系统软错误的样本筛选的方法技术方案

一种系统软错误的样本筛选的方法。首先，根据第一测试条件对存储设备的存储单元执行写入与读取的操作，以找出发生硬错误的存储单元。接着，根据第二测试条件对该存储设备的存储单元执行读取操作，以找出发生功能性错误的存储单元。根据第三测试条件对该存储设备的存储单元执行读取操作，以找出发生软错误的存储单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种数据检测方法，且特别有关于一种。
技术介绍
动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，以下称DRAM)的存储单元是由一个金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor，MOS)晶体管和电容构成，藉由电容中电荷的大小可以储存″0″与′1″的数字数据。在进行高集积度(High Density)DRAM的研究时，发现DRAM封装材料中微量放射性元素所放射出的α粒子会影响电容中的储存电荷而改变储存数据。相对于元件因为绝缘层破坏或是导线断路而造成永久性故障的硬错误(HardError)，由于这种因为α粒子撞击而影响电容电荷的情形并非永久性破坏，因此这种破坏模式称为软错误(Soft Error)。软错误即在读取数据出现的读取错误，这种错误是可以更正的，在几次重试之后还是能将数据读取出来。软错误经过重试之后可以取得正确的数据，故通常称为可更正的读取错误。对于高容量DRAM而言，由于元件越来越小，电容的储存电荷量也越来越小，因此软错误的问题将会越来越严重，因此如何改善软错误的问题将是提高DRAM集积度最大的挑战之一。同理，除了DRAM会产生软错误的问题之外，其它具有电荷储存功能的存储器如静态随机存取存储器(SRAM)也都有软错误的问题。实际上，DRAM受到α粒子撞击之后造成储存内容改变的方式有两种。第一种如第1A、1B图所示，当α粒子沿着α粒子轨迹140直接撞击到存储单元中的电容110时，称为存储单元模式错误(cell mode error)。如果存储单元中原本储存电荷时(″0″)，α粒子撞击所激发的电子不会影响存储单元的储存状态，但是如果原本存储单元中没有储存电荷时(″1″)，激发的电子有可能流到存储单元中而将储存状态由″1″改变成″0″。因此存储单元模式错误会造成存储单元信号由″1″变成″0″的错误。另一种如第1C图所示，与DRAM的感应放大器电路210动作有关称为位线模式错误(bit line erfor)。当图中的字符线250开启使得电位由电容流向位线230，这时如果位线230受到α粒子撞击时会造成电位降低，因感应放大器电路210动作原理，而使得感应放大器电路210读取信号判断异常。在这种模式下，会分别产生″1″→″0″的错误和″0″→″1″的错误。如上所述，除了硬错误和软错误以外，DRAM在执行软错误率(Soft ErrorRate，SER)测试的过程中，可能会因为其它问题而发生错误(如DRAM本身内部的读取错误)，以致于在生产制造过程中需对DRAM进行更多的检查，导致制造效率变低或制造成本增加。因此，本专利技术提出了一种以解决上述问题。
技术实现思路
基于上述目的，本专利技术实施例揭露了一种，其包括(a)提供存储设备，其包括多个存储单元且每一存储单元对应一地址；(b)依该等地址的顺序对每一存储单元执行写入与读取操作；(c)根据第一测试条件，若在对目前的存储单元执行该写入与读取操作时没有错误发生，则接着判断是否对最后存储单元完成写入与读取操作；(d)若尚未对该最后存储单元完成该写入与读取操作，则继续对下一存储单元执行写入与读取操作；(e)若已对该最后存储单元完成该写入与读取操作，则依该等地址的顺序对该存储设备的每一存储单元执行读取操作；(f)根据第二测试条件，若在对目前的存储单元执行该读取操作时没有功能性的错误发生，则接着判断是否对最后存储单元完成读取操作；(g)若尚未对该最后存储单元完成该读取操作，