一种应用于SOC的电平转换电路制造技术

一种应用于SOC的电平转换电路，包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、供给电压VDDH。本实用新型专利技术优点：本实用新型专利技术在SOC上电时，仍然能有效控制其输出所控制的电路。为满足SOC低功耗需求，在VDDL掉电后，本实用新型专利技术仍然能有效控制其输出所控制的电路。解决了普通Level

【技术实现步骤摘要】
一种应用于SOC的电平转换电路


[0001]本技术涉及本技术涉及模拟电路、SOC领域，尤其是一种应用于SOC 的电平转换电路。

技术介绍

[0002]在大规模的SOC系统中集成了多种功能模块，这些模块的电源电压往往是不相同的，当属于不同电源电压的模块相互连接时，尤其是低电平向高电平转换时，需要插入电平转换电路，即Level
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Shifter。
[0003]常见的Level
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Shifter的结构，输入低电压，输出高电压。图中的反相器采用的是低压管，其他的四个MOS管都是用的高压管。这种结构主要有如下缺点：
[0004]缺点1：在SOC系统中上电时，高电压VDDH一般在低电压VDDL之前稳定，会出现如图2所示的情况。由于输入电压没有稳定，会导致输出电压出现不稳态。 Level
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Shifter自身可能会漏电。其后级的电路也不能被有效的电平控制。
[0005]在SOC系统中，一些关键的模拟电路，如电源和时钟模块，其控制的开关会受数字电路控制，如图3所示。在上电的过程中，由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于SOC的电平转换电路，其特征在于：包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、供给电压VDDH；其中，第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2的源极连接供给电压VDDH，第一PMOS管MP1的栅极连接于第二PMOS管MP2的漏极，第二PMOS管MP2的栅极连接于第一PMOS管MP1的漏极；第一PMOS管MP1的栅极连接于第三NMOS管MN3的栅极，第三NMOS管MN3的漏极连接于第一PMOS管MP1的漏极，第三NMOS管MN3的源极接地，第一PMOS管MP1的漏极和第三NMOS管MN3的漏极共同连接于第五NMOS管MN5的漏极，第五NMOS管MN5的栅极连接供给电压VDDH，第五NMOS管MN5的源极连接于第一NMOS管MN1的漏极，第一NMOS管MN1的源极连接公共接地端电压；第二PMOS管MP2的栅极连接于第四NMOS管MN4的栅极，第四NMOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱林，袁永斌，
申请(专利权)人：苏州知码芯信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：