一种含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置制造方法及图纸

技术编号:30946189 阅读:27 留言:0更新日期:2021-11-25 19:56
本申请提供一种含氮化合物及其电子元件和电子装置,属于有机电致发光技术领域。本申请化合物将咔唑基的N原子与另一咔唑类基团的1号位连接,同时将咔唑基的苯环与三嗪类基团相连接,这种连接方式使得整个分子结构具有较好的立体构型,可以使分子结构具有更好的刚性,更高迁移率的同时提升材料T1能级,并有较低的结晶性。该含氮化合物更适合作为有机电致发光器件的混合主体中的电子型主体材料,尤其适合用于绿光器件的电子性主体材料。将本申请含氮化合物用于有机电致发光器件的发光层材料时,将有效提升器件的电子传输性能,改善器件发光效率以及使用寿命。件发光效率以及使用寿命。件发光效率以及使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置


[0001]本申请涉及有机电致发光
,具体而言,涉及一种含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展和材料科学的进步,用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。该类电子元器件通常包括相对设置的阴极和阳极,以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成,且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。以有机电致发光器件为例,其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的电致发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时,两电极产生电场,在电场的作用下,阴极侧的电子向电致发光层移动,阳极侧的空穴也向发光层移动,电子和空穴在电致发光层结合形成激子,激子处于激发态向外释放能量,进而使得电致发光层对外发光现有技术中。
[0003]现有技术文献也对此进行了研究,例如:专利文献WO2019096717A2;US20180166634A1;KR101904669B1;CN107652295A等公开了可以在有机电致发光器件中制备发光主体材料。然而,依然有必要继续研发新型的材料,以进一步提高电子元器件的性能。
[0004]需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于克服上述现有技术中的不足,提供一种含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置,可提高发光效率,延长器件寿命。
[0006]为实现上述专利技术目的,本申请采用如下技术方案:
[0007]根据本申请的第一个方面,提供了一种含氮化合物,所述含氮化合物的结构通式如式1所示:
[0008][0009]其中,Ar1和Ar2相同或不同,且分别独立地选自碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基;
[0010]Ar3选自碳原子数为6~15的取代或未取代的芳基;
[0011]所述Ar3中的取代基选自氘、卤素基团、氰基、苯基;
[0012]L1和L2相同或不同,且分别独立地选自单键、碳原子数为6~30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的亚杂芳基;
[0013]所述Ar1、Ar2、L1、L2中的取代基相同或不同,且分别独立地选自氘,卤素基团,氰基,碳原子数为3~20的杂芳基,任选地被0、1、2、3、4或5个独立选自氘、氟、氰基、甲基、叔丁基的取代基所取代的碳原子数为6~20的芳基,碳原子数为3~12的三烷基硅基,碳原子数为18~24的三芳基硅基,碳原子数为1~10的烷基,碳原子数为1~10的卤代烷基,碳原子数为2~6的烯基,碳原子数为2~6的炔基,碳原子数为3~10的环烷基,碳原子数为2~10的杂环烷基、碳原子数为5~10的环烯基,碳原子数为4~10的杂环烯基,碳原子数为1~10的烷氧基,碳原子数为1~10的烷硫基,碳原子数为6~18的芳氧基,碳原子数为6~18的芳硫基,碳原子数为6~18的膦氧基。
[0014]本申请提供的含氮化合物,将咔唑基的N原子与另一咔唑类基团的1号位连接,同时将咔唑基的苯环与三嗪类基团相连接,这种连接方式使得整个分子结构具有较好的立体构型,可以使分子结构具有更好的刚性,更高迁移率的同时提升材料T1能级,并有较低的结晶性。该含氮化合物更适合作为有机电致发光器件的混合主体中的电子型主体材料,尤其适合用于绿光器件的电子性主体材料。将本申请含氮化合物用于有机电致发光器件的发光层材料时,将有效提升器件的电子传输性能,改善器件发光效率以及使用寿命。
[0015]根据本申请的第二个方面,提供一种电子元件,包括阳极、阴极、以及介于阳极与阴极之间的至少一层功能层,功能层包含上述的含氮化合物。
[0016]根据本申请的第三个方面,提供一种电子装置,包括上述的电子元件。