则继续对下一存储单元执行写入与读取操作；(h)若已对该最后存储单元完成该读取操作，则依该等地址的顺序对该存储设备的每一存储单元执行读取操作；(i)根据第三测试条件，若在对目前的存储单元执行该读取操作时没有错误发生，则接着判断是否对最后存储单元完成写入与读取操作；(j)若尚未对该最后存储单元完成该写入与读取操作，则继续对下一存储单元执行读取操作；(k)若已对该最后存储单元完成该写入与读取操作，则接着判断上述测试流程所花费的时间是否超过预设时间；(1)若上述测试流程所花费的时间超过该预设时间，则对下一存储设备执行上述测试流程；以及(m)若上述测试流程所花费的时间支超过该预设时间，则继续对下一存储单元执行读取操作。附图说明第1A、1B图是显示DRAM电容所产生的软错误的示意图。第1C图是显示DRAM的感应放大器线路所产生的软错误的示意图。第2图是显示传统上系统软错误的样本筛选方法的步骤流程图。第3A、3B图是显示本专利技术实施例的系统软错误的样本筛选方法的步骤流程图。110～电容120～n+位线130～电子140～α粒子轨迹150～电洞160～充满位能的位能井170～空的位能井210～感应放大器220～α粒子轨迹230～位线240～时钟用字符线250～字符线260～存储单元270～多余单元具体实施方式为让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。本专利技术实施例揭露了一种。以下再简述传统上检测软错误率的流程。参考第2图，首先，将数据写入存储设备中(步骤S11)，这里所谓的数据，即如上文所述的DRAM的存储单元中，表示为″0″或″1″的电荷。接着，读取存储设备的存储单元中储存的数据，并且判断是否有写入错误发生(步骤S12)。若是，则执行步骤S13，否则执行步骤S14。当写入的数据为“0.1.0.1.0.1...”而读出的数据为“0.1.1.1.0.1...”时，即表示发生写入与读取错误，故将该错误状况记录下来(步骤S13)，然后执行步骤S14。接下来，若没有发生写入与读取错误，则接着判断所有数据是否皆写入与读取完成(步骤S14)。因测试系统与测试板的关系是以矩阵方式排列，即每一行集成电路(IC)数据皆对应于该测试系统的一地址。写入时是依地址顺序将数据写入，而读取时也是依地址顺序将数据读取出来。因此，在本步骤中是判断是否对每一地址的存储单元完成执行数据的写入与读取操作。当对所有地址的存储单元完成数据的写入与读取操作，则接着执行步骤S15。否则，当对目前地址(非为最后的地址)的存储单元完成数据的写入与读取操作，则接着回到步骤S11，继续对下一笔地址的存储单元执行数据的写入与读取操作。步骤S11～步骤S14主要是在检测所有数据是否可以顺利写入存储单元与自存储单元读取，并且将有发生读写错误的存储单元标记(mark)起来，然后再对正常的存储单元执行相关测试操作。接下来，依照地址顺序对正常的存储单元执行读取操作，并且判断数据是否错误(步骤S15)。若是，则执行步骤S16，否则跳到步骤S20。当读取存储单元时发生错误，接着判断该错误为多位元(multi-bit)错误或单位元(single-bit)错误(步骤S16)。若为多位元错误，则将对应的存储单元标记起来(步骤S17)。接着再执行一次如上文所述的写入与读取操作，然后回到步骤S15。若为单位元错误，则对该存储单元再次执行边际(marginal)测试并读取之，以判断该错误是否为读取错误(步骤S18)。