【技术实现步骤摘要】
一种忆阻器状态读取电路
[0001]本技术涉及忆阻器读写
，尤其涉及一种忆阻器状态读取电路。
技术介绍
[0002]1971年，华裔科学家蔡少棠教授提出了忆阻器的概念，然而，在提出概念之后的三十几年里，研究者们对忆阻器的研究进展缓慢。直到2008年，惠普实验室制备出世界上首个纳米尺寸的忆阻器元件，立即引起了众多学者和工程师们的浓厚兴趣，忆阻器成为了研究的新热点。
[0003]因此，当前研究中，越来越多的学者将忆阻元件应用于电路设计，尤其是信息存储及逻辑运算等领域。然而，目前忆阻器的读写对电路要求比较高，限制了忆阻器在实际中的应用。
[0004]故，针对现有技术的缺陷，实有必要提出一种技术方案以解决现有技术存在的技术问题。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，确有必要提供一种忆阻器状态读取电路，能够以更为简单的电路结构实现忆阻器状态的读取。
[0006]为了解决现有技术存在的技术问题，本技术的技术方案如下：
[0007]一种忆阻器状态读取电路，该读取电路并接在忆阻器两端，其在忆...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种忆阻器状态读取电路，其特征在于，该读取电路并接在忆阻器两端，其在忆阻器的一端产生激励信号，并在忆阻器的另一端读取输出状态以此获取忆阻器的状态；所述读取电路至少包括第一电阻R1、激励模块和状态获取模块，其中，激励模块与忆阻器的一端相连接，用于向忆阻器输出电压信号；忆阻器的另一端与第一电阻R1的一端相连接作为状态输出端，第一电阻R1的另一端接地；状态获取模块与状态输出端相连接，用于获取状态输出端的电压状态并以此获取忆阻器的状态。2.根据权利要求1所述的忆阻器状态读取电路，其特征在于，所述状态获取模块采用比较器实现，比较器的两个输...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴建锋，周明娟，赵文静，阮越，蒋燕君，尉理哲，徐振宇，叶芳芳，江俊，许森，王金铭，吕何新，王章权，
申请(专利权)人：浙江树人学院浙江树人大学，
类型：新型
国别省市：
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