一种显示面板加工系统及批量转移芯片的方法技术方案

本申请公开了一种批量转移芯片的方法，包括：获取第一图像传感器的第一图像，根据所述第一图像控制加工平台移动目标基板和/或转移基板，将所述转移基板移动到所述目标基板上方；获取第二图像传感器的第二图像，识别所述第二图像中的电极线和芯片；控制所述加工平台移动和/或旋转所述目标基板和/或所述转移基板，直至所述电极线和所述芯片的相对位置和/或相对角度属于预设范围；将所述芯片由所述转移基板释放。上述方法可在加工显示面板时，使得芯粒能被精准释放至目标基板的预留位置上，提高转移和显示面板制造良率。提高转移和显示面板制造良率。提高转移和显示面板制造良率。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板加工系统及批量转移芯片的方法


[0001]本申请涉及激光加工
，具体涉及一种显示面板加工系统及批量转移芯片的方法。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED(微发光二极管)是指尺寸极其微小的LED，其尺寸可以达到几微米，在毫米范围内即可制备上千上百个Micro
‑
LED，形成Micro
‑
LED阵列。由于Micro
‑
LED具有局域化发光、电流扩展均匀、饱和电流密度高、输出光功率密度高和光电调制带宽高等优势，在显示、无掩膜光刻、可见光通信等领域表现出不错的应用前景。由于其自发光的特性，也更易于实现低能耗高亮度显示器。
[0003]Micro
‑
LED显示屏的制备，首先需要制备薄膜化、微小化、阵列化的Micro
‑
LED，然后将Micro
‑
LED批量化的转移到基板上，再利用物理沉积制程完成保护层与上电极，最后进行封装即形成一结构简单的微器件显示屏。在该制程中，需要对Micro
‑
LED进行批量化的转移，现有的Micro
‑
LED转移技术一般是将芯粒先转移至转移基板上，将转移基板和目标基板对准后，再通过激光剥离方式使芯粒释放至目标基板；但在此过程中，如何保证转移基板与目标基板上实现精确对位，使得微米级的芯粒恰好被释放至目标基板的确定位置，这也是影响转移良率的一个重要问题。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种保证转移基板与目标基板上实现精确对位，使得微米级的芯粒恰好被释放至目标基板的确定位置的批量转移芯片的方法。
[0005]一种批量转移芯片的方法，包括：
[0006]获取第一图像传感器的第一图像，根据所述第一图像控制加工平台移动目标基板和/或转移基板，将所述转移基板移动到所述目标基板上方；
[0007]获取第二图像传感器的第二图像，识别所述第二图像中的电极线和芯片；
[0008]控制所述加工平台移动和/或旋转所述目标基板和/或所述转移基板，直至所述电极线和所述芯片的相对位置和/或相对角度属于预设范围；
[0009]将所述芯片由所述转移基板释放。
[0010]在其中一个实施例中，所述将所述芯片由所述转移基板释放包括：
[0011]采用激光加工或热释放的方式将所述芯片由所述转移基板释放。
[0012]在其中一个实施例中，所述第一图像传感器的镜头的放大倍率小于所述第二图像传感器的镜头的放大倍率。
[0013]在其中一个实施例中，所述识别所述第二图像中的电极线和芯片包括：
[0014]获取所述芯片顶点位置。
[0015]在其中一个实施例中，所述方法还包括：
[0016]根据所述芯片顶点位置计算所述芯片中心点位置，根据所述中心点位置到所述电
极线的距离确定所述电极线和所述芯片的相对位置。
[0017]在其中一个实施例中，所述方法还包括：
[0018]计算所述芯片顶点位置的连线与所述电极线的倾斜角，根据所述倾斜角确定所述电极线和所述芯片的相对角度。
[0019]在其中一个实施例中，所述相对位置的预设范围为小于2um，所述相对角度的预设范围为小于5度。
[0020]在其中一个实施例中，所述芯片的尺寸为10～50um；所述第二图像传感器的焦深大于所述芯片的厚度与所述转移基板与目标基板的间距之和；
[0021]将所述转移基板移动到所述目标基板上方还包括：
[0022]控制所述转移基板与目标基板的间距保持10～40um。
[0023]在其中一个实施例中，所述第一图像传感器和所述第二图像传感器为同一图像传感器，所述第一图像传感器位于第一聚焦镜下，所述第二图像传感器位于第二聚焦镜下；
