氮化物器件及其制备方法技术

一种氮化物器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括：提供外延结构；通过离子注入在外延结构上形成第一有源区、第二有源区和无源区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出外延结构的介质层的第一窗口；通过第一窗口离子注入以在第二有源区内形成N型区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出介质层的第二窗口；通过第二窗口在N型区内形成P型区，P型区和N型区串联形成PN结二极管结构；在第一有源区形成源极、栅极和漏极，在无源区形成源极焊盘、栅极焊盘和漏极焊盘；其中，PN结二极管结构的阳极与源极焊盘接触连接、阴极与栅极焊盘接触连接。该制备方法能够提高器件的栅极和源极之间的反向电压的耐受等级。源极之间的反向电压的耐受等级。源极之间的反向电压的耐受等级。

【技术实现步骤摘要】
氮化物器件及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体器件
，具体而言，涉及一种氮化物器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]静电放电(Electro
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Staticdischarge，ESD)是集成电路芯片与外部物体之间的电荷释放和转移现象。当芯片的外部环境或者芯片内部累积一定量的静电荷时，其通过芯片的管脚流入或流出芯片内部时，瞬间产生的电流(峰值可达数安培)或电压，就会损坏集成电路，使芯片功能失效。随着半导体行业的发展，特征尺寸的进一步缩小，元件密度越来越大，电子元器件遭受静电损伤的可能性也越来越大，为了尽量避免静电对集成电路的损坏，静电释放防护设计在提高产品的可靠性和良率方面就显得非常重要。
[0003]尤其对于氮化物射频器件而言，因其采用的SiC衬底为高绝缘型衬底，所以在工艺过程中产生的静电无法快速耗散掉；同时，通过ESD
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HBM测试发现，氮化物射频器件所能承受的栅源反向电压的等级最低。因此，如何提高氮化物射频器件的栅源反向电压的耐受等级，以提高器件的ESD防护能力成为了目前亟待解决的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化物器件的制备方法，其特征在于，包括：提供外延结构，所述外延结构包括衬底和依次形成于所述衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和介质层；通过离子注入在所述外延结构上形成第一有源区、第二有源区和位于所述第一有源区和所述第二有源区之外的无源区，其中，所述无源区具有源极焊盘区域和栅极焊盘区域，所述第二有源区位于所述源极焊盘区域和所述栅极焊盘区域之间；在所述介质层上涂覆第一光刻胶层；曝光、显影所述第一光刻胶层，以在所述第二有源区形成露出所述介质层的第一窗口；通过所述第一窗口离子注入以在所述第二有源区内形成N型区；在露出的所述介质层上涂覆第二光刻胶层，并曝光、显影所述第二光刻胶层，以在所述第二有源区形成露出所述介质层的第二窗口；通过所述第二窗口在所述N型区内形成P型区，其中，所述P型区的深度大于或等于所述N型区的深度，且所述P型区和所述N型区沿第一方向排布，所述P型区沿第二方向的长度与所述N型区沿所述第二方向的长度相同，所述P型区与所述N型区沿所述第一方向组成PN结二极管结构；所述第一方向为所述源极焊盘区域和所述栅极焊盘区域的连线方向，所述第二方向分别与所述第一方向以及所述衬底和所述缓冲层的层叠方向垂直；在所述第一有源区形成源极、栅极和漏极，在所述无源区形成与所述源极金属互连的源极焊盘、与所述栅极金属互连的栅极焊盘和与所述漏极金属互连的漏极焊盘；其中，所述PN结二极管结构的阳极与所述源极焊盘接触连接，所述PN结二极管结构的阴极与所述栅极焊盘接触连接。2.根据权利要求1所述的氮化物器件的制备方法，其特征在于，所述通过所述第二窗口在所述N型区内形成P型区，包括：通过所述第二窗口离子注入以在所述N型区内形成P型区。3.根据权利要求2所述的氮化物器件的制备方法，其特征在于，所述P型区的掺杂离子为镁离子。4.根据权利要求1所述的氮化物器件的制备方法，其特征在于，所述通过所述第二窗口在所述N型区内形成P型区，包括：通过所述第二窗口依次刻蚀所述介质层和所述N型区，以在所述N型区内形成第三窗口，所述第三窗口位于所述N型区靠近所述源极焊盘的一侧，且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：