阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开一种阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置。在一具体实施方式中，用于电子纸显示装置的阵列基板包括位于衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出多个像素区域，至少部分所述像素区域包括位于所述衬底上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极分别连接所述第一像素电极，所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述数据线，所述第二薄膜晶体管的第一极连接所述第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接栅线。该实施方式可降低存储电容的漏电速度，从而增加像素电极电压保持稳定的能力。保持稳定的能力。保持稳定的能力。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
更具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置。

技术介绍

[0002]电子纸显示屏，由于具有低功耗、可折叠弯曲、画面显示细腻和可视角度宽等特点而得到了快速发展。电子纸显示屏通过反射环境光线达到可视效果。
[0003]现有技术的电子纸显示屏的阵列基板中，每个像素结构均包括数据线、栅线和像素电极，所述数据线和所述栅线的交叉部分处形成有薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅极连接所述栅线，薄膜晶体管的源极连接所述数据线，薄膜晶体管的漏极连接所述像素电极。
[0004]现有技术的像素结构和公共电极所构成的结构为：像素电极包括栅线和数据线，薄膜晶体管所连接的像素电极和公共电极之间形成存储电容，当栅极电压正常打开时，栅极高电平将薄膜晶体管打开，电流经过数据线流向薄膜晶体管和像素电极；当栅极电压关闭时，薄膜晶体管的源极没有电压，漏极电压保持，此时薄膜晶体管的源极与漏极之间存在较大电压差，薄膜晶体管的漏电流较大，导致像素放电时残留的直流分量增加而引起存储电容电荷流失，像素电极电压出现衰减。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
[0006]为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：
[0007]本专利技术第一方面提供了一种阵列基板，用于电子纸显示装置，所述阵列基板包括位于衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出多个像素区域，
[0008]至少部分所述像素区域包括位于所述衬底上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极分别连接所述第一像素电极，所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述数据线，所述第二薄膜晶体管的第一极连接所述第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接栅线；
[0009]其中，所述第一像素电极、所述公共电极和所述第二像素电极依次层叠设置在所述衬底上，所述第二像素电极在所述衬底上的正投影分别与所述公共电极在所述衬底上的正投影和所述第一像素电极在所述衬底上的正投影存在交叠区域，所述第二像素电极与所述公共电极形成存储电容，所述公共电极与所述第一像素电极形成补偿电容。
[0010]本专利技术第一方面提供的阵列基板通过形成第一像素电极、公共电极和第二像素电极，既使得第二像素电极与公共电极形成存储电容，公共电极与第一像素电极形成补偿电容，可降低存储电容的漏电速度，从而增加像素电极电压保持稳定的能力；同时，第二像素电极在衬底上的正投影分别与公共电极在衬底上的正投影和第一像素电极在衬底上的正
投影存在交叠区域，可使得存储电容与补偿电容叠层设计，不占用额外平面空间，适用于高PPI产品。
[0011]可选地，所述第二像素电极在所述衬底上的正投影覆盖所述公共电极在所述衬底上的正投影，且所述第二像素电极在所述衬底上的正投影覆盖所述第一像素电极在所述衬底上的正投影。
[0012]此可选方式，可使得存储电容与补偿电容实现全重叠叠层设计，且存储电容和补偿电容的面积较大，补偿电容面积越大对漏电流的抑制效果越好，从而使得像素电极电压保持稳定的能力更好。
[0013]可选地，所述第一像素电极、所述第一薄膜晶体管的第一极、所述第二薄膜晶体管的第二极以及所述数据线同层设置，其中所述第一像素电极包括电极板形成部以及延伸部，所述延伸部延伸到所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极之间，被复用为所述第一薄膜晶体管的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极。
[0014]此可选方式，可实现第一像素电极是与数据线、第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极位于同一层，能够充分利用该层的空间，不占用额外平面空间，适用于高PPI产品。
[0015]可选地，所述阵列基板还包括：设置在所述第一像素电极所在层上方的第一绝缘层，其中所述公共电极、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述栅线同层设置在所述第一绝缘层上方。
[0016]此可选方式，可实现将第一像素电极所在层和公共电极所在层通过第一绝缘层隔开。
[0017]可选地，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极为同一栅极金属，其中所述栅极金属在所述衬底上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的沟道区和第二薄膜晶体管的沟道区在所述衬底上的正投影。
