【技术实现步骤摘要】
一种用于扇出型封装的被动元件及其制备方法、扇出型封装方法
[0001]本专利技术属于集成电路封装
，尤其涉及一种用于扇出型封装的被动元件及其制备方法、扇出型封装方法。
技术介绍
[0002]随着集成电路封装集成化的不断发展，越来越多的被动元件，包括电阻、电容、电感、天线，被要求封装到单个的封装体单元内。在传统的引线框架和有机基板类型的封装结构中，被动元件可以直接贴装到引线框架和有机基板上，再使用塑封材料将其包封到封装体单元内。
[0003]图1为被动元件的结构示意图，参考图1，常规被动元件包括被动元件本体10、被动元件本体10上设有焊接点20，焊接点20以铜作为底材料，采用电镀方式在铜表面沉积一层镍层30，再沉积一层锡层40（或锡银，或锡铅）。在扇出型封装工艺中，在将集成电路芯片和被动元件包封到封装体内部后，需要进行多个高温工艺过程，如溅射、烘烤固化、回流焊接，这些高温工艺过程会熔化被动元件焊点上的焊锡，导致封装结构被破坏、无法进行后续封装工艺，熔化的焊锡也会加快焊接材料之间的互扩散，影响封装结构的可靠性。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于扇出型封装的被动元件，其特征在于，包括被动元件本体，被动元件本体上设有能够在扇出型封装工艺中与重布线层直接接触的铜制焊接点，所述铜制焊接点外无其他金属层。2.根据权利要求1所述的用于扇出型封装的被动元件，其特征在于，还包括铜制焊接点外自然生成的氧化铜。3.一种集成电路扇出型封装结构，包含如权利要求1所述的用于扇出型封装的被动元件，其特征在于，还包括芯片、塑封层、重布线层及焊球，重布线层设在芯片及被动元件正面，所述重布线层与芯片连接，所述重布线层与被动元件的铜制焊接点直接接触，芯片与被动元件的背面、芯片与被动元件之间均填充有塑封层，所述焊球设置在重布线层的开口位置处。4.一种集成电路扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将芯片、权利要求1或2所述的用于扇出型封装的被动元件贴装在载板表面，载板与芯片、被动元件之间设置有键合层；步骤二：在载板表面贴装有芯片、被动元件的一侧形成塑封层，所述塑封层至少覆盖芯片及被动元件表面；步骤三：去除载板及键合层；采用等离子刻蚀去除被动元件表面裸露于外部的氧化铜；步骤四：在芯片及被动元件的正面制备重布线层，重布...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘明东，张中，陈益新，徐海，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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