用于在内存阵列的特定行附近界定备用范围的方法及系统技术方案

一种在包含多行的内存单元的一内存阵列中的内存备用方法（６００），该方法包含下列步骤：（６１０）识别该内存阵列的一特定行；（６２０）选择其中包含该特定行的一组相邻行，而界定一备用范围，该步骤的特征在于根据被耦合到该内存阵列的一 备用阵列中的行数而决定该组中的行数，其中该组的选择方式为使在该特定行的一端上有至少第一行且在该特定行的另一端上有至少第二行；以及（６３０）烧录该第一行中的各内存单元及该第二行中的各内存单元。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大致有关内存阵列。更具体而言，本专利技术有关一种内存备用机制。
技术介绍
典型内存阵列的架构是此项技术中现有的。一般而言，一内存阵列包含配置成若干列及行的一些线。通常将该阵列的该等列称为字线，并将该等行称为位线。字线及位线在可称为节点的点上重叠。内存单元是位于每一节点上，或位于接近每一节点处，而内存单元通常是某一类型的晶体管。在一虚拟接地(virtual ground)架构中，可根据是在对内存单元进行烧录验证或读取，而将一位线用来作为该晶体管(内存单元)的一源极或漏极线。为了简化讨论，“读取”可意指一读取作业或一烧录验证作业。先前技术的图1标出了一内存阵列(5)的一部分。为了简化附图，只示出内存阵列(5)的各行位线。此外，只示出了内存阵列(5)的两个区块(区块0及区块1)；我们当了解，一传统的内存阵列中通常有两个以上的区块。可将这些组的区块称为输入/输出(I/O)区块，或简单地称为“I/O”。一般而言，一I/O包含耦合到(例如，被选通到)单一I/O垫或埠的某一数目的行。在一种类型的传统内存阵列中，每一区块或I/O有32行(N＝32)。请注意，先前技术的图1所示的该等行是“金属-2(metal-2)”位线。每一metal-2位线是与两条“金属-1(metal-1)”位线相关联。例如，当N＝32时，对于每一I/O共有64条metal-1位线，且内存阵列(5)可在每一I/O的每一字线中存储64位的信息。诸如metal-1位线及metal-2位线等术语的使用是此项技术中现有的。当读取所选择的一内存单元时，是将核心电压施加到与该内存单元对应的字线，并将与该内存单元对应的位线连接到一负载(例如一叠接级或叠接放大器)。在一使用虚拟接地架构的内存阵列中，字线上的所有内存单元都接收到该核心电压。因而可能沿着该字线诱发一漏电流或误差电流，而实际上造成该字线上的该等内存单元间的不必要的相互影响。如果该漏电流够大，则可能在读取所选择的内存单元时造成一错误。为了尽量减小一字线上的各内存单元间的相互影响，且为了减少读取时的错误，而使用了一种一般称为预充电(precharging)的技术。预充电工作时是将对应于正在被读取的内存单元的行的下一行充电(施加一电气负载)。如果漏极节点及预充电节点大约有相同的电压，则该预充电有减小漏电流的效果。请参阅先前技术的图1，例如，为了要读取第1行上的一内存单元，是将一预充电电压耦合到第2行。在该先前技术中，可将内存阵列(5)耦合到一备用阵列(图中未示出)。该备用阵列本质上系列数与内存阵列(5)相同，但行数较少的另一内存区块。备用阵列的行数通常小于一区块或I/O的行数，但并不一定就是此种情形。为了简化如何采用一备用阵列的讨论，将使用备用阵列中的行数小于一区块中的行数的一个例子。对内存阵列(5)的测试可能指示无法正确地读取沿着该内存阵列的其中一行的内存单元。例如，在制造期间可能已将诸如短路接地等的一缺陷列入该行。是将该备用阵列用来作为有缺陷的行以及包含有缺陷的行的区块中的其它行的替代物。可将内存阵列(5)中用该备用阵列取代的该等行称为“备用范围”(“redundancy window”)。先前技术的图1中举例示出一备用范围(6)。根据该例子，备用范围(6)是固定于一定的位置，且包含小于区块1中的行数的某一数目的行。此时并不将数据写到备用范围(6)中的该等行，也不自备用范围(6)中的该等行读取数据，而是将数据写到该备用阵列且自该备用阵列读取数据。因此，并不烧录备用范围(6)中的内存单元。在重复地抹除内存阵列(5)之后，前文所述的备用机制可能会发生问题。当抹除内存的一区段(sector)时，抹除了该区段中所有的内存单元。“Y-选择(Y-select)”译码是所有I/O共同的；譬如，当抹除区块1时，也抹除了备用范围(6)中的内存单元。因此，继续上述的例子，纵使不曾烧录过备用范围(6)中的该等内存单元，也会抹除这些于备用范围(6)中的内存单元。因此，备用范围(6)中的该等内存单元会变为“被过度抹除”。在过度抹除的情形下，备用范围(6)中的该等内存单元的电阻减小，因而增加了这些内存单元的漏电流(误差电流)。此种漏电流的增加又可能影响到对邻近备用范围(6)的各行中的内存单元的读取，尤其可能影响到对邻接备用范围(6)的内存单元(例如，第N-1行中的那些内存单元)的读取。例如，与第N行相关联的漏电流可能较大；当对第N行施加预充电时，该预充电可能大到足以补偿该漏电流，因而在读取第N-1行时可能或造成错误。因此，一种可消除或减少在读取邻近备用范围的内存单元时的错误的备用机制将是对传统备用机制的一种改良。