[0024]所述方法还包括：
[0025]通过切换所述第一聚焦镜和所述第二聚焦镜切换所述第一图像传感器和所述第二图像传感器。
[0026]本申请提供了一种保证转移基板与目标基板上实现精确对位，使得微米级的芯粒恰好被释放至目标基板的确定位置的批量转移芯片的显示面板加工系统。
[0027]一种显示面板加工系统，所述系统包括控制器，与控制器连接的第一图像传感器、第二图像传感器和加工平台；
[0028]所述加工平台包括承物台和移动组件，所述承物台用于承载固定目标基板和/或转移基板，所述移动组件用于移动所述目标基板和/或转移基板；
[0029]所述第一图像传感器用于采集目标基板和转移基板的第一图像；
[0030]所述第二图像传感器用于采集目标基板上的电极线和转移基板上的芯片的第二图像；
[0031]所述控制器用于根据所述第一图像控制加工平台移动目标基板和/或转移基板，将所述转移基板移动到所述目标基板上方，识别所述第二图像中的电极线和芯片，控制所述加工平台移动和/或旋转所述目标基板和/或所述转移基板，直至所述电极线和所述芯片的相对位置和/或相对角度属于预设范围；
[0032]所述控制器还用于将所述芯片由所述转移基板释放。
[0033]在其中一个实施例中，所述系统还包括与所述控制器连接的激光器；
[0034]所述控制器还用于控制所述激光器向所述转移基板发射激光束，以使所述芯片由所述转移基板释放。
[0035]上述批量转移芯片的方法和系统中，设置了大视野的第一图像传感器和小视野的第二图像传感器，大视野的第一图像传感器用于对转移基板和目标基板进行粗粒度的预定位，小视野的第二图像传感器用于对转移基板上的芯片和目标基板上的电极线进行精确定位，然后配合加工平台上的移动组件，可根据定位来校正芯片的位置和角度偏差，使得芯粒能被精准释放至目标基板的预留位置上，从而与目标基板实现准确的电连接，降低错位引起的故障概率，提高转移和显示面板制造良率；且本方案实施简便，成本低廉，应用广泛。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
[0037]图1为一实施例中一种显示面板加工系统的示意图；
[0038]图2为一实施例中一种批量转移芯片的方法的流程图；
[0039]图3为一实施例中转移基板/目标基板标识图案示意图；
[0040]图4为一实施例中芯片和电极线对准过程示意图。
具体实施方式
[0041]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本申请保护的范围。
[0042]需要说明，若本申本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种批量转移芯片的方法，其特征在于，包括：获取第一图像传感器的第一图像，根据所述第一图像控制加工平台移动目标基板和/或转移基板，将所述转移基板移动到所述目标基板上方；获取第二图像传感器的第二图像，识别所述第二图像中的电极线和芯片；控制所述加工平台移动和/或旋转所述目标基板和/或所述转移基板，直至所述电极线和所述芯片的相对位置和/或相对角度属于预设范围；将所述芯片由所述转移基板释放。2.根据权利要求1所述的批量转移芯片的方法，其特征在于，所述将所述芯片由所述转移基板释放包括：采用激光加工或热释放的方式将所述芯片由所述转移基板释放。3.根据权利要求1所述的批量转移芯片的方法，其特征在于，所述第一图像传感器的镜头的放大倍率小于所述第二图像传感器的镜头的放大倍率。4.根据权利要求1所述的批量转移芯片的方法，其特征在于，所述识别所述第二图像中的电极线和芯片包括：获取所述芯片顶点位置。5.根据权利要求4所述的批量转移芯片的方法，其特征在于，所述方法还包括：根据所述芯片顶点位置计算所述芯片中心点位置，根据所述中心点位置到所述电极线的距离确定所述电极线和所述芯片的相对位置。6.根据权利要求4所述的批量转移芯片的方法，其特征在于，所述方法还包括：计算所述芯片顶点位置的连线与所述电极线的倾斜角，根据所述倾斜角确定所述电极线和所述芯片的相对角度。7.根据权利要求1所述的批量转移芯片的方法，其特征在于，所述相对位置的预设范围为小于2um，所述相对角度的预设范围为小...

【专利技术属性】
技术研发人员：王祥，李善基，张志强，
申请(专利权)人：深圳铭创智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：