分子光电子存储器制造技术

一种用于采用光学状态变化的有机聚合物膜（５０２－５１４）作为由该方法制造的光电子高密度存储器和高密度光电子存储器中的信息存储层（８１４）。在一些实施例中，可以制造光学状态变化有机聚合物膜以展示出通过施加电场可以被局部、稳定并可逆地诱发的展示出两种不同的稳定光学状态（图３－４），一种为透明，另一种为光吸收和／或光反射。在各实施例中，信息被数字编码在信息存储层（８０４）中作为位，由相应于该位的信息存储层的区域（８０２）的光学状态表示每一位的值。在各实施例中，可以通过将小区域暴露于可见光并确定信息存储层下面的信息存储介质中的光电二极管层是否响应于照明产生电流，来确定信息存储层的小区域的光学状态。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器件，且更为具体地，涉及使用有机聚合物膜作为存储介质的光电存储器，通过所施加的电场方向的改变，该有机聚合物膜可以局部并可逆地在透明状态与彩色可见光吸收和/或反射状态之间转换。
技术介绍
目前对各种类型的高密度电、磁和光学存储器、以及各种混合技术存储器进行重要的研究和开发努力。随着在最近40年表示存储的位的存储介质区的大小和传统磁盘存储器及电子存储器的存储器存取速度已经持续下降，新型超高密度存储器很快在成本效率、耐用性、存储信息稳定性和其它理想特性方面超过了传统存储器。许多更新型存储器基于半导体有机聚合物膜和其它新材料。从有机半导体聚合物的一类中已经成功地开发出较廉价、高密度、熔凝型存储器。在这些存储器中，用大电流写存储器，然后用较低的电流读存储器。虽然熔凝型有机聚合物膜基存储器在包括数码相机存储器的大量应用中十分有效且成本经济，高密度存储器的研究者和开发人员继续认识到了对新型、稳定、超高密度、可重写性存储器件的需求。
技术实现思路
本专利技术的各实施例提供一种光电子存储器，该光电子存储器包括可以通过施加电场而在至少两个光学状态之间被局部并可逆地转换的信息存储介质和探测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电子存储器，包括：信息存储介质（３０４、３０６、３０８、３１０、８１４），通过施加电场（４０２）信息存储介质在至少两个光学状态（图３－４）之间被局部并可逆地转换；信息存储层光学状态探测装置（８０８、８１０、８１２、８０ ２），该探测装置探测并报告信息存储介质的各区域的光学状态。

【技术特征摘要】
US 2003-11-25 10/7215741.一种光电子存储器，包括信息存储介质(304、306、308、310、814)，通过施加电场(402)信息存储介质在至少两个光学状态(图3-4)之间被局部并可逆地转换；信息存储层光学状态探测装置(808、810、812、802)，该探测装置探测并报告信息存储介质的各区域的光学状态。2.权利要求1的光电子存储器，其中信息存储层光学状态探测装置还包括在信息存储介质内的探测层(808、810)，该层取决于信息存储介质的光学状态不同地响应于询问信号；和读/写器件(802)，该器件将询问信号施加到信息存储介质的各区域并根据探测层的响应来产生报告信号。3.权利要求2的光电子存储器，其中，当信息存储介质在第一光学状态(图4)下时，探测层(808、810)响应透过信息存储介质透射的基于电磁辐射的询问信号，而当信息存储介质在第二光学状态(图3)下时，响应不透射通过信息存储介质的基于电磁辐射的询问信号。4.组合在光电子存储器件中的权利要求1的光电子存储器，其中信息存储层光学状态探测装置包括在信息存储介质内的探测层(808、810)，该层可以探测施加的电磁辐射束是否在信息存储介质的不同位置透射通过信息存储介质；和读/写器件(802)，该器件施加电场以将信息写入信息存储层并施加电磁辐射束以便读取存储在信息存储层中的信息。5.权利要求4的光电子存储器件，其中信息存储层包括具有较刚性的稠环有机染料基平面网络(510-513)和乙炔键合的可旋转分子成分(502-509)的二维光学状态变化有机聚合物(502-514)；其中可旋转分子成分(304、306、502-509)可以通过施加电场(402)来被旋转取向；和其中可旋转分子成分可以在与较刚性的稠环有机染料基平面络共平面的旋转位置稳定取向，产生吸收和/或反射特定频率范围的电磁辐射的全共轭有机染料基二维聚合物，且其中，可旋转分子成分可以在近似正交于较刚性的稠环有机染...

【专利技术属性】
技术研发人员：H李，SXA张，
申请(专利权)人：惠普开发有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]