存储电路制造技术

本发明专利技术提供一种存储电路，包括：映射到可从处理器存取的地址空间的第一存储单元，和不映射到所述地址空间、且具有与所述第一存储单元相同结构的第二存储单元，其中还包括用于执行与所述存储电路相关的控制功能的控制电路，而所述第二存储单元的输出信号线连接到所述控制电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储电路，且装备有用于操作定时发生或过程补偿的复制存储单元。
技术介绍
对于宏存储器和静态随机存取存储器(SRAM)，例如用来临时保存诸如计算结果和存储器存取所需要的地址之类的数据的寄存器堆，控制其电源电压和衬底电压可以有效地减少功率消耗。当执行这种控制时，需要设置控制值。然而，常规上，如ISSCC2003文件6.4(图6.4.1)“带有对芯片级多处理器自适应和通用控制的自治非中立化低功率系统”中所图示的，通过使用设在宏存储器外部的保存电路(storage circuit)来设置这种控制值。根据将要控制的对象以及状态的数目，来增加保存电路，如控制电源电压和衬底电压所需的触发器的数量。因此，在多个控制对象和多状态的情况下，会增加电路面积。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的一个主要目的在于减少用于控制的单独需要的保存电路数量，从而减小电路面积。为了解决上述问题，本专利技术的存储电路(memory circuit)安装在一个用于操作定时发生和过程补偿的复制存储单元。尽管该复制存储单元在正常工作过程中不能用作正常存储器，但根据使用目的，它能够存储各种信息。根据本专利技术，通过在复制存储单元内保存控制值并基于该控制值产生控制信号，来减少现有技术中单独需要的用于控制的保存电路。应该注意，根据本专利技术，与该复制存储单元对应的存储单元表述为“第二存储单元”。本专利技术的存储电路，包括映射到可从处理器存取的地址空间的第一存储单元，不映射到所述地址空间，并且具有与所述第一存储单元相同结构的第二存储单元，以及用于执行与所述存储电路相关的控制功能的控制电路，其中所述第二存储单元的输出信号线连接到所述控制电路。另外，进一步提供定时发生电路，优选地，所述控制电路执行与所述定时发生电路执行的存取定时控制不同的控制功能，并且所述定时发生电路通过参照从所述第二存储单元获取的值，产生对所述第一存储单元的存取定时。根据本专利技术前面所述的结构，第一存储单元相当于与正常使用形式的存储单元，第二存储单元相当于复制存储单元。根据现有技术，第二存储单元用来将位线或者字线的负荷复制(拷贝/重构)到第一存储单元，并且不使用(参照)存储在第二存储单元中的信息。同时，根据本专利技术，第二存储单元的输出信号线连接到执行与存储电路相关的控制功能(例如处理器和存储电路的控制)的控制电路。因此，控制电路能够使用(参照)保存在第二存储单元内的值。结果是，不需要单独提供常规所需的诸如触发器之类的用于控制的保存电路，因此可以减少电路面积。优选地，提供该第二存储单元用于补偿第一存储单元的特性波动。在前面提到的结构中，提供第二存储单元并不用于定时发生，而是用于过程补偿(process compensation)，并且也不需要定时发生电路。因此，通过将第二存储单元的输出信号线连接到控制电路，控制电路能够使用第二存储单元内保存的值。结果是，不需要单独提供常规所需的诸如触发器之类的用于控制的保存电路，因此可以减少电路面积。另外，根据受控制对象和控制内容，控制电路能够采用如下各种形式。也就是，在第一方面，与处理器的控制相关的值被记录在第二存储单元内，控制电路通过参照第二存储单元内的该值来控制处理器。根据此方面，不再需要现有技术中处理器内部需要的用来控制处理器的保存电路，从而可减少电路面积。在第二方面，与存储电路内部控制相关的值被记录在第二存储单元中，控制电路通过参照第二存储单元内的该值来执行存储电路的内部控制。根据此方面，不再需要现有技术中需要的用来控制存储电路的保存电路，从而可减少电路面积。并且，通过执行存储电路内部的控制，可减小处理器的负荷。在第三方面，与存储电路的电源电压相关的值被记录在第二存储单元中，控制电路通过参照第二存储单元内的该值来控制存储电路的电源电压。根据此方面，通过控制电源电压，可进一步减小功率消耗，并进一步提高工作速度。在第四方面，与存储电路的衬底电压相关的值被记录在第二存储单元中，控制电路通过参照第二存储单元内的该值来控制存储电路的衬底电压。根据此方面，通过控制衬底电压，可进一步减小功率消耗，并进一步提高工作速度。在第五方面，与存储电路的工作频率相关的值被记录在第二存储单元中，控制电路通过参照第二存储单元内的该值来控制存储电路的工作频率。根据此方面，通过控制工作频率，可进一步减小功率消耗，并进一步提高工作速度。在第六方面，与存储电路的端口存取控制相关的值被记录在第二存储单元中，控制电路通过参照第二存储单元内的该值来控制存储电路的端口存取。根据此方面，通过控制存储电路的端口存取，可进一步减小功率消耗，并进一步提高工作速度。此外，通过执行存储电路内部的控制，可减小处理器的负荷。在第七方面，与存储电路的输入/输出信号的定时调整相关的值被记录在第二存储单元中，控制电路通过参照第二存储单元内的该值来执行存储电路的输入/输出信号的定时调整。