一种VPP端口的复用电路及VPP端口可复用的芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种VPP端口的复用电路及VPP端口可复用的芯片，其中，复用电路包括第一PMOS管、电压选择电路以及PMOS管控制电路单元；电压选择电路的输入端分别电连接芯片的VDD端以及VPP端，电压选择电路的输出端分别电连接第一PMOS管的衬底端以及PMOS管控制电路单元的电压端；第一PMOS管的漏极电连接VDD端，第一PMOS管的源极电连接VPP端；PMOS管控制电路单元的输入端电连接芯片的使能端，PMOS管控制电路单元的输出端电连接第一PMOS管的栅极；本发明专利技术在VPP端增加了PMOS管，使其在非烧录时具备推挽输出或输出拉电流功能，从而与普通IO功能相兼容，可被复用，且同时在烧录时还不会引起VPP高压对芯片系统电源VDD的影响，提高了芯片的扩展应用范围。芯片的扩展应用范围。芯片的扩展应用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种VPP端口的复用电路及VPP端口可复用的芯片


[0001]本专利技术属于芯片
，具体涉及一种VPP端口的复用电路及VPP端口可复用的芯片。

技术介绍

[0002]目前，MCU(Microcontroller Unit，微控制单元)芯片通常都具备OTP(One TimeProgrammable)寄存器，以实现程序的烧录；因而，大多芯片都具有VPP(Voltage Peak
‑
Peak，峰峰值)端口；但是，在现有的VPP端口设计中，其不具备拉电流输出和输出高电平的能力，即其不支持推免输出，其原因为：
[0003]在程序烧录时，需要向VPP端口接入高压，如果VPP端口有用于输出拉电流或输出高电平的PMOS管，则会导致高压灌到芯片的供电电源VDD(Voltage Drain Drain，电源电压)上，从而影响芯片的正常工作；因此，现有的VPP端口一般不设有输出拉电流的PMOS管；由此，则会导致带有VPP端口的MCU芯片中，总有一个端口不兼具其它端口功能；如6脚的封装，除去VDD与GND引脚外，仅剩3个IO端口可做推挽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种VPP端口的复用电路，其特征在于，包括：第一PMOS管(Q1)、电压选择电路以及PMOS管控制电路单元；所述电压选择电路的输入端分别电连接芯片的VDD端以及VPP端，所述电压选择电路的输出端分别电连接所述第一PMOS管(Q1)的衬底端以及所述PMOS管控制电路单元的电压端，用于选择VDD端以及VPP端之间较大的电压作为输出电压；所述第一PMOS管(Q1)的漏极电连接所述VDD端，所述第一PMOS管(Q1)的源极电连接所述VPP端；所述PMOS管控制电路单元的输入端电连接芯片的使能端，所述PMOS管控制电路单元的输出端电连接所述第一PMOS管(Q1)的栅极，用于根据所述使能端输出的电平信号，导通或截止所述第一PMOS管(Q1)，其中，当所述芯片的使能端输出低电平时，所述第一PMOS管(Q1)的栅极电压等于所述VPP端的电压，以关断所述第一PMOS管(Q1)。2.如权利要求1所述的一种VPP端口的复用电路，其特征在于，所述使能端包括第一使能管脚以及第二使能管脚；其中，所述PMOS管控制电路单元包括第一或非门(B1)、第一电平转换电路、第一电平反相电路以及第二电平反相电路；所述第一电平反相电路的输入端电连接所述第一使能管脚，所述第一电平反相电路的输出端电连接所述第一或非门(B1)的第一输入端，所述第一或非门(B1)的第二输入端电连接所述第二使能管脚；所述第一或非门(B1)的输出端通过所述电平转换电路电连接所述第二电平反相电路的输入端，所述第二电平反相电路的输出端电连接所述第一PMOS管(Q1)的栅极，且所述第二电平反相电路的电压端电连接所述电压选择电路的输出端。3.如权利要求2所述的一种VPP端口的复用电路，其特征在于，所述第一电平反相电路包括第一反相器(A1)，所述第二电平反相电路包括第二反相器(A2)。4.如权利要求1所述的一种VPP端口的复用电路，其特征在于，所述电压选择电路包括：第二PMOS管(Q2)以及第三PMOS管(Q3)；所述第二P...

【专利技术属性】
技术研发人员：张兵，王铭义，杜立杰，
申请(专利权)人：上海芯圣电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：