【技术实现步骤摘要】
一种防飞车的电梯安全装置
[0001]本申请涉及电梯安全与电子电路领域,具体涉及一种防飞车的电梯安全装置。
技术介绍
[0002]城市化进程加快使很多高层建筑拔地而起,我国电梯行业随之不断发展。但随着高层建筑工程的不断发展,近些年来,电梯事故开始层出不穷,电梯的“溜车”和“飞车”都是最为常见的问题。电梯出现故障的原因还有很多例如:零件接触不良,电磁干扰和变频器故障等。因此我们对电梯行业建设要求也更加严格。。因此针对以上问题,本设计基于永磁同步曳引机,设计了一种可以防飞车的电梯安装装置,在永磁同步曳引机上增加安全检测电路,极大的增强了电梯的稳定性。
[0003]如图1所示,为现有技术的差分采样电路,整体采用场效应晶体管为信号偏置、信号放大元器件,功耗低、响应快,然而场效应晶体管容易受到外界电磁信号的干扰,因此必须添加多条可手动开关的电容滤波电路,采样精度差,同时也增加了装置的成本、体积以及电路复杂性。
[0004]如图2所示,为现有技术的一种中央控制电路,采用TM32系列处理器为控制中心,外部衔接传感模块、驱动模块、开关组等,自动化程度较高,但缺乏控制系统的安全保护系统,存在较大的安全隐患。
技术实现思路
[0005](一)技术问题
[0006]1.现有技术的安全控制精度低。
[0007]2.现有技术的安全控制系统不够完善。
[0008]3.现有技术功耗较高。
[0009](二)技术方案
[0010]针对上述技术问题,本申请提出的一种防飞车的电梯安 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种防飞车的电梯安全装置,包括差分采样模块电路、阈值监测电路和核心控制电路,其特征在于:所述差分采样模块电路包括输出端口Vin,输入端口Va,放大器U1,电感L1,2个二极管D1、D2,2个功率场效应晶体管Q1、Q4,2个三极管Q2、Q3,5个电容分别为C1、C2、C3、C4、C5,14个电阻分别为R1、R2、R3、R4、R6、R7、R8、R10、R13、R16、R17、R18、R19、R21,:所述差分采样模块电路中输入端口Vin与二极管D1的正极连接,放大器U1的5号接口接地,电阻R21的一端与放大器U1的1号接口连接,电阻R21的另一端接地,电阻R13的一端与放大器U1的2号接口连接,电阻R13的另一端分别与电容C5的一端、电阻R7的一端、电阻R18的一端连接,电容C5的另一端与放大器U1的4号接口连接,电阻R7的另一端与功率场效应晶体管的源端连接,电阻R18的另一端接地,放大器U1的3号接口与高电平VCC连接,电阻R10的一端与高电平VCC连接,电阻R10的另一端与放大器U1的4号接口连接,电阻R17的一端与放大器U1的4号接口连接,电阻R17的另一端与功率场效应晶体管Q4的栅极连接,功率场效应晶体管Q4的漏端接地,功率场效应晶体管Q4的源端与三极管Q3的基极连接。电阻R19的一端与三极管Q3的发射极连接,电阻R19的另一端接地,三极管Q3的集电极与三极管Q2的基极连接,电阻R8的一端与三极管Q2的发射极连接,电阻R8的另一端与三极管Q2的基极连接。2.根据权利要求1所述的一种防飞车的电梯安全装置,其特征在于:所述差分采样模块电路包括输出端口Vin,输入端口Va,放大器U1,电感L1,2个二极管D1、D2,2个功率场效应晶体管Q1、Q4,2个三极管Q2、Q3,5个电容分别为C1、C2、C3、C4、C5,14个电阻分别为R1、R2、R3、R4、R6、R7、R8、R10、R13、R16、R17、R18、R19、R21,所述差分采样模块电路中电阻R2的一端与三极管Q2的集电极连接,电阻R2的另一端与三极管Q2的发射极连接,电阻R1的一端与二极管D1的负极连接,电阻R1的另一端与三极管Q2的发射极连接,电阻R3的一端与二极管D1的负极连接,电阻R3的另一端与三极管Q2的发射极连接,电阻R4的一端与二极管D1的负极连接,电阻R4的另一端与三极管Q2的发射极连接,三极管Q2的集电极与高电平VCC连接,电感L1的一端与高电平VCC连接,另一端与功率场效应晶体管Q1的漏端连接,电阻R6的一端与功率场效应晶体管Q1的漏端连接,电阻R6的另一端与放大器U1的1号接口连接,电容C4的一端功率场效应晶体管栅极,电容C4的另一端与功率场效应晶体管的源端连接,电容C1的一端与高电平VCC连接,电容C1的另一端接地,电容C2的一端与高电平VCC连接,电容C2的另一端接地,电容C3的一端与高电平VCC连接,电容C3的另一端接地,二极管D1的正极与三极管Q3的发射极连接,电阻R16的一端与二极管D2的负极连接,电阻R16的另一端与输入端口Va。3.根据权利要求1所述的一种防飞车的电梯安全装置,其特征在于:所述阈值监测电路包括输入端口Va,输出端口Vb,3个功率场效应晶体管分别为Q6、Q10、Q11,2个三极管Q5、Q9,4个场效应晶体管分别为Q7、Q8、Q12、Q13,9个电阻分别为R25、R26、R28、R29、R30、...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘涛,张建伟,何斌,郑达,李远斌,
申请(专利权)人:西尼机电杭州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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