一种免疫生物传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及生物传感器技术领域，具体提供了一种免疫生物传感器，包括：基底、半导体层、带电荷薄膜部、第一电极、第二电极，半导体层置于基底上，带电荷薄膜部置于半导体层上，第一电极和第二电极置于半导体层上带电荷薄膜部的两侧，带电荷薄膜部不与第一电极、第二电极接触；应用时，带电荷薄膜部吸附被检测体，释放热量，改变所述半导体层的导电特性，通过测量所述半导体层导电特性的变化实现生物探测。由于带电荷薄膜部吸附不同的病毒时，均能产生热量，所以本实用新型专利技术具有较弱的针对性，能够对不同的病毒实现探测，这有利于本实用新型专利技术在病毒检测技术领域的推广应用。型在病毒检测技术领域的推广应用。型在病毒检测技术领域的推广应用。

【技术实现步骤摘要】
一种免疫生物传感器


[0001]本技术涉及生物传感器的
，具体涉及一种免疫生物传感器。

技术介绍

[0002]随着免疫技术和检测方法的逐步发展，以核酸检测为代表的分子生物学检测技术取得了长足的进步。运用分子生物学检测技术，可以对病毒基因组的结构与功能、复制与表达、与宿主相互作用等进行研究。上述这些传统病毒检测技术的针对性强，限制了病毒检测技术的推广。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题，本技术提供了一种免疫生物传感器，包括：基底、半导体层、带电荷薄膜部、第一电极、第二电极，半导体层置于基底上，带电荷薄膜部置于半导体层上，第一电极和第二电极置于半导体层上带电荷薄膜部的两侧，带电荷薄膜部不与第一电极、第二电极接触。
[0004]更进一步地，带电荷薄膜部为带羟基或羧基官能团的物质。
[0005]更进一步地，带电荷薄膜部的材料为氧化石墨烯。
[0006]更进一步地，半导体层的材料为石墨烯。
[0007]更进一步地，半导体层由第一半导体层和第二半导体层构成，第一半导体层置于基底上，第二半导体层置于第一半导体层上，带电荷薄膜部、第一电极、第二电极置于第二半导体层上。
[0008]更进一步地，还包括绝热材料层，绝热材料层置于基底上，半导体层置于绝热材料层上。
[0009]更进一步地，基底的材料为绝缘材料。
[0010]更进一步地，基底的材料为二氧化硅。
[0011]更进一步地，第一电极和第二电极的材料为金、银、铜。
[0012]更进一步地，半导体层的厚度小于1微米。
[0013]本技术的有益效果：本技术提供了一种免疫生物传感器，包括：基底、半导体层、带电荷薄膜部、第一电极、第二电极，半导体层置于基底上，带电荷薄膜部置于半导体层上，第一电极和第二电极置于半导体层上带电荷薄膜部的两侧，带电荷薄膜部不与第一电极、第二电极接触；应用时，带电荷薄膜部吸附被检测体，释放热量，改变所述半导体层的导电特性，通过测量所述半导体层导电特性的变化实现生物探测。由于带电荷薄膜部吸附不同的病毒时，均能产生热量，所以本技术具有较弱的针对性，能够对不同的病毒实现探测，这有利于本技术在病毒检测
的推广应用。
[0014]以下将结合附图对本技术做进一步详细说明。
附图说明
[0015]图1是免疫生物传感器的示意图。
[0016]图中：1、基底；2、半导体层；3、带电荷薄膜部；4、第一电极；5、第二电极。
具体实施方式
[0017]为进一步阐述本技术达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例对本技术的具体实施方式、结构特征及其功效，详细说明如下。
[0018]实施例1
[0019]本技术提供了一种免疫生物传感器，如图1所示，该免疫生物传感器包括基底1、半导体层2、带电荷薄膜部3、第一电极4、第二电极5。半导体层2置于基底1上。基底1的材料为绝缘材料。具体地，基底1的材料为二氧化硅。带电荷薄膜部3置于半导体层2上。半导体层2的材料为硅。半导体层2的厚度小于1微米，以便于带电荷薄膜部3吸附被检测体产生热时，当半导体层2的温度改变时，半导体层2的导电特性改变更多。带电荷薄膜部3为带羟基或羧基官能团的物质，具体地，带电荷薄膜部3由壳聚糖制成的薄膜。第一电极4和第二电极5置于半导体层2上带电荷薄膜部3的两侧，带电荷薄膜部3不与第一电极4、第二电极5接触，第一电极4和第二电极5用以测量半导体层2导电特性的变化。第一电极4和第二电极5的材料为金、银、铜。
[0020]应用时，带电荷薄膜部3吸附被检测体，释放热量，改变半导体层2的导电特性，通过测量半导体层2导电特性的变化实现生物探测。由于带电荷薄膜部3吸附不同的病毒时，均能产生热量，所以本技术具有较弱的针对性，能够对不同的病毒实现探测，这有利于本技术在病毒检测
的推广应用。
[0021]实施例2
[0022]在实施例1的基础上，带电荷薄膜部3的材料为氧化石墨烯。半导体层2的材料为石墨烯。氧化石墨烯3具有较强的物理吸附能力；石墨烯的电阻小，并且石墨烯的导电特性严重地依赖于其温度。当氧化石墨烯吸附被检测体产生热量时，石墨烯的温度改变更多，从而更多地改变石墨烯的导电特性，从而实现更高灵敏度的被检测体探测。
[0023]实施例3
[0024]在实施例1的基础上，半导体层2由第一半导体层和第二半导体层构成，第一半导体层置于基底1上，第二半导体层置于第一半导体层上，带电荷薄膜部3、第一电极4、第二电极5置于第二半导体层上。也就是说，半导体层2由两层不同的半导体材料构成。这样一来，热量不仅改变了第一半导体层和第二半导体层的电阻，而且改变了第一半导体层和第二半导体层之间的层间电阻。因此，物理吸附所产生的热能够改变地改变半导体层2的导电特性，从而实现更高灵敏度的被检测体探测。
[0025]实施例4
[0026]在实施例1的基础上，还包括绝热材料层，绝热材料层置于基底1上，半导体层2置于绝热材料层上。这样一来，物理吸附所产生的热较少地传递到基底1上，从而使得半导体层2的温度升高更多，从而更多地改变半导体层2的导电特性，从而实现更高灵敏度的被检测体探测。
[0027]以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能
认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种免疫生物传感器，其特征在于，包括：基底、半导体层、带电荷薄膜部、第一电极、第二电极，所述半导体层置于所述基底上，所述带电荷薄膜部置于所述半导体层上，所述第一电极和所述第二电极置于所述半导体层上所述带电荷薄膜部的两侧，所述带电荷薄膜部不与所述第一电极、所述第二电极接触；应用时，所述带电荷薄膜部吸附被检测体，释放热量，改变所述半导体层的导电特性，通过测量所述半导体层导电特性的变化实现生物探测。2.如权利要求1所述的免疫生物传感器，其特征在于：所述带电荷薄膜部为带羟基或羧基官能团的物质。3.如权利要求1所述的免疫生物传感器，其特征在于：所述带电荷薄膜部的材料为氧化石墨烯。4.如权利要求1所述的免疫生物传感器，其特征在于：所述半导体层的材料为石墨烯。5.如权利要求1所述的免疫生物传感器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉鹏勃，张素英，
申请(专利权)人：西安柯莱特信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：