一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用，所述高阻氧化镓晶体的分子式为β

【技术实现步骤摘要】
一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于半导体晶体材料与核辐射探测器件领域，具体涉及一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]氧化镓(β
‑
Ga2O3)晶体是一种新型超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大(～4.8eV)、理论击穿场强高(8MV/cm)、抗辐射能力强等优点，近年来受到广泛关注。非故意掺杂氧化镓晶体由于原料中残留的Si、Sn、Ge等杂质在晶体中形成浅施主，导致晶体具有一定浓度的自由电子，从而具有较低的电阻率。使用非故意掺杂氧化镓晶体制备的X射线辐射探测器件具有较高的暗电流，降低了器件的光暗电流比、灵敏度等核心参数，严重影响了探测器件的使用(如“Schottky x
‑
ray detectors based on a bulkβ
‑
Ga2O
3 substrate”,Applied Physics Letters 112,103502,2018)。
[0003]在核辐射探测领域，为了使半导体探测器件具有高光暗电流比、高灵敏度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高阻氧化镓晶体，其特征在于，所述高阻氧化镓晶体的分子式为β
‑
(Ga1‑
x
Al
x
)2O3，其中x的取值范围为0.07≤x≤0.3。2.根据权利要求1所述的一种高阻氧化镓晶体，其特征在于，x为0.07、0.08、0.1、0.12、0.15、0.3。3.如权利要求1或2所述的一种高阻氧化镓晶体的制备方法，其特征在于，采用包括光学浮区法、提拉法、导模法或下降法的熔体生长方法制备得到。4.根据权利要求3所述的一种高阻氧化镓晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取Ga2O3粉末与Al2O3粉末，将原料粉末按照分子式准确称量并混合均匀，采用液压或等静压方式压制成型并高温固相烧结合成掺铝氧化镓多晶料；(2)将多晶原料装入铱金坩埚或铂铑坩埚中，或固定在光学浮区炉的上转杆上；(3)将定向籽晶固定在籽晶杆上；(4)采用光学浮区法、提拉法、导模法、下降法进行掺铝氧化镓晶体生长。5.根据权利要求4所述的一种高阻氧化镓晶体的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的Ga2O3粉末纯度优选4N
‑
6N，A...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐慧丽，李志伟，刘波，徐军，罗平，吴锋，王庆国，张超逸，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：