操作相变存储装置的方法制造方法及图纸

提供了一种操作相变存储装置的方法，该相变存储装置包括相变层和向相变层施加电压的单元。所述方法包括：向相变层施加复位电压，其中，复位电压包括被连续施加的至少两个脉冲电压。

【技术实现步骤摘要】

示例实施例涉及一种操作存储装置的方法。其他示例实施例涉及一种操 作相变存储装置的方法。
技术介绍
存在几种非易失性存储装置，包括闪存、铁电RAM(FeRAM)、磁RAM (MRAM )和相变随机存取存储器(PRAM )。 PRAM的存储节点(storage node ) 在结构上不同于其他非易失性存储装置。PRAM的存储节点包括作为数据存储层的相变层。如果预定的复位 (reset)电压在足够短的时间内被施加到相变层，那么相变层的区域改变为 非晶区域。如果预定的置位(set)电压在足够长的时间内被施加到存储节点， 那么非晶区域恢复为结晶状态。假设第 一 阻抗属于具有非晶区域的相变层，第二阻抗属于没有非晶区域 的相变层，则第一阻抗高于第二阻抗。PRAM是一种使用相变层来写入和读取比特数据的存储装置，相变层具 有根据其相位而改变的阻抗特性。操作PRAM的传统方法的操作速度相当慢，这是因为非晶区域恢复为结 晶状态所需的时间相对较长。在操作PRAM的传统方法中，通过重复复位和置位操作相变层的特性会 容易变差，从而缩短了 PRAM的耐久性(或持久性)。
技术实现思路
示例实施例涉及一种操作存储装置的方法。其他示例实施例涉及一种操 作相变存储装置的方法。示例实施例提供一种使用相变层来，相变层具 有根据其相位而改变的阻抗特性。根据示例实施例，提供了一种，该相变存储装置包括相变层和向相变层施加电压的单元。所述方法包括向相变层施加复 位电压，其中，复位电压包括被连续施加的至少两个脉沖电压。所述脉冲电 压可以基本上相同。每个脉冲电压的脉沖宽度可以小于20ns。每个脉沖电压的脉沖宽度可以 在从5ns到20ns的范围内。脉冲电压之间的间隔可以小于100ns。脉冲电压 之间的间隔可以大于5ns。脉沖电压之间的间隔可以在从5ns到100ns的范围 内。脉冲电压的数量可以在从2到IO的范围内。所述方法可包括在向相变层施加复位电压之后，向其施加置位电压。 复位电压的施加时间可以与置位电压的施加时间相同，或者比置位电压 的施力口时间#豆。附图说明通过下面结合附图所进行的详细描述，将会更清楚地理解示例实施例。 图1-7示出这里所描述的非限制性的示例实施例。图1是示出用于说明根据示例实施例的操作相变随机存取存储器 (PRAM)的方法的剖一见图的示图2是示出根据示例实施例的操作PRAM的方法中可使用的复位电压的 曲线图3是示出使用图2的复位电压将PRAM复位的剖视图的示图； 图4是示出在根据比较示例的操作PRAM的传统方法中使用的复位电压 的曲线图5是示出使用图4的复位电压将PRAM复位的剖视图的示图6是示出在根据示例实施例的方法和根据比较示例的方法中PRAM复位的第 一单元的复位阻抗的曲线图7是示出如果在根据示例实施例的方法和根据比较示例的方法中复位第一单元被改变为置位状态，则PRAM的第一单元的阻抗变化和置位脉沖宽度的曲线图。具体实施例方式现在将参照附图更充分地描述各示例实施例，在附图中示出了 一婆示例 实施例。在附图中，为了清楚，可夸大层和区域的厚度。5这里/>开了详细的示例实施例。然而，这里/》开的特定的结构和功能细 节只是为了描述示例实施例。然而，本专利技术可以按照许多不同的形式来实施， 不应该被解释为仅限于这里阐述的示例实施例。因此，尽管可对示例实施例进行各种修改，且示例实施例可具有可替换 的形式，但是通过示例的方式在附图中示出了其实施例，这里将详细描述其 实施例。然而，应该理解，不是要将示例实施例局限于所公开的具体形式， 相反，示例实施例将覆盖落入本专利技术范围内的所有修改、等同物和替换物。 贯穿附图的描述，相同的标号始终表示相同的部件。应该理解，尽管这里可能使用术语第一、第二等来描述各部件，但是各 部件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件与另一部件。 例如，在不脱离示例实施例的范围的情况下，第一部件可以被命名为笫二部 件，类似地，第二部件可以:帔命名为第一部件。这里^f吏用的术语和/或包 括所列出的一个或多个有关项的任何和全部组合。应该理解，当提到某一部件连接或结合到另一部件时，该部件 可以直接连接或结合到另一部件，或者可以存在中间部件。相反，当提到某 一部件直接连接或直接结合到另一部件时，不存在中间部件。