【技术实现步骤摘要】
一种电阻法碳化硅长晶设备
[0001]本技术属于碳化硅制备设备
,具体为一种电阻法碳化硅长晶设备。
技术介绍
[0002]碳化硅晶体结晶工艺就是将高纯碳化硅原料在坩埚中升华,气化,在特定籽晶上重新完成结晶、扩径和退火处理等程序最终得到碳化硅晶体;现有的碳化硅结晶设备的坩埚稳定性差,长晶过程中易发生移动,一旦坩埚在使用过程中发生移动,极易导致坩埚内的温场不均匀,严重影响碳化硅晶体的质量。
技术实现思路
[0003]针对现有技术存在的不足,本技术目的是提供一种电阻法碳化硅长晶设备,以解决上述
技术介绍
中提出的问题,以提高坩埚的稳定性,提高长晶质量。
[0004]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种电阻法碳化硅长晶设备,包括工作台,所述工作台上设有罐体,所述罐体内部有腔体槽,所述腔体槽内通过减震弹簧固定连接有托盘,所述托盘内设有坩埚,所述坩埚通过限位组件与所述罐体连接,所述限位组件用于增加所述坩埚的稳定性,其中,所述限位组件包括抱紧环、第一限位杆、限位滑槽、第一限位筒、限位块、限位卡环和复位弹簧,所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电阻法碳化硅长晶设备,包括工作台(1),所述工作台(1)上设有罐体(2),所述罐体(2)内部有腔体槽(3),其特征在于,所述腔体槽(3)内通过减震弹簧(4)固定连接有托盘(5),所述托盘(5)内设有坩埚(6),所述坩埚(6)通过限位组件(7)与所述罐体(2)连接,所述限位组件(7)用于增加所述坩埚(6)的稳定性,其中,所述限位组件(7)包括抱紧环(701)、第一限位杆(702)、限位滑槽(703)、第一限位筒(704)、限位块(705)、限位卡环(706)和复位弹簧(707),所述抱紧环(701)与第一限位杆(702)固定连接,所述第一限位杆(702)上开设有限位滑槽(703),所述第一限位筒(704)内部固定连接有限位块(705)、外部固定连接有限位卡环(706),所述复位弹簧(707)一端固定连接在第一限位杆(702)上、另一端固定连接在第一限位筒(704)的内顶端,所述限位块(705)与所述限位滑槽(703)相适配,所述罐体(2)内壁上设有卡槽(201),所述卡槽(201)与所述第一限位筒(704)相适配。2.根据权利要求1所述的一种电阻法碳化硅长晶设备,其特征在于,所述限位组件(7)为两个,对称设置。3.根据权利要求1所述的一种电阻法碳化硅长晶设备,其特征在于,所述托盘(5)的内径比所述坩埚(6)的外径大2~4毫米。4.根据权利要求1所述的一种电阻法碳化硅长晶设备,其特征在于,所述抱紧环(701)与所述坩埚(6)接触的面上设有绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈建明,姜树炎,刘春艳,周元辉,杨洪雨,
申请(专利权)人:苏州优晶光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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