具有混合的硅上III-V族调制器的光学架构制造技术

实施例可以涉及一种电子设备，该电子设备包括用于调制输入信号的同相部分和输入信号的正交部分的调制器。调制器可以包括在硅衬底上的III

【技术实现步骤摘要】
具有混合的硅上III
‑
V族调制器的光学架构

技术介绍

[0001]基于各自具有高达100Gb/s的四个通道的相位
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幅度调制(PAM)
‑
4调制方案，基于硅光子的高速调制器可能能够支持高达400千兆字节每秒(GB/s)。在一致性应用的情况下，硅光子调制器可能能够支持高达64千兆波特(GBaud)和64个正交
‑
幅度调制(QAM)高阶调制，因此，使用一致性数字信号处理器(DSP)来支持高达600Gb/s每通道。
[0002]然而，基于硅光子的调制器可以在诸如相对高的半波电压(V
pi
)之类的区域中包括固有限制。例如，V
pi
可以在2伏(V)和5V之间的量级上。针对直接的PAM
‑
4和QAM
‑
64应用二者，硅光子调制器还可以具有大约20千兆赫兹(p)和大约40GHz之间的量级上的带宽。因此，可能难以产生低功率和高波特率的设备用于太字节每秒(Tb/s)的量级上的操作。
附图说明
[0003]图1描绘了根据各本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，包括：信号输入，其用于提供输入信号；分离器，其用于将所述输入信号分离成所述输入信号的同相部分和所述输入信号的正交部分；调制器，其用于调制所述输入信号的同相部分和所述输入信号的正交部分，以分别产生所述输入信号的经调制的同相部分和所述输入信号的经调制的正交部分，其中，所述调制器包括在硅衬底上的III
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V族材料；以及耦合器，其用于将所述输入信号的经调制的同相部分和所述输入信号的经调制的正交部分耦合以形成输出信号。2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述III
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V族材料包括磷化铟(InP)。3.根据权利要求1所述的电子设备，进一步包括与所述调制器通信地耦合的放大器。4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述放大器用于放大所述输入信号、所述输入信号的同相部分、或所述输入信号的正交部分。5.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述放大器用于放大所述输入信号的经调制的同相部分、所述输入信号的经调制的正交部分、或所述输出信号。6.根据权利要求1
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5中的任一项所述的电子设备，其中，所述输入信号是第一输入信号，并且所述电子设备进一步包括：第二信号输入，其用于提供第二输入信号；第二分离器，其用于将所述第二输入信号分离成所述第二输入信号的同相部分和所述第二输入信号的正交部分；以及其中，所述调制器用于调制所述第二输入信号的同相部分和所述第二输入信号的正交部分。7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述第一输入信号是光学信号的第一偏振，并且所述第二输入信号是所述光学信号的第二偏振。8.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述电子设备进一步包括：与所述耦合器通信地耦合的偏振旋转器和光束组合器(PRBC)。9.一种电子设备，包括：分离器，其用于将输入信号分离成同相部分和正交部分；调制器，其用于调制所述输入信号的同相部分以产生经调制的同相部分，其中，所述调制器包括在硅波导上的磷化铟(InP)；以及耦合器，其用于耦合所述输入信号的经调制的同相部分和经调制的正交部分以产生输出信号。10.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述调制器是Mach
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Ze...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：