技术实现思路
本专利技术的各实施例有关一种可消除或减少在读取邻近一内存阵列中的备用范围的内存单元时的错误的内存备用方法及其系统。识别该内存阵列的一特定行(例如，一有缺陷的行)。根据本专利技术的各实施例，选择其中包含有缺陷的行的一组相邻行，而界定该备用范围。该组行的选择方式为在该有缺陷的行的一端有至少一行且在该有缺陷的行的另一端有至少另一行。在该有缺陷的行的每一端通常将有多个行。在一实施例中，该备用范围的界定方式为使该有缺陷的行大约在该组相邻行的中间。在另一实施例中，是指定与该备用范围的一边界对应的一地址，而界定该备用范围。在一实施例中，只烧录在该备用范围的边界上的各行中的内存单元。在另一实施例中，烧录该备用范围中在该有缺陷的行的两端的所有行中的内存单元。一般而言，根据本专利技术的各实施例，有作用的且被烧录的各行的一障壁是位于该有缺陷的行与该备用范围的相邻(且在该备用范围的外)的行之间。在一实施例中，是将该内存阵列中的该等多个行组织成若干独立的输入/输出(I/O)组，其中是将一I/O组内的各行耦合到一个别的I/O垫。在该实施例中，该备用范围可包含来自两个相邻I/O组的行。对于一个此种实施例而言，说明了一种将该备用阵列中的数据导引到适当的I/O垫的方法。亦说明了一种决定一指定的地址是否造成该备用范围(且因而该备用阵列)中的一命中的方法。附图说明被包含在本说明书且构成本说明书的一部分的各附图标出了本专利技术的各实施例，且该等附图连同说明是用来解说本专利技术的原理，这些附图有图1是先前技术的一内存阵列的一部分的示意图，图中示出一先前技术的内存备用机制。第2A图是可用来实施本专利技术的实施例的一内存阵列的示意图。第2B图是根据本专利技术的一实施例的一内存阵列及一备用阵列的方块图。第3A图是根据本专利技术的一实施例的一例示内存单元的示意图。图3B是根据本专利技术的一实施例的一例示镜像位内存单元的一示意图。图4是一内存阵列的示意图，图中示出根据本专利技术的一实施例的一内存备用机制。图5标出根据本专利技术的一实施例的内存阵列的例示输入/输出区块的一位对映表(实体的和逻辑的)。图6是根据本专利技术的一实施例的内存备用方法的流程图。图7A是根据本专利技术的一实施例而决定一地址是否与备用范围相关联的方法的流程图。图7B是根据本专利技术的一实施例而自一内存阵列或备用阵列读取信息的方法的流程图。图8A是根据本专利技术的一实施例而决定应将备用数据传送到哪一输入/输出垫的方法的流程图。图8B标出根据本专利技术的一实施例而决定应将备用数据传送到哪一输入/输出垫的逻辑电路。具体实施例方式在本专利技术的下列本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在包含多行的内存单元的一内存阵列中的内存备用方法(600)，该方法包含下列步骤(610)识别该内存阵列的一特定行；(620)选择其中包含该特定行的一组相邻行，而界定一备用范围，该步骤的特征在于根据被耦合到该内存阵列的一备用阵列中的行数而决定该组中的行数，其中该组的选择方式为使在该特定行的一端上有至少第一行且在该特定行的另一端上有至少第二行；以及(630)烧录该第一行中的各内存单元及该第二行中的各内存单元。2.如权利要求1所述的方法，其中是将该多行组织成若干独立的输入/输出(I/O)组(0，1)，其中将一I/O组内的各行耦合到一个别的I/O垫(401，402)。3.如权利要求1所述的方法，其中该烧录步骤包含下列步骤(630)烧录该备用范围中有作用的各内存单元。4.如权利要求1所述的方法，其中该备用范围的界定方式为使该特定行大约在该组相邻行的中间。5.如权利要求1所述的方法，其中该第一行位于该备用范围的一边界，且该第二行位于该备用范围的另一边界。6.如权利要求1所述的方法，其中是指定与该备用范围的一边界对应的一地址，而界定该备用范围。7.一种在一内存阵列中的内存备用方法(600)，该方法包含下列步骤(610)选择该内存阵列的一特定行，其中该内存阵列包含多行的内存单元，该多行被组织成若干独立的输入/输出(I/O)组，其中一I/O组中的各行被耦合到一个别的I/O节点；以及(620)选择其中包含该特定行的一组相邻行，而建立一备用范围，其中是根据耦合到该内存阵列的一备用阵列中的行数而决定该组相邻...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·Q·李，PL·陈，
申请(专利权)人：斯班逊有限公司，
类型：发明
国别省市：