【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体存储器装置和方法，更具体而言，它涉及半导体读出放大器电路装置和方法。读出放大器是用于从半导体存储器阵列中的存储晶体管(即磁心存储器)读取数据的电路装置。H.Arakawa的第5,198,997号美国专利中给出了已知读出放大器装置的一个实例，该专利的题目为“紫外线可擦固定存储器”。该专利中所给出的装置特别令人感兴趣的是它被引向含有基准单元的读出放大器装置，而其中基准单元通过电流镜像装置连接于另一列中的磁心存储器读出电路。图3给出了根据现有技术的另一个读出放大器装置，该装置与Arakawa的装置不同。具体地说，图3给出了读出放大器电路300，该电路有效地检测在选定半导体记忆芯片的磁心存储器中选定存储单元的传导状态。图示的特定读出放大器电路300是通常所知的方法，该方法特别适用于可变门限存储器装置的场合。这种装置的情形包括如下两个子域EPROMs(即电气可编程及紫外线(UV)可擦只读存储器)和EEPROMs(即电气可编程及电气可擦只读存储器)。为本申请书中叙述的目的并根据常规，若记忆单元导通或“接通”，则定义该含有可变门限装置的记忆单元的传导状...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.连接半导体存储器的读出放大器电路包括(a)数据结点装置，它用于从选定磁心存储器单元接收表明该存储器状态的电流；(b)读出结点装置，它用于接收来自该数据结点装置的电流，而该数据结点装置对由该数据结点装置所接收的电流进行反射；(c)基准结点装置，它用于从选定基准单元接收表明该基准单元状态的基准电流；(d)基准电流镜像电路，它包含第一和第二基准晶体管，每个基准晶体管各自具有基极、漏极和源极结点，该基准晶体管的各个源极结点接于选定的电源电压，该第一和第二基准晶体管的栅极结点电气上相互连接在一起，该第一基准晶体管的漏极结点与该读出结点装置相接，该第二基准晶体管的漏极结点与其自身的栅极结点相连并配备有来自该基准结点装置的电流，该基准结点装置对由该基准结点装置所接收的电流进行反射，该基准电流镜像电路有效地为该读出结点装置提供一个基准电流，该基准电流与从该基准结点装置向该第二基准晶体管提供的电流成正比；(e)旁路晶体管装置，它用于限制该数据结点装置的电压，该旁路晶体管装置具有源极和漏极，该漏极与该读出结点装置相连，而该源极与该数据结点装置相连；以及(f)润滑电流镜像电路，它包含第一和第二润滑晶体管，每个润滑晶体管各自具有栅极、漏极和源极结点，该润滑晶体管的各个源极结点连接于公共结点，该第一和第二润滑晶体管的栅极结点电气上相互连接在一起，该第一润滑晶体管的漏极结点与该数据结点装置相连并配备有来自该数据结点装置的电流，该第一润滑晶体管的漏极结点与其栅极结点和该数据结点装置相连，该润滑电流镜像电路有效地为该基准结点装置和该基准电流镜像电路提供一个电，流该电流与从该数据结点装置向该第一润滑晶体管提供的润滑电流成正比，且该润滑电流镜像电路有效地向该旁路晶体管装置提供一个预定量级的电流，从而甚至在无电流从磁心存储器单元流出的情况下该旁路晶体管装置仍保持导通。2.根据权利要求1的读出放大器电路，其中该第一和第二基准晶体管以及该第一和第二润滑晶体管为MOS晶体管。3.根据权利要求2的读出放大器电路，其中该第一和第二晶体管各自接于公共结点。4.根据权利要求2的读出放大器电路，其中该第一和第二晶体管各自在其栅极相连。5...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔治·斯马兰杜，埃米尔·兰布朗克，
申请(专利权)人：爱特梅尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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