【技术实现步骤摘要】
一种正电压电平向负电压电平转换的电路
[0001]本技术涉及集成电路
,尤其涉及一种正电压电平向负电压电平转换的电路。
技术介绍
[0002]在工业控制、通信系统中,常常需要一种将外部的标准TTL/CMOS正电压电平信号变换为电路内部所需的负电平信号,比如将0/+5v电压信号转换为
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5/0v电压信号。以往的电平转换电路常常基于高耐压器件来实现,在电路板级实现时对分立器件特性提出了较高要求,不利于经济性与便利性,器件选择范围受限。在集成电路芯片级实现时,对器件工艺提出了需具备高耐压器件的特殊要求,不利于常规工艺集成实现,且高耐压器件占用的实际芯片面积也较大,限制了其应用范围与灵活性。
技术实现思路
[0003]为了解决现有技术存在的上述问题,本技术的目的在于提供一种正电压电平向负电压电平转换的电路,可以可靠地完成正电平电压信号向负电平电压信号的转换,避免使用高压特殊器件,可直接集成应用在常规低压CMOS工艺中。
[0004]为了解决上述技术问题,本技术采用的技术方案如下:一种正电压 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种正电压电平向负电压电平转换的电路,其特征在于:包括依次连接的偏置电路和电平变换核心电路,所述偏置电路产生偏置信号为电平变换核心电路提供直流工作点,所述电平变换核心电路将输入的正电压电平信号转换为电路内部的负电压电平信号;所述偏置电路包括第一PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS的漏极相连后输出第一电平信号,所述第一PMOS管的源极接地,所述第一PMOS管的栅极与第一PMOS管的漏极相连,所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极相连后输出第二电平信号,所述第一NMOS管的栅极与第一NMOS管的漏极相连,所述第二NMOS管的源极接至负压电源,所述第二NMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极相连;所述电平变换核心电路包括第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管,所述第二PMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连后接地,所述第二PMOS管的源级...
【专利技术属性】
技术研发人员:王洋,
申请(专利权)人:南京工业职业技术大学,
类型:新型
国别省市:
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