MOS管控制电路及装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术适用于电子电路技术领域，提供了一种MOS管控制电路及装置，电路包括电平转换模块与至少两个控制信号端连接，用于分别接收至少两个控制信号端输入的控制信号并转换成预设电压值的电平信号；门逻辑模块与电平转换模块的输出端连接，用于接收电平转换模块输出的电平信号并进行逻辑与运算生成驱动控制信号；驱动模块与门逻辑模块的输出端连接，驱动模块的输出端与目标MOS管的控制端连接。本申请实施例电平转换模块用于将至少两路控制信号端输入的控制信号转换为电压值统一的电平信号，并输出至门逻辑模块进行逻辑与运算生成驱动控制信号后输出至驱动模块以控制目标MOS管的通断，实现多种方式组合控制MOS管的通断，灵活对MOS管进行控制。灵活对MOS管进行控制。灵活对MOS管进行控制。

【技术实现步骤摘要】
MOS管控制电路及装置


[0001]本技术属于电子电路
，尤其涉及一种MOS管控制电路及装置。

技术介绍

[0002]MOS管，是MOSFET的缩写，MOSFET是一种金属
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氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor,MOSFET)。在电路中通常会使用MOS管作为开关管以控制电路的通断，其原理是利用MOS管栅极控制MOS管源极和漏极通断的原理，从而构造开关电路。MOS管包括N沟道MOS管和P沟道MOS管，其中，P沟道MOS管的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通。而N沟道MOS管的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况，只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。
[0003]在电池管理系统(BMS)中，存在需要多种方式来控制充放电MOS管的情况，但是现有MOS管控制往往是MCU输出控制信号至MOS管实现对MOS管进行控制，方式比较单一，无法随时控制MOS管的通断，例如当MCU出现故障失效后无法关断MOS管，导致MOS管控制不灵活不方便。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种MOS管控制电路，旨在解决现有的MOS管控制方式单一的问题。
[0005]本技术是这样实现的，一种MOS管控制电路，包括：
[0006]电平转换模块，与至少两个控制信号端连接，用于分别接收至少两个控制信号端输入的控制信号并转换成预设电压值的电平信号；
[0007]门逻辑模块，与电平转换模块的输出端连接，用于接收电平转换模块输出的至少两个电平信号并进行逻辑与运算生成驱动控制信号；
[0008]驱动模块，与门逻辑模块的输出端连接，驱动模块的输出端与目标MOS管的控制端连接。
[0009]更进一步地，电平转换模块包括采集端转换单元和控制芯片信号单元，至少两个控制信号端包括第一控制信号端和第二控制信号端，采集端转换单元的输入端与第一控制信号端连接，采集端转换单元的输出端与门逻辑模块的第一输入端连接；控制芯片信号单元的输入端与第二控制信号端连接，控制芯片信号单元的输出端与门逻辑模块的第二输入端连接。
[0010]更进一步地，采集端转换单元包括一端连接至第一控制信号端的第一电阻R1，第一电阻R1的另一端连接至第一稳压二极管Z1的阴极，第一稳压二极管Z1的阳极接地，第一稳压二极管Z1与第二电阻R2并联，第一电阻R1的另一端还连接至第一场效应管Q1的栅极，第一场效应管Q1的源极接地，第一场效应管Q1的漏极通过第三电阻R3连接至内部电压端