若发现可正常读取数据，表示该错误为暂时性的错误，而发生该暂时性错误的原因可能是测试系统本身的问题，或者是存储单元因为外在噪声(noise)所导致，表示该错本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种系统软错误的样本筛选的方法，其适用于测试流程中，包括下列步骤：（ａ）提供存储设备，其包括多个存储单元且每一存储单元对应一地址；（ｂ）依该等地址的顺序对每一存储单元执行写入与读取操作；（ｃ）根据第一测试条件，若在对 目前的存储单元执行该写入与读取操作时没有错误发生，则接着判断是否对最后存储单元完成写入与读取操作；（ｄ）若尚未对该最后存储单元完成该写入与读取操作，则继续对下一存储单元执行写入与读取操作；（ｅ）若已对该最后存储单元完成该写入 与读取操作，则依该等地址的顺序对该存储设备的每一存储单元执行读取操作；（ｆ）根据第二测试条件，若在对目前的存储单元执行该读取操作时没有功能性的错误发生，则接着判断是否对最后存储单元完成读取操作；（ｇ）若尚未对该最后存储单元完 成该读取操作，则继续对下一存储单元执行写入与读取操作；（ｈ）若已对该最后存储单元完成该读取操作，则依该等地址的顺序对该存储设备的每一存储单元执行读取操作；（ｉ）根据第三测试条件，若在对目前的存储单元执行该读取操作时没有错误发 生，则接着判断是否对最后存储单元完成写入与读取操作；（ｊ）若尚未对该最后存储单元完成该写入与读取操作，则继续对下一存储单元执行读取操作；（ｋ）若已对该最后存储单元完成该写入与读取操作，则接着判断上述测试流程所花费的时间是否超 过预设时间；（ｌ）若上述测试流程所花费的时间超过该预设时间，则对下一存储设备执行上述（ａ）～（ｋ）的测试步骤；以及（ｍ）若上述测试流程所花费的时间未超过该预设时间，则继续对下一存储单元执行读取操作。...

【技术特征摘要】
1.一种系统软错误的样本筛选的方法，其适用于测试流程中，包括下列步骤(a)提供存储设备，其包括多个存储单元且每一存储单元对应一地址；(b)依该等地址的顺序对每一存储单元执行写入与读取操作；(c)根据第一测试条件，若在对目前的存储单元执行该写入与读取操作时没有错误发生，则接着判断是否对最后存储单元完成写入与读取操作；(d)若尚未对该最后存储单元完成该写入与读取操作，则继续对下一存储单元执行写入与读取操作；(e)若已对该最后存储单元完成该写入与读取操作，则依该等地址的顺序对该存储设备的每一存储单元执行读取操作；(f)根据第二测试条件，若在对目前的存储单元执行该读取操作时没有功能性的错误发生，则接着判断是否对最后存储单元完成读取操作；(g)若尚未对该最后存储单元完成该读取操作，则继续对下一存储单元执行写入与读取操作；(h)若已对该最后存储单元完成该读取操作，则依该等地址的顺序对该存储设备的每一存储单元执行读取操作；(i)根据第三测试条件，若在对目前的存储单元执行该读取操作时没有错误发生，则接着判断是否对最后存储单元完成写入与读取操作；(j)若尚未对该最后存储单元完成该写入与读取操作，则继续对下一存储单元执行读取操作；(k)若已对该最后存储单元完成该写入与读取操作，则接着判断上述测试流程所花费的时间是否超过预设时间；(l)若上述测试流程所花费的时间超过该预设时间，则对下一存储设备执行上述(a)～(k)的测试步骤；以及(m)若上述测试流程所花费的时间未超过该预设时间，则继续对下一存储单元执行读取操作。2.根据权利要求1所述的系统软错误的样本筛选的方法，其还包括(c1)根据该第一测试条件，若在对该目前的存储单元执行该写入与读取操作时发生该错误，则将该错误状况记录起来。3.根据权利要求1所述的系统软错误的样本筛选的方法，其还包括(f1)根据该第二测试条件，若在对该目前的存储单元执行该读取操作时发生该功能性的错误，则该功能性的错误状况记录起来。4.根据权利要求1所述的系统软错误的样本筛选的方法，其还包括下列步骤(i1)根据该第三测试条件，若在对该目前的存储单元执行该读取操作时发生错误，则接着判断该错误为多位元错误或为单位元错误；(i2)若该错误为该多位元错误，则将该存储单元标记起来；以及(i3)若该错误为该单位元错误，则对该存储单元执行边际测试并读取之，且当该错误非为读取错误时，判断该错误为软错误或硬错误。5.一种储存媒体，用以储...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭烜超，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]