一种Micro-LED芯片的巨量转移方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种Micro

【技术实现步骤摘要】
一种Micro
‑
LED芯片的巨量转移方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种Micro
‑
LED芯片的巨量转移方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light
‑
Emitting Diode，Micro
‑
LED)是新一代显示技术，相较于OLED(Organic Light Emitting Display，有机发光二极管)技术，Micro
‑
LED亮度更高、发光效率更好、但功耗更低，因此其市场前景备受看好。
[0003]在Micro
‑
LED显示器件制作过程中，需要将大量的Micro
‑
LED芯片从原始衬底转移到驱动电路基板上排列成阵列，这称为Micro LED芯片的巨量转移。印章转移技术是芯片巨量转移技术中的一种，如图1所示，印章1上具有多个用于吸附芯片3的凸起2，在转移时，首先将凸起2与芯片3对准，然后通过凸起2吸附芯片3，移动印章1至驱动基板4上方，使芯片3与驱动基板4对准，最后剥离印章1使芯片3转移至驱动基板4。Micro
‑
LED芯片尺寸非常细小(通常为几十微米)，在对准时稍有偏差就会对最终形成的器件形成产生影响。现有高精度对准设备通常是在晶圆厂使用的，能达到纳米精度，但成本可以说是天价。Micro
‑
LED巨量转移技术加工方通常为封装厂，没有条件采用高价高精度对准设备，因此目前巨量转移中倒装的精度很难达到几微米。同时，通常通过加热或加压方式实现印章剥离，加热加压使印章凸起向外膨胀，这就会导致对准后的芯片与驱动基板之间产生偏差，进而影响器件性能。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种Micro
‑
LED芯片的巨量转移方法，以降低Micro
‑
LED芯片的对对准难度、转移难度，提高转移精度。
[0005]本专利技术实施例提供一种Micro
‑
LED芯片的巨量转移方法，包括：
[0006]提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上形成LED芯片阵列；
[0007]在所述LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除所述蓝宝石衬底；
[0008]拉伸所述蓝膜以使所述LED芯片阵列中的芯片间距达到预设距离；
[0009]通过超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的第二表面并去除所述蓝膜，其中，所述超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的区域包括由多个孔洞组成的孔洞阵列，所述孔洞的尺寸小于所述LED芯片阵列的芯片尺寸，所述孔洞阵列的孔洞密度大于所述LED芯片阵列的芯片密度；
[0010]移动所述超分辨率PDMS印章至驱动基板后剥离所述超分辨率PDMS印章，以使所述LED芯片阵列转移至所述驱动基板。
[0011]进一步的，所述在所述LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除所述蓝宝石衬底之前，还包括：
[0012]在所述LED芯片阵列的第一表面形成完全覆盖所述LED芯片阵列的保护层。
[0013]进一步的，所述在所述LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除所述蓝宝石衬底
包括：
[0014]在所述保护层上黏附蓝膜并通过激光剥离技术去除所述蓝宝石衬底。
[0015]进一步的，所述通过超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的第二表面并去除所述蓝膜之前，还包括：
[0016]提供一硅基底，并在所述硅基底上形成由多个柱形结构，其中，所述柱形结构的尺寸等于或小于所述孔洞的尺寸；
[0017]将所述硅基底胶粘在玻璃器皿中，并向所述玻璃器皿注入PDMS混合液；
[0018]对所述玻璃器皿进行热烘，以使所述PDMS混合液固化形成超分辨率PDMS印章；
[0019]剥离所述硅基底，得到超分辨率PDMS印章。
[0020]进一步的，所述在所述玻璃器皿注入PDMS混合液之前，还包括：
[0021]对所述硅基底表面进行疏水化处理。
[0022]进一步的，所述对所述PDMS混合液进行热烘之前，还包括：
[0023]将所述玻璃器皿置于真空箱对PDMS混合液进行除泡处理。
[0024]进一步的，所述PDMS混合液为固化剂和PDMS溶液的混合液，所述固化剂与所述PDMS溶液的混合比例在0.1～0.2之间。
