一种可抑制非线性电容的功率半导体结构制造技术

技术编号:30922890 阅读:30 留言:0更新日期:2021-11-23 00:17
本实用新型专利技术涉及电容技术领域,且公开了一种可抑制非线性电容的功率半导体结构,包括电容功率半导体本体和多个导电插针,多个导电插针的外壁共同活动套接有连接板,连接板的上表面与电容功率半导体本体的下表面固定连接,连接板的上表面开设有与导电插针外壁相配合的圆孔,多个导电插针的杆壁活动套接有限位套,限位套的上表面与连接板的下表面固定连接,连接板的上表面活动连接有连接筒,连接筒的上表面固定连接有顶盖,连接筒的下表面固定连接有铁片。本实用新型专利技术能够有效提高电容功率半导体结构的防护能力,并保障其工作的安全性和可靠性,以及使电容功率半导体结构具有灭火功能,并能够避免造成较大经济损失的情况。并能够避免造成较大经济损失的情况。并能够避免造成较大经济损失的情况。

【技术实现步骤摘要】
一种可抑制非线性电容的功率半导体结构


[0001]本技术涉及电容
,尤其涉及一种可抑制非线性电容的功率半导体结构。

技术介绍

[0002]可抑制非线性电容的功率半导体结构通常为功率半导体器件,功率半导体器件是不断发展的功率电子系统的内在驱动力,尤其在节约能源、动态控制、噪音减少等方面,在过去的三十年里,功率器件取得了飞跃式的发展,特别是功率金属氧化物半导体场效应管,为了拓宽其应用领域,满足低功耗需求,必须有效的降低导通损耗与开关损耗,检索授权公众号CN210073858U一种可抑制非线性电容的功率半导体器件可知,可抑制非线性电容的功率半导体结构一般由漏极金属层、N型衬底、N型外延层、沟槽、场氧层、屏蔽栅、栅极、接触孔、P型体区、N型源区、绝缘介质层和源极金属层组成。
[0003]现有的电容功率半导体器件的导电插针容易弯曲,甚至会触碰发生短路,影响电容功率半导体器件工作的安全性和可靠性,以及电容功率半导体器件防护能力较差,若发生爆炸起火的时候火势容易扩散到其他器件上,并会造成较大的经济损失。

技术实现思路
r/>[0004]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可抑制非线性电容的功率半导体结构,包括电容功率半导体本体(1)和多个导电插针(2),其特征在于,多个所述导电插针(2)的外壁共同活动套接有连接板(3),所述连接板(3)的上表面与电容功率半导体本体(1)的下表面固定连接,所述连接板(3)的上表面开设有与导电插针(2)外壁相配合的圆孔,多个所述导电插针(2)的杆壁活动套接有限位套(4),所述限位套(4)的上表面与连接板(3)的下表面固定连接,所述连接板(3)的上表面活动连接有连接筒(5),所述连接筒(5)的上表面固定连接有顶盖(7),所述连接筒(5)的下表面固定连接有铁片(6),所述铁片(6)的下表面穿过连接板(3)的下表面,所述连接板(3)的上表面开设有多组对称分布的固定孔(8),所述顶盖(7)的内壁固定连接有防护机构(9)。2.根据权利要求1所述的一种可抑制非线性电容的功率半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑裕玲周琦王亚宁
申请(专利权)人:陕西斯凯迪物联科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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