[0018]此可选方式，可将第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极设置在同一个区域内，并由栅线同时控制第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极进行打开或关断，控制方式容易实现。
[0019]可选地，所述阵列基板还包括：设置在所述公共电极所在层上方的第二绝缘层，其中所述第二像素电极设置在所述第二绝缘层上方。
[0020]此可选方式，可实现将第二像素电极所在层和公共电极所在层通过第二绝缘层隔开。
[0021]可选地，所述阵列基板还包括：形成在所述第二绝缘层中的过孔，其中所述第二像素电极通过所述过孔连接所述第二薄膜晶体管的第一极。
[0022]此可选方式，可实现将第二像素电极通过第二绝缘层中的过孔再经第一绝缘层连接到第二薄膜晶体管的源极。
[0023]本专利技术第二方面提供一种电子纸显示装置，包括如本专利技术第一方面所述的阵列基板。
[0024]本专利技术第三方面提供一种用于电子纸显示装置的阵列基板的制备方法，包括：
[0025]在衬底上形成交叉限定出多个像素区域的栅线和数据线，以及至少部分像素区域中的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极；其中，
[0026]所述至少部分像素区域被形成为包括位于所述衬底上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极分别连接所述第一像素电极，所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述数据线，所述第二薄膜晶体管的第一极连接所述第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接栅线；
[0027]其中，所述第一像素电极、所述公共电极和所述第二像素电极依次层叠设置在所述衬底上，所述第二像素电极在所述衬底上的正投影分别与所述公共电极在所述衬底上的正投影和所述第一像素电极在所述衬底上的正投影存在交叠区域，所述第二像素电极与所述公共电极形成存储电容，所述公共电极与所述第一像素电极形成补偿电容。
[0028]可选地，所述在所述衬底上形成交叉限定出多个像素区域栅线和数据线，以及至少部分像素区域中的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极包括：
[0029]利用一次构图工艺，在衬底上形成第一像素电极、第一薄膜晶体管的第一极和第二极、第二薄膜晶体管的第一极和第二极、数据线，其中所述第一像素电极包括电极板形成部以及延伸部，所述延伸部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，用于电子纸显示装置，所述阵列基板包括位于衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出多个像素区域，其特征在于，至少部分所述像素区域包括位于所述衬底上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极分别连接所述第一像素电极，所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述数据线，所述第二薄膜晶体管的第一极连接所述第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接栅线；其中，所述第一像素电极、所述公共电极和所述第二像素电极依次层叠设置在所述衬底上，所述第二像素电极在所述衬底上的正投影分别与所述公共电极在所述衬底上的正投影和所述第一像素电极在所述衬底上的正投影存在交叠区域，所述第二像素电极与所述公共电极形成存储电容，所述公共电极与所述第一像素电极形成补偿电容。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素电极在所述衬底上的正投影覆盖所述公共电极在所述衬底上的正投影，且所述第二像素电极在所述衬底上的正投影覆盖所述第一像素电极在所述衬底上的正投影。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极、所述第一薄膜晶体管的第一极、所述第二薄膜晶体管的第二极以及所述数据线同层设置，其中所述第一像素电极包括电极板形成部以及延伸部，所述延伸部延伸到所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极之间，被复用为所述第一薄膜晶体管的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述第一像素电极所在层上方的第一绝缘层，其中所述公共电极、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述栅线同层设置在所述第一绝缘层上方。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极为同一栅极金属，其中所述栅极金属在所述衬底上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的沟道区和第二薄膜晶体管的沟道区在所述衬底上的正投影。6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述公共电极所在层上方的第二绝缘层，其中所述第二像素电极设置在所述第二绝缘层上方。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：形成在所述第二绝缘层中的过孔，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨姗姗，冯玉春，胡龙敢，黄张翔，林亮珍，陈运金，欧忠星，孙茉莉，翟艳丽，冯宇，王灿，全珉赏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：