VDD，第一场效应管Q1的漏极还连接至第二场效应管Q2的栅极，第二场效应管Q2的源极连接至内部电压端VDD，第二场效应管Q2的漏极依次通过第四电阻R4和第五电阻R5接地，第四电阻R4与第五电阻R5连接的一端还连接至采集信号输出端A_DSG，采集信号输出端A_DSG与第一输入端连接；控制芯片信号单元包括MCU，MCU的信号输入端与第二控制信号端连接，MCU的MCU信号输出端M_DSG与第二输入端连接。
[0011]更进一步地，电平转换模块还包括控制器信号转换单元以及开关信号转换单元，至少两个控制信号端还包括第三控制信号端和第四控制信号端，控制器信号转换单元的输入端与第三控制信号端连接，控制器信号转换单元的输出端与门逻辑模块的第三输入端连接；开关信号转换单元的输入端与第四控制信号端连接，开关信号转换单元的输出端与门逻辑模块的第四输入端连接。
[0012]更进一步地，控制器信号转换单元包括一端连接至第三控制信号端的第六电阻R6，第六电阻R6的另一端连接至光耦合器的第一输入端，光耦合器的第二输入端接地，光耦合器的第一输出端连接至内部电压端VDD，光耦合器的第二输出端通过第七电阻R7接地，光耦合器的第二输出端连接至控制器信号输出端CTRL，控制器信号输出端CTRL与第三输入端连接。
[0013]更进一步地，开关信号转换单元包括一端与第四控制信号端连接的开关器S1，开关器S1的另一端通过第八电阻R8连接至第二稳压二极管Z2的阴极，第二稳压二极管Z2的阳极接地，第二稳压二极管Z2与第九电阻R9并联，第二稳压二极管Z2的阴极还连接至第三场效应管Q3的栅极，第三场效应管Q3的源极接地，第三场效应管Q3的漏极通过第十电阻R10连接至内部电压端VDD，第三场效应管Q3的漏极还连接至第四场效应管Q4的栅极，第四场效应管Q4的源极连接至内部电压端VDD，第四场效应管Q4的漏极依次通过第十一电阻R11和第十二电阻R12接地，第十一电阻R11与第十二电阻R12连接的一端还连接至开关信号输出端SW，开关信号输出端SW与第四输入端连接。
[0014]更进一步地，门逻辑模块包括第一门逻辑芯片U1，第一门逻辑芯片U1的第一管脚作为第一输入端与采集信号输出端A_DSG连接，第一门逻辑芯片U1的第二管脚作为第二输入端与MCU信号输出端M_DSG连接，第一门逻辑芯片U1的第三管脚接地，第一门逻辑芯片U1的第四管脚与驱动模块的输入端连接，第一门逻辑芯片U1的第五管脚连接至内部电压端VDD，第一门逻辑芯片U1的第五管脚还通过第一电容C1接地。
[0015]更进一步地，门逻辑模块包括第二门逻辑芯片U2和第三门逻辑芯片U3，第二门逻辑芯片U2的第一管脚作为第三输入端与控制器信号输出端CTRL连接，第二门逻辑芯片U2的第二管脚作为第四输入端与开关信号输出端SW连接，第二门逻辑芯片U2的第三管脚接地，第二门逻辑芯片U2的第五管脚连接至内部电压端VDD，第二门逻辑芯片U2的第五管脚还通过第二电容C2接地；第三门逻辑芯片U3的第一管脚与第一门逻辑芯片U1的第四管脚连接，第三门逻辑芯片U3的第二管脚与第二门逻辑芯片U2的第四管脚连接，第三门逻辑芯片U3的第三管脚接地，第三门逻辑芯片U3的第四管脚与驱动模块的输入端连接，第三门逻辑芯片U3的第五管脚连接至内部电压端VDD，第三门逻辑芯片U3的第五管脚还通过第三电容C3接地。
[0016]更进一步地，驱动模块包括第十三电阻R13，第十三电阻R13的一端作为驱动模块的输入端与门逻辑模块的输出端连接，第十三电阻R13的另一端连接至第五场效应管Q5的
栅极，第五场效应管Q5的源极接地，第五场效应管Q5的栅极和源极之间连接有第十四电阻R14，第五场效应管Q5的漏极依次通过第十五电阻R15和第十六电阻R16连接至第一电压端VAE，第一电压端VAE还连接至三极管Q6的发射极，三极管Q6的基极连接至第十五电阻R15和第十六电阻R16之间的线路上，三极管Q6的集电极连接至二极管D1的阳极，二极管D1的阴极通过第十七电阻R17连接至驱动信号输出端DSG_MOS，驱动信号输出端DSG_MOS用于与目标MOS管的控制端连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS管控制电路，其特征在于，包括：电平转换模块，与至少两个控制信号端连接，用于分别接收所述至少两个控制信号端输入的控制信号并转换成预设电压值的电平信号；门逻辑模块，与所述电平转换模块的输出端连接，用于接收所述电平转换模块输出的至少两个电平信号并进行逻辑与运算生成驱动控制信号；驱动模块，与所述门逻辑模块的输出端连接，所述驱动模块的输出端与目标MOS管的控制端连接。