[0017]应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。
附图说明
[0018]附图是用来提供对本申请的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本申请,但并不构成对本申请的限制。
[0019]在附图中:
[0020]图1是本申请的有机电致发光器件的一实施方式的结构示意图。
[0021]图2是本申请一实施方式的电子装置的结构示意图。
[0022]图3是本申请化合物14的分子结构模型图。
[0023]图4是本申请比较例化合物C的分子结构模型图。
[0024]附图标记说明
[0025]100、阳极;200、阴极;300、功能层;310、空穴注入层;320、空穴传输层;330、空穴调整层;340、有机电致发光层;350、电子传输层;360、电子注入层;400、电子装置。
具体实施方式
[0026]现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而,示例实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整,并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。
[0027]在图中,为了清晰,可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
[0028]所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本申请的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本申请的主要技术创意。
[0029]本申请提供了一种含氮化合物,该含氮化合物的结构通式如式1所示:
[0030][0031]其中,Ar1和Ar2相同或不同,且分别独立地选自碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基;
[0032]Ar3选自碳原子数为6~15的取代或未取代的芳基;
[0033]所述Ar3的取代基选自氘、卤素基团、氰基、苯基;
[0034]L1和L2相同或不同,且分别独立地选自单键、碳原子数为6~30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的亚杂芳基;
[0035]所述Ar1、Ar2、L1、L2中的取代基相同或不同,且分别独立地选自氘,卤素基团,氰基,碳原子数为3~20的杂芳基,任选地被0、1、2、3、4或5个独立选自氘、氟、氰基、甲基、叔丁基的取代基所取代的碳原子数为6~20的芳基,碳原子数为3~12的三烷本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含氮化合物,其特征在于,所述含氮化合物的结构通式如式1所示:其中,Ar1和Ar2相同或不同,且分别独立地选自碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基;Ar3选自碳原子数为6~15的取代或未取代的芳基;所述Ar3中的取代基选自氘、卤素基团、氰基、苯基;L1和L2相同或不同,且分别独立地选自单键、碳原子数为6~30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的亚杂芳基;所述Ar1、Ar2、L1、L2中的取代基相同或不同,且分别独立地选自氘,卤素基团,氰基,碳原子数为3~20的杂芳基,任选地被0、1、2、3、4或5个独立选自氘、氟、氰基、甲基、叔丁基的取代基所取代的碳原子数为6~20的芳基,碳原子数为3~12的三烷基硅基,碳原子数为18~24的三芳基硅基,碳原子数为1~10的烷基,碳原子数为1~10的卤代烷基,碳原子数为2~6的烯基,碳原子数为2~6的炔基,碳原子数为3~10的环烷基,碳原子数为2~10的杂环烷基、碳原子数为5~10的环烯基,碳原子数为4~10的杂环烯基,碳原子数为1~10的烷氧基,碳原子数为1~10的烷硫基,碳原子数为6~18的芳氧基,碳原子数为6~18的芳硫基,碳原子数为6~18的膦氧基。2.根据权利要求1所述的含氮化合物,其特征在于,所述L1和L2分别独立地选自单键、碳原子数为6~15的取代或未取代的亚芳基、或者碳原子数为5~12的取代或未取代的亚杂芳基;优选地,所述L1和L2中的取代基分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6~12的芳基、碳原子数为1~5的烷基。3.根据权利要求1所述的含氮化合物,其特征在于,所述L1和L2分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基;优选地,所述L1和L2的取代基分别独立地选自...

【专利技术属性】
技术研发人员:马天天藏研南朋
申请(专利权)人:陕西莱特光电材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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