【技术实现步骤摘要】
校准非易失性存储器读取阈值
技术介绍
[0001]随着NAND存储器单元存储技术从每存储器单元一位(单层单元SLC)进展到多层、三层和四层操作(每个存储器单元分别存储两位、三位和四位数据)，在电压范围(也称为Vt窗口)内定义的存储器状态的数量以指数方式增加。当使用存储器单元的非易失性存储器设备时，存储器状态可随时间推移而移位到较高阈值电压或较低阈值电压。此外，存储器状态可扩展加宽并与相邻存储器状态重叠。可在制造非易失性存储器设备时以及之后多次执行读取扫描操作(也称为读取电平校准)，以便确定合适的电压阈值以将存储器状态彼此区分并提供准确的读取操作。
[0002]然而，随着存储器管芯中的存储器单元数量以及每个单元存储的数据量(TLC、MLC、QLC、PLC)增加，读取扫描操作可能成为耗时的过程。可响应于环境变化(诸如温度波动或高设备使用率)来执行读取电平校准，并且读取电平校准可在存储器状态之间区分较窄和较窄的边际值。因此，需要更快且更有效的读取扫描操作。
技术实现思路
[0003]本公开涉及用于改进的读取扫描操作(也称为读取电平校...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在具有多个存储器单元的存储器上执行读取扫描操作的方法，所述方法包括：以第一候选读取电平扫描第一读取电平窗口，所述第一候选读取电平相对于所述第一读取电平窗口内的其他候选读取电平激活最少数量的存储器单元，所述第一读取电平窗口被配置为测试两个相邻存储器状态之间的读取电平；基于所述两个相邻存储器状态中的至少一个存储器状态和与第二读取电平窗口相关联的一个或多个其他相邻存储器状态之间的相关性，以第二候选读取电平配置所述第二读取电平窗口；以第二候选读取电平扫描所述第二读取电平窗口，所述第二候选读取电平相对于所述第二读取电平窗口内的其他候选读取电平激活所述最少数量的存储器单元；以及将读取操作配置为使用所述第一候选读取电平和所述第二候选读取电平。2.根据权利要求1所述的方法，其中配置所述第二读取电平窗口包括：通过基于所述两个相邻存储器状态中的一个存储器状态的标识符搜索相关性数据结构来确定相关性因子；将所述相关性因子应用于所述第二读取电平窗口，使得所述相关性影响所述第二读取电平窗口的候选读取电平。3.根据权利要求2所述的方法，其中应用所述相关性因子包括将所述第二读取电平窗口的候选读取电平乘以所述相关性因子，使得所述候选读取电平说明所述相关性因子。4.根据权利要求2所述的方法，其中应用所述相关性因子包括改变所述第二读取电平窗口的所述候选读取电平的预定义顺序，使得说明所述相关性的候选读取电平先于其他候选读取电平用于所述扫描。5.根据权利要求1所述的方法，其中所配置的第二读取电平窗口包括比所述第一读取电平窗口更少的候选读取电平。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述相关性包括第一存储器状态和第二存储器状态之间的正相关性。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述相关性包括第一存储器状态和第二存储器状态之间的负相关性。8.根据权利要求1所述的方法，其中扫描所述第一读取电平窗口包括：以预定义顺序测试所述第一候选读取电平和所述第二候选读取电平；以及响应于所述第二候选读取电平比所述第一候选读取电平激活更多存储器单元，将所述第一候选读取电平指定为所述第一读取电平。9.根据权利要求1所述的方法，其中扫描所述第二读取电平窗口还包括以预定义顺序迭代地测试候选读取电平，并且其中配置所述第二读取电平窗口包括基于所述相关性改变所述预定义顺序。10.根据权利要求9所述的方法，其中改变所述预定义顺序包括响应于所述第二候选读取电平相对于所述第二读取电平窗口内的其他候选读取电平激活所述最少数量的存储器单元，跳过迭代地测试第一候选读取电平，所述第二候选读取电平基于所述相关性确定。11.根据权利要求1所述的方法，还包括响应于来自所述两个相邻存储器状态的第一存储器状态和来自与所述第二读取电平窗口相关联的所述其他相邻存储器状态的第二存储器状态具有稳定相关性，基于所述第一存储器状态和所述第二存储器状态确定所述相关
性。12.一种装置，包括：存储器单元的三维存储器阵列；和读取扫描电路，所述读取扫描电路被配置为：使用第一组候选读取电平迭代地感测一组存储器单元，直到候选读取电平相对于所述第一组候选读取电平内的其他候选读取电平激活最少数量的存储器单元；基于激活所述最少数量的存储器单元的所述候选读取电平，确定第一存储器状态的第一读取电平；检索所述第一存储器状态和第二存储器状态之间的相关...
【专利技术属性】
技术研发人员：D阿拉罕，A巴扎斯基，R费因布拉特，D罗兹曼，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：
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