多阶横模抑制的声表面波换能器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多阶横模抑制的声表面波换能器，声表面波换能器包括从下到上依次设置的晶圆基底、叉指金属层和温补层；还包括负载层，负载层采用如下结构之一或组合；结构一：负载层设置于温补层上或温补层中，负载层不与叉指金属层接触，负载层覆盖叉指金属层中的全部或部分指条端头；结构二：负载层在晶圆基底内，负载层位于叉指金属层的指条端头位置对应处，负载层为导电材料；结构三：负载层位于叉指金属层和温补层之间，负载层覆盖叉指金属层中的全部或部分指条端头，负载层采用非金属材料制成。对指条端头区域进行处理阻断横向模，提高电性能指标和品质Q值；结构一负载层通过温补层与叉指金属层隔离，不与叉指金属层相连短路。连短路。连短路。

【技术实现步骤摘要】
多阶横模抑制的声表面波换能器


[0001]本技术涉及声表面波器件及其制造工艺领域，特别是涉及一种多阶横模抑制的声表面波换能器。

技术介绍

[0002]移动通信由最初的2G发展到3G，再到如今的4G/5G，频率资源越来越拥挤，不同通信系统频带间的保护间隔越来越小。比如，对于发射端(Tx)和接收端(Rx)双工器频段(Band2、3、8、25)等，Tx和Rx之间的频率间隔非常窄，长时间加载功率的工况下，温度变化则频率可能发生漂移，Tx和Rx将会相互影响，造成整体性能严重恶化。因此，对作为射频信号主要滤波器件的声表面波滤波器提出了温度稳定性要求。在较宽的温度范围下保持声表面波滤波器频率温度稳定性的技术，已成为当前声表面波滤波器技术发展和器件应用的关键问题之一。
[0003]普通声表滤波器(STD－SAW)采用LiTaO3为芯片晶圆基底1时，对温度变化很敏感，温度系数在大约－40ppm/K左右。若LiNbO3材料为芯片晶圆基底1，则芯片的温度系数则达到－75ppm/K。为满足通信系统对温度稳定性的要求，通常需要在芯片的叉指换能器(IDT)表面覆盖本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多阶横模抑制的声表面波换能器，其特征在于，包括从下到上依次设置的晶圆基底、叉指金属层和温补层；还包括负载层，所述负载层采用如下结构之一或它们的任意组合；结构一：所述负载层设置于所述温补层上或温补层中，所述负载层不与所述叉指金属层接触，所述负载层覆盖所述叉指金属层中的全部或部分指条端头；结构二：所述负载层在所述晶圆基底内，所述负载层位于叉指金属层的指条端头位置对应处；结构三：所述负载层位于叉指金属层和温补层之间，所述负载层覆盖所述叉指金属层中的全部或部分指条端头。2.如权利要求1所述的多阶横模抑制的声表面波换能器，其特征在于，在所述结构一中，所述负载层为设置在所述温补层上或所述温补层中的导电层或不导电层；或者所述负载层为设置在温补层中的空洞层。3.如权利要求2所述的多阶横模抑制的声表面波换能器，其特征在于，当所述负载层为导电层或不导电层时：所述负载层包括至少一条沿指条宽度方向延伸的连续的条状带，所述条状带覆盖多个指条端头且位于所覆盖的指条端头的上方。4.如权利要求2所述的多阶横模抑制的声表面波换能器，其特征在于，当所述负载层为导电层或不导电层时：所述负载层包括至少一条沿指条宽度方向延伸的间断的条状带，所述条状带中每个分段覆盖至少一个指条端头且位于所覆盖的指条端头的上方。5.如权利要求4所述的多阶横模抑制的声表面波换能器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚远，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：