半导体膜制造技术

本发明专利技术提供结晶缺陷明显较少的α－Ga2O3系半导体膜。该半导体膜具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，半导体膜的至少一个表面中的(104)晶面的X射线摇摆曲线半值宽度为500arcsec以下。摇摆曲线半值宽度为500arcsec以下。摇摆曲线半值宽度为500arcsec以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体膜


[0001]本专利技术涉及半导体膜、特别是α－Ga2O3系半导体膜。

技术介绍

[0002]近年来，氧化镓(Ga2O3)作为半导体用材料得到关注。已知：氧化镓具有α、β、γ、δ及ε这5种晶型，其中，作为亚稳相的α－Ga2O3的带隙非常大，高达5.3eV，作为功率半导体元件用材料而备受期待。
[0003]例如，专利文献1(日本特开2014－72533号公报)中公开一种半导体装置，其具备：具有刚玉型结晶结构的基底基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、以及具有刚玉型结晶结构的绝缘膜，并记载了在蓝宝石基板上形成α－Ga2O3膜而作为半导体层的例子。另外，专利文献2(日本特开2016－25256号公报)中公开一种半导体装置，其具备：包含具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的n型半导体层、以具有六方晶的结晶结构的无机化合物为主成分的p型半导体层、以及电极。该专利文献2的实施例中公开如下内容，即，在c面蓝宝石基板上形成亚稳相、即具有刚玉结构的α－Ga2O3膜作为n型半导体层并形成具有六方晶的结晶结构的α－Rh2O3膜作为p型半导体层，制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体膜，其具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，所述半导体膜的特征在于，所述半导体膜的至少一个表面中的(104)晶面的X射线摇摆曲线半值宽度为500arcsec以下。2.根据权利要求1所述的半导体膜，其特征在于，所述半导体膜的至少一个表面中的(006)晶面的X射线摇摆曲线半值宽度为50arcsec以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体膜，其特征在于，所述半导体膜的背面中的(104)晶面的X射线摇摆曲线半值宽度(FWHM－B)相对于所述半导体膜的正面中的(104)晶面的X射线摇摆曲线半值宽度(FWHM－T)的比值FWHM－B/FWHM－T超过1.0，所述正面为所述半导体膜的一个表面，所述背面为所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边守道，福井宏史，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：