将所述腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，所述基板温度控制单元配置...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥格森，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：