[0025]进一步的，所述通过超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的第二表面并去除所述蓝膜包括：
[0026]通过超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的第二表面并去除所述蓝膜和所述保护层。
[0027]进一步的，所述移动所述超分辨率PDMS印章至驱动基板后剥离所述超分辨率PDMS印章，以使所述LED芯片阵列转移至所述驱动基板包括：
[0028]通过转移头吸附所述超分辨率PDMS印章未吸附所述LED芯片阵列的一面将其移动至驱动基板上方，并使所述LED芯片阵列与所述驱动基板对齐；
[0029]通过激光照射所述超分辨率PDMS印章，使所述LED芯片阵列从所述超分辨率PDMS印章剥离而转移至所述驱动基板。
[0030]进一步的，所述孔洞阵列的孔洞密度为所述LED芯片阵列的芯片密度的5倍。
[0031]本专利技术实施例提供的Micro
‑
LED芯片的巨量转移方法使用超分辨率PDMS印章实现了LED芯片阵列的巨量转移，在印章吸附LED芯片时无需对准，即简化了操作，又加快了转移速度，进而提高转移效率和精确性。同时，一种超分辨率PDMS印章可以适用于多种LED芯片阵列的巨量转移，提高了超分辨率PDMS印章的适用性。
附图说明
[0032]图1为现有技术的Micro
‑
LED芯片的印章转移技术的示意图；
[0033]图2为本专利技术实施例一提供的一种Micro
‑
LED芯片的巨量转移方法的流程示意图；
[0034]图3为本专利技术实施例二提供的一种Micro
‑
LED芯片的巨量转移方法的流程示意图；
[0035]图4为本专利技术实施例一提供的超分辨率PDMS印章的结构示意图；
[0036]图5A为本专利技术实施例二提供的LED芯片阵列的示意图；
[0037]图5B为本专利技术实施例二提供的Micro
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LED芯片巨量转移中形成保护层的示意图；
[0038]图5C为本专利技术实施例二提供的Micro
‑
LED芯片巨量转移中黏附蓝膜的示意图；
[0039]图5D为本专利技术实施例二提供的Micro
‑
LED芯片巨量转移中蓝膜拉伸的示意图；
[0040]图5E为本专利技术实施例二提供的Micro
‑
LED芯片巨量转移中吸附超分辨率PDMS印章的示意图；
[0041]图5F为本专利技术实施例二提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro
‑
LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，包括：提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上形成LED芯片阵列；在所述LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除所述蓝宝石衬底；拉伸所述蓝膜以使所述LED芯片阵列中的芯片间距达到预设距离；通过超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的第二表面并去除所述蓝膜，其中，所述超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的区域包括由多个孔洞组成的孔洞阵列，所述孔洞的尺寸小于所述LED芯片阵列的芯片尺寸，所述孔洞阵列的孔洞密度大于所述LED芯片阵列的芯片密度；移动所述超分辨率PDMS印章至驱动基板后剥离所述超分辨率PDMS印章，以使所述LED芯片阵列转移至所述驱动基板。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除所述蓝宝石衬底之前，还包括：在所述LED芯片阵列的第一表面形成完全覆盖所述LED芯片阵列的保护层。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除所述蓝宝石衬底包括：在所述保护层上黏附蓝膜并通过激光剥离技术去除所述蓝宝石衬底。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的第二表面并2去除所述蓝膜之前，还包括：提供一硅基底，并在所述硅基底上形成由多个柱形结构，其中，所述柱形结构的尺寸等于或小于所述孔洞的尺寸；将所述硅基底胶粘在玻璃器皿中，并向所述玻璃器皿注入PDMS混合液；对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘召军，容沃铖，罗冰清，李嘉怡，蒋府龙，刘亚莹，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：