2.如权利要求1所述的MOS管控制电路，其特征在于，所述电平转换模块包括采集端转换单元和控制芯片信号单元，所述至少两个控制信号端包括第一控制信号端和第二控制信号端，所述采集端转换单元的输入端与所述第一控制信号端连接，所述采集端转换单元的输出端与所述门逻辑模块的第一输入端连接；所述控制芯片信号单元的输入端与所述第二控制信号端连接，所述控制芯片信号单元的输出端与所述门逻辑模块的第二输入端连接。3.如权利要求2所述的MOS管控制电路，其特征在于，所述采集端转换单元包括一端连接至所述第一控制信号端的第一电阻R1，所述第一电阻R1的另一端连接至第一稳压二极管Z1的阴极，所述第一稳压二极管Z1的阳极接地，所述第一稳压二极管Z1与第二电阻R2并联，所述第一电阻R1的另一端还连接至第一场效应管Q1的栅极，所述第一场效应管Q1的源极接地，所述第一场效应管Q1的漏极通过第三电阻R3连接至内部电压端VDD，所述第一场效应管Q1的漏极还连接至第二场效应管Q2的栅极，所述第二场效应管Q2的源极连接至所述内部电压端VDD，所述第二场效应管Q2的漏极依次通过第四电阻R4和第五电阻R5接地，所述第四电阻R4与所述第五电阻R5连接的一端还连接至采集信号输出端A_DSG，所述采集信号输出端A_DSG与所述第一输入端连接；所述控制芯片信号单元包括MCU，所述MCU的信号输入端与所述第二控制信号端连接，所述MCU的MCU信号输出端M_DSG与所述第二输入端连接。4.如权利要求3所述的MOS管控制电路，其特征在于，所述电平转换模块还包括控制器信号转换单元以及开关信号转换单元，所述至少两个控制信号端还包括第三控制信号端和第四控制信号端，所述控制器信号转换单元的输入端与所述第三控制信号端连接，所述控制器信号转换单元的输出端与所述门逻辑模块的第三输入端连接；所述开关信号转换单元的输入端与所述第四控制信号端连接，所述开关信号转换单元的输出端与所述门逻辑模块的第四输入端连接。5.如权利要求4所述的MOS管控制电路，其特征在于，所述控制器信号转换单元包括一端连接至所述第三控制信号端的第六电阻R6，所述第六电阻R6的另一端连接至光耦合器的第一输入端，所述光耦合器的第二输入端接地，所述光耦合器的第一输出端连接至所述内部电压端VDD，所述光耦合器的第二输出端通过第七电阻R7接地，所述光耦合器的第二输出端连接至控制器信号输出端CTRL，所述控制器信号输出端CTRL与所述第三输入端连接。6.如权利要求5所述的MOS管控制电路，其特征在于，所述开关信号转换单元包括一端与所述第四控制信号端连接的开关器S1，所述开关器S1的另一端通过第八电阻R8连接至第二稳压二极管Z2的阴极，所述第二稳压二极管Z2的阳极接地，所述第二稳压二极管Z2与第九电阻R9并联，所述第二稳压二极管Z2的阴极还连接至第三场效应管Q3的栅极，所述第三场效应管Q3的源极接地，所述第三场效应管Q3的漏极通过第十电阻R10连接至所述内部电压端VDD，所述第三场效应管Q3的漏极还连接至第四场效应管Q4的栅极，所述第四场效应管
Q4的源极连接至所述内部电压端VDD，所述第四场效应管Q4的漏极依次通过第十一电阻R11和第十二电阻R12接地，所述第十一电阻R11与所述第十二电阻R12连接的一端还连接至开关信号输出端SW，所述开关信号输出端SW与所述第四输入端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈楚泽，陈颜新，
申请(专利权)人：惠州拓邦电气技术有限公司，
类型：新型
国别省市：