其他 用于描述部件之间的关系的词应该按照类似的方式来解释(如在...之间 与直接在...之间、相邻与直接相邻等)。这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例，而不是为了限制示例实施 例。除非上下文另外清楚地指示，否则这里所使用的单数形式还包括复数形 式。还应该理解，这里使用的术语包括和/或包含表示所述特征、整 体、步骤、操作、部件和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、 整体、步骤、操作、部件、组件和/或它们的组的存在。应该理解，尽管术语第一、第二、第三等可用于描述各部件、组件、区 域、层和/或部分，^旦是这些部件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术 语的限制。这些术语只是用于将一个部件、组件、区域、层或部分与另一区 域、层或部分区分开来。因而，在不脱离示例实施例的范围的情况下，下面 描述的第一部件、组件、区域、层或部分可以^皮命名为第二部件、组件、区 域、层或部分。为便于描述，这里可使用空间相对术语(如在…之下、在.」下面、 下方、在…上、上方等)来轻松描述一个部件或者附图所示的某一特征与另一部件或特征之间的关系。应该理解，除了附图中示出的方位以外， 空间相对术语还包括装置在使用或操作时的不同方位。例如，如果附图中的 装置被反转，那么被描述为在其他部件或特征下面，，或之下，，的部件随 后将^皮定位为在其他部件或特征上。因而，例如，术语在...下面可包 括上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(旋转90度或者以其他方位观 看或定位)，因此，应该相应地解释这里所描述的空间相对描述符。这里参照作为理想化的实施例(和中间结构)的示意图的剖面图来描述 示例实施例。这样，预计会出现例如由于制造技术和/或公差引起的所示形状 的变化。因而，示例实施例不应该被解释为限于这些示出的区域的特定形状， 而是可以包括例如由于制造引起的形状偏差。例如，示出为矩形的注入区域 在其边缘可能具有(如注入浓度)的梯度和/或圆形或曲线特征，而不是从注 入区域到非注入区域的突然改变。同样，通过注入形成的埋区可能导致在埋 区和注入可能发生的表面之间的区域中的一些注入。因而，附图所示的区域 实质上是示意性的，其形状不必示出装置的区域的实际形状而且不限制范围。还应该注意到，在一些可选择的实施方式中，所提到的功能/动作可以不 按附图中提到的顺序出现。例如，根据所涉及的功能/动作，两个连续显示的 图实际上可能被基本上同时执行，或者有时可以按照相反的顺序被执行。为了更具体地描述示例实施例，将参照附图来详细描述各方面。然而， 本专利技术不限于所描述的示例实施例。示例实施例涉及一种操作存储装置的方法。其他示例实施例涉及一种操 作相变存储装置的方法。图1是示出根据示例实施例的操作相变随机存取存储器(PRAM)的方法的剖视图的示图。参照图1, PRAM可包括顺序(或并列)叠置的下电极IO、下电极接触 层20、相变层30和上电极40。下电极接触层20的宽度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作相变存储装置的方法，该相变存储装置包括相变层和向相变层施加电压的单元，所述方法包括：　向相变层施加复位电压，　其中，复位电压包括被连续施加的至少两个脉冲电压。

【技术特征摘要】
KR 2007-11-29 10-2007-01227371、一种操作相变存储装置的方法，该相变存储装置包括相变层和向相变层施加电压的单元，所述方法包括向相变层施加复位电压，其中，复位电压包括被连续施加的至少两个脉冲电压。2、 如权利要求l所述的方法，其中，所施加的至少两个脉冲电压具有相 同的幅值。3、 如权利要求2所述的方法，其中，所述至少两个脉冲电压相同。4、 如权利要求l所述的方法，其中，所述至少两个脉冲电压中的每个的 脉冲宽度小于20ns。5、 如权利要求4所述的方法，其中，所述至少两个脉冲电压中的每个的 脉沖宽度在从5ns到20ns的范围内。6、 如权利要求4所述的方法，其中，所述至少两个脉沖电压中的每个之 间的间隔为1 OOns或更少。7、 如权利要求6所述的方法，其中，所述至少两个脉沖电压之间的间隔 在从5ns到10...

【专利技术属性】
技术研发人员：金澈圭，姜闰浩，金基俊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]