【技术实现步骤摘要】
III族氮化物器件以及制备基于III族氮化物的器件的方法
技术介绍
[0001]迄今，已经典型地利用硅(Si)半导体材料制备在功率电子应用中使用的晶体管。用于功率应用的常见的晶体管器件包括Si CoolMOS
®
、Si功率MOSFET和Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)。最近，已经考虑了碳化硅(SiC)功率器件。诸如氮化镓(GaN)器件的III族
‑
N半导体器件现在正作为用以承载大电流、支持高电压并且提供非常低的导通电阻和快速的开关时间的有吸引力的候选而出现。然而，进一步改进基于III族氮化物的器件是合期望的。
技术实现思路
[0002]根据本专利技术，制备基于III族氮化物的晶体管的方法包括：提供衬底，衬底包括基于III族氮化物的层、在基于III族氮化物的层的第一主表面上的第一钝化层以及被布置在第一钝化层上的第二钝化层，第二钝化层具有与第一钝化层不同的组分；在第二钝化层上形成第一掩模层，第一掩模层包括被布置在第二钝化层上的第一绝缘层和在第一绝缘层上的第一抗蚀剂层；在第一掩模层中形成用于栅极电极的第一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制备基于III族氮化物的晶体管的方法，包括：提供衬底，衬底包括基于III族氮化物的层、在基于III族氮化物的层的第一主表面上的第一钝化层以及被布置在第一钝化层上的第二钝化层，第二钝化层具有与第一钝化层不同的组分；在第二钝化层上形成第一掩模层，第一掩模层包括被布置在第二钝化层上的第一绝缘层和在第一绝缘层上的第一抗蚀剂层；在第一掩模层中形成用于栅极电极的第一开口，第一开口延伸通过第一光致抗蚀剂层并且延伸通过第一绝缘层；在第一掩模层中形成用于场板的第二开口，第二开口延伸通过第一光致抗蚀剂层并且延伸通过第一绝缘层；移除由第一开口暴露的第二钝化层并且形成用于栅极电极的第一通孔，第一通孔具有由第一钝化层形成的底部；移除由第二开口暴露的第二钝化层并且形成用于场板的第二通孔，第二通孔具有由第一钝化层形成的底部；移除第一光致抗蚀剂层；将第二光致抗蚀剂层施加到第一绝缘层上，第二光致抗试剂层覆盖用于场板的第二开口并且使用于栅极电极的第一开口和第一绝缘层的相邻于第一开口的区保持为未覆盖；移除由第一通孔暴露的第一钝化层并且增加第一通孔的深度以使得第一通孔具有由III族氮化物多层结构形成的底部；移除第二抗蚀剂层；将导电层沉积到第一通孔和第二通孔中。2.根据权利要求1所述的方法，其中第二抗蚀剂层使第一绝缘层的被布置成相邻于第一通孔的部分保持为暴露。3.根据权利要求1至2之一所述的方法，其中第一通孔的底部具有在50 nm和400 nm之间的宽度和/或第一通孔的底部与第二通孔之间的最小距离在50 nm和400 nm之间。4.根据权利要求1至3之一所述的方法，其中第一钝化层包括氮化硅，第二钝化层包括氧化硅，并且第一绝缘层包括氮化钛。5.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中衬底进一步包括在基于III族氮化物的层的第一主表面上的第一欧姆接触和第二欧姆接触，第一钝化层位于基于III族氮化物的层的第一主表面上并且在第一欧姆接触和第二欧姆接触之间延伸，并且第二钝化层被布置在第一钝化层上以及在第一欧姆接触上以及在第二欧姆接触上。6.根据权利要求5所述的方法，其中衬底包括被布置在第一主表面上的第一钝化层，并且所述方法进一步包括：在基于III族氮化物的层的第一主表面上形成第一欧姆接触和第二欧姆接触，使得第一欧姆接触和第二欧姆接触至少部分地延伸通过第一钝化层；利用钝化材料的第一子层覆盖第一欧姆接触和第二欧姆接触；进行平坦化以形成包括第一欧姆接触的表面、第二欧姆接触的表面和第一子层的中间平坦化表面；形成在平坦化表面上并且被布置在第一欧姆接触和第二欧姆接触上的钝化材料的第
二子层，第一子层和第二子层形成第二钝化层。7.根据权利要求5或6所述的方法，进一步包括：在第一掩模层中形成第三开口，第三开口延伸通过第一光致抗蚀剂层和第一绝缘层并且位于第二欧姆接触上方；移除在第三开口中暴露的第二钝化层并且形成具有暴露第二欧姆接触的一部分的底部的第三通孔；利用第二抗蚀剂层覆盖第三通孔，并且在移除第二抗蚀剂层之后进一步将导电材料沉积到第三通孔中；进行平坦化以形成平坦化表面，平坦化表面包括位于第一、第二和第三通孔中的导电材料的隔离区域，每个导电材料的隔离区域被第二钝化层围绕。8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在第二钝化层上以及在导电材料的隔离区域上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第三绝缘层，第二绝缘层和第三绝缘层具有不同的组分；对第三绝缘层进行结构化以形成位于第一通孔上方的第一沟槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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