光罩缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质及芯片制造方法及图纸

本申请公开了一种光罩缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质及芯片，属于半导体技术领域，其中，光罩缺陷检测方法包括：获取光罩的生产级电子束曝光系统文件；检测生产级电子束曝光系统文件中任意图案的标识，得到基准图案；调用生产级电子束曝光系统的异或运算功能，对比待检测图案与基准图案是否相同，待检测图案为与基准图案重复的图案。该方法实现了光罩缺陷的自动化检测，能够节省人力成本，并且该检测方法结果准确。且该检测方法结果准确。且该检测方法结果准确。

【技术实现步骤摘要】
光罩缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质及芯片


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种光罩缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质及芯片。

技术介绍

[0002]光罩，也叫光掩膜版，英文名字叫Mask，是一种由石英为材料制成的，可以用在半导体曝光制程上的母版。
[0003]就现有的半导体元件制造技术来说，半导体元件的电路图案是通过光罩将电路图案转印至晶圆的表面上形成的。
[0004]在半导体制造过程中，光罩的缺陷检测工艺流程是必不可少的环节，目前的光罩检测方式均是人工检测，费时费力。

技术实现思路

[0005]本申请的目的是提供一种光罩缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质及芯片以至少解决现有光罩缺陷检测费时费力的问题。
[0006]本申请的技术方案如下：
[0007]根据本申请实施例的第一方面，提供一种光罩缺陷检测方法，该方法可以包括：获取光罩的生产级电子束曝光系统文件；检测生产级电子束曝光系统文件中任意图案的标识，得到基准图案；调用生产级电子束曝光系统的异或运算功能，对比待检测图案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光罩缺陷检测方法，其特征在于，包括：获取光罩的生产级电子束曝光系统文件；检测所述生产级电子束曝光系统文件中任意图案的标识，得到基准图案；调用生产级电子束曝光系统的异或运算功能，对比待检测图案与所述基准图案是否相同，所述待检测图案为与所述基准图案重复的图案。2.根据权利要求1所述的光罩缺陷检测方法，其特征在于，所述调用生产级电子束曝光系统的异或运算功能，对比待检测图案与所述基准图案是否相同，包括：获取所述光罩的图案坐标书；将所述图案坐标书导入所述生产级电子束曝光系统；将基准坐标定位于所述基准图案，将运算坐标定位于待检测图案，调用所述生产级电子束曝光系统的异或运算功能进行异或运算，对比待检测图案与所述基准图案是否相同。3.根据权利要求2所述的光罩缺陷检测方法，其特征在于，所述将基准坐标定位于所述基准图案，将运算坐标定位于待检测图案，包括：将基准坐标基于坐标原点向外延伸预设距离形成基准坐标区域；将所述基准坐标区域定位于所述基准图案；将运算坐标基于坐标原点向外延伸预设距离形成运算坐标区域；将所述运算坐标区域定位于所述待检测图案。4.根据权利要求2所述的光罩缺陷检测方法，其特征在于，所述对比待检测图案与所述基准图案是否相同，具体为：将所述待检测图案的每个标识与所述基准图案对应的标识进行相减。5.根据权利要求1
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4任一项所述的光罩缺陷检测方法，其特征在于，在所述获取光罩的生产级电子束曝光系统文件之前，所述光罩缺陷检测方法还包括：获取所述光罩的图形数据流文件，并将所述图形数据流文件转换为所述生产级电子束曝光系统文件。6.根据权利要求1
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4任一项所述的光罩缺陷检测方法，其特征在于，在所述对比待检测图案与所述基准图案是否相同之后，所述光罩缺陷检测方法还包括：若异或运算结果为0，确定所述光罩为正常光罩，发出无异常提示。7.根据权利要求1
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4任一项所述的光罩缺陷检测方法，其特征在于，在所述对比待检测图案与所述基准图案是否相同之后，所述光罩缺陷检测方法还包括：若异或运算结果为1，确定所述光罩为异常光罩，发出异常提示。8.一种光罩缺陷检测装置，其特征在于，包括：获取模块，用于获取光罩的生产级电子束曝光系统文件；基准图案确定模块，用于检测所述生产级电子束曝光系统文件中任意图案的标识，得到基准图案；对比检测模块，用于调用生产级电子束曝光系统的异或运算功能，对比待检测图案与所述基准图案是否相同，所述待检测图案为与所述基准图案重复的图案。9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李树平，宋文康，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：