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本发明提供结晶缺陷明显较少的α－Ga2O3系半导体膜。该半导体膜具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，半导体膜的至少一个表面中的(104)晶面的X射线摇摆曲线半值宽度为500arcsec以下。摇摆曲线半值宽度为5...
该专利属于日本碍子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本碍子株式会社授权不得商用。

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