根据此方面，通过执行存储电路的输入/输出信号的定时调整，可进一步优化存储电路的建立、保持和存取时间等。在第八方面，与存储电路的内部信号的定时校正相关的值被记录在第二存储单元中，控制电路通过参照第二存储单元内的该值来控制存储电路内部信号的定时校正。根据此方面，通过执行存储电路内部信号的定时校正，能够进一步抑制电源电压的压降对工作速度的影响。在第九方面，进一步提供一个用于抑制所述存储电路内部串扰的串扰抑制电路，与所述存储电路内的串扰抑制相关的值被记录在所述第二存储单元内，并且所述控制电路通过参照所述第二存储单元内的该值控制所述串扰抑制电路。根据此方面，通过控制存储电路的串扰抑制电路，可进一步减小功率消耗，并进一步提高了工作速度。另外，通过执行存储电路内部的控制，可减小处理器的负荷。在第十方面，所述控制电路布置在所述存储电路内的靠近所述第二存储单元的空区域内。根据此方面，通过将控制电路布置在一个最初为空的区域中，可进一步减小电路面积。在第十一方面，所述输出信号线由所述存储电路的位线组成。根据此方面，通过使用存储电路的位线，可进一步减小电路面积。在第十二方面，所述输出信号线由不同于所述存储电路的位线的线组成。根据此方面，通过独立于位线提供输出信号线，不需要输出信号线的控制，因此可简化设计。在第十三方面，所述处理器设置将要写入所述第二存储单元内的值。根据此方面，通过使用处理器设置前面所述的值，能够进一步减小存储电路的电路面积。此外，处理器可以设置任意值。在第十四方面，进一步提供一个写入值设置电路，用于设置将要写入所述第二存储单元内的值。根据此方面，可以随意设置将要写入所述第二存储单元内的值，并且，可从多个控制状态中选取任意一个。在第十五方面，所述写入值设置电路布置在所述存储电路内靠近所述第二存储单元的空区域内。根据此方面，通过将写入值设置电路布置在最初为空的区域中，可进一步减小电路面积。在第十六方面，所述写入值设置电路基于所述存储电路的内部状态设置所述值。根据此方面，通过根据存储电路的状态产生前面所述的值，能够根据存储电路的工作设置该值，并且能使存储电路进行自校正控制。在第十七方面，所述写入值设置电路基于所述存储电路的工作速度设置所述值。根据此方面，通过根据存储电路的工作速度设置写入值，能够根据存储电路的工作速度进行控制，并且能够降低功本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储电路，包括：映射到可从处理器存取的地址空间的第一存储单元；不映射到所述地址空间、且具有与所述第一存储单元相同结构的第二存储单元；以及用于执行与所述存储电路相关的控制功能的控制电路，其中所述第二存储单元 的输出信号线连接到所述控制电路。

【技术特征摘要】
JP 2005-11-4 2005-3206161.一种存储电路，包括映射到可从处理器存取的地址空间的第一存储单元；不映射到所述地址空间、且具有与所述第一存储单元相同结构的第二存储单元；以及用于执行与所述存储电路相关的控制功能的控制电路，其中所述第二存储单元的输出信号线连接到所述控制电路。2.根据权利要求1所述的存储电路，进一步包括定时发生电路，其中所述控制电路执行与所述定时发生电路执行的存取定时控制不同的控制功能，并且所述定时发生电路通过参照从所述第二存储单元获取的值，产生对所述第一存储单元的存取定时。3.根据权利要求1所述的存储电路，其中所述第二存储单元用于补偿所述第一存储单元的特性波动。4.根据权利要求1所述的存储电路，其中所述第二存储单元用于复制与所述第一存储单元相连的字线或者位线的负荷。5.根据权利要求1所述的存储电路，其中与所述处理器的控制相关的值被记录在所述第二存储单元中，并且所述控制电路通过参照所述第二存储单元中的该值控制所述处理器。6.根据权利要求1所述的存储电路，其中与所述存储电路的内部控制相关的值被记录在所述第二存储单元中，并且所述控制电路通过参照所述第二存储单元中的该值执行所述存储电路的内部控制。7.根据权利要求1所述的存储电路，其中与所述存储电路的电源电压相关的值被记录在所述第二存储单元中，并且所述控制电路通过参照所述第二存储单元中的该值控制所述存储电路的电源电压。8.根据权利要求1所述的存储电路，其中与所述存储电路的衬底电压相关的值被记录在所述第二存储单元中，并且所述控制电路通过参照所述第二存储单元中的该值控制所述存储电路的衬底电压。9.根据权利要求5所述的存储电路，其中与所述存储电路的工作频率相关的值被记录在所述第二存储单元中，并且所述控制电路通过参照所述第二存储单元中的该值控制所述存储电路的工作频率。10.根据权利要求6所述的存储电路，其中与所述存储电路的端口存取的控制相关的值被记录在所述第二存储单元中，并且所述控制电路通过参照所述第二存储单元中的该值控制所述存储电路的端口存取。11.根据权利要求6所述的存储电路，其中与所述存储电路的输入/输出信号的定时调整相关的值被记录在所述第二存储单元中，并且所述控制电路通过参照所述第二存储单元中的该值执行所述存储电路的输入/输出信号的定时调整。12.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田雄一郎，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]