半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：第一电极；第二电极；以及位于第一电极与第二电极之间电介质层叠层，该电介质层叠层包括第一反铁电层、第二反铁电层以及在第一反铁电层与第二反铁电层之间的铁电层。间的铁电层。间的铁电层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年5月18日提交的申请号为10
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2020
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0059084的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本专利技术的各种实施例总体上涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种包括反铁电材料和铁电材料两者的改进的半导体器件。

技术介绍

[0004]为了在进一步按比例缩小半导体器件中的电容器的尺寸的情况下确保足够的操作特性，必须保持足够的电容。实现此目的的一种方法包括增大电容器中采用的电介质材料的介电常数。但是，与半导体加工兼容的已知材料是有限的，因此当前的限制在于在保持有效电容的情况下按比例缩小半导体器件中的电容器的尺寸。

技术实现思路

[0005]本专利技术的实施例针对一种包括具有高介电常数的电介质层叠层(dielectric layer stack)的半导体器件。半导体器件可以包括电容器。
[0006]根据本专利技术的一个实施例，一种半导体器件包括：第一电极；第二电极；和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一电极；第二电极；以及电介质层叠层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，该电介质层叠层包括第一反铁电层、第二反铁电层以及设置在所述第一反铁电层与所述第二反铁电层之间的铁电层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一反铁电层、所述铁电层和所述第二反铁电层垂直地布置在所述第一电极与所述第二电极之间。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一反铁电层和所述第二反铁电层包括相同的反铁电材料或不同的反铁电材料。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一反铁电层、所述第二反铁电层和所述铁电层包括含有铪、锆和氧的氧化物。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一反铁电层和所述第二反铁电层包括反铁电铪锆氧化物，并且所述铁电层包括铁电铪锆氧化物。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一反铁电层和所述第二反铁电层包括锆含量大于铪含量的铪锆氧化物。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述铁电层包括其铪含量与锆含量相同的铪锆氧化物。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一反铁电层、所述第二反铁电层和所述铁电层中的每个包括铪锆氧化物，并且所述第一反铁电层和所述第二反铁电层的锆含量至少是铪含量的两倍，以及所述铁电层的铪含量与锆含量之比为1:1。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一反铁电层和所述第二反铁电层包括PbZrO3、PbHfO3、PbMgWO3、PbZrTiO3、BiNaTiO3或NaNbO3。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述铁电层包括BaTiO3、PbTiO3、BiFeO3、SrTiO3、PbMgNdO3、PbMgNbTiO3、PbZrNbTiO3、PbZrTiO3、KNbO3、LiNbO3、GeTe、LiTaO3、KNaNbO3或BaSrTiO3。11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：界面层，其设置在所述电介质层叠层与所述第二电极之间；以及附加界面层，其设置在所述第一电极与所述电介质层叠层之间。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述界面层包括先于所述电介质层叠层被还原的材料。13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述界面层和所述附加界面层包括电负性比所述第一反铁电层和所述第二反铁电层以及所述铁电层大的材料。14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述界面层和所述附加界面层包括氧化钛、氧化钽、氧化铌或氧化锡。15.一种半导体器件，包括：第一电极；第二电极；以及
交替叠层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述交替叠层包括交替...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟完柱，陈玄洙，姜世勋，任基彬，尹卿烈，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：