【技术实现步骤摘要】
像素结构、阵列基板和显示面板
[0001]本申请涉及显示
,特别涉及一种像素结构、阵列基板和显示面板。
技术介绍
[0002]TFT
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LCD(Thin Film Transistor
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Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)有多种常用的显示模式,如TN(Twisted Nematic,扭转向列)显示模式、VA(Vertically Alignment,垂直配向)显示模式、FFS(Fringe Field Switching,边缘场转换)显示模式,以及IPS(In
‑
Plane Switching,面内转换)显示模式等。其中,VA模式相对于其他显示模式具有更好的暗态表现,对比度更好,但其视野角度相对较差。
[0003]目前常使用将像素分为多个畴(Domain)的方式来提升VA显示的视角,如8domain、4domain。4domain的形成方式通常为在像素电极上形成狭缝、在彩膜基板上形成凸起,液晶分子在未施加电压时可具有朝不同方 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.像素结构,包括多个扫描线、多个数据线和多个像素单元,所述扫描线和所述数据线限定出多个像素区,所述像素区包括主像素区和副像素区,所述像素单元包括主像素单元和副像素单元;其特征在于,还包括多个副驱动线,所述数据线与所述副驱动线平行且间隔排列;所述主像素单元包括设于所述主像素区的主像素电极和主薄膜晶体管,所述主薄膜晶体管具有第一栅极、第一源极和第一漏极,所述第一栅极连接所述扫描线,所述第一源极连接所述数据线,所述第一漏极连接所述主像素电极;所述副像素单元包括设于所述副像素区的副像素电极和副薄膜晶体管,所述副薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极和第二漏极,所述第二栅极连接所述第一漏极,所述第二源极连接所述副驱动线,所述第二漏极连接所述副像素电极。2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述主像素区和所述副像素区分别位于所述扫描线的两侧,所述第一栅极和所述第二栅极分别位于所述扫描线的两侧。3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括多条公共电极线,所述公共电极线平行于所述扫描线且设于相邻两条所述扫描线之间;所述主像素电极与所述公共电极线部分重合并形成存储电容。4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述主像素区和所述副像素区位于所述扫描线的同一侧,所述第一栅极和所述第二栅极位于所述扫描线的同一侧。5.如权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述主像素电极和所述副像素电极位于所述数据线和相邻...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒲洋,刘振,洪文进,许哲豪,袁海江,
申请(专利权)人:惠科股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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