A memory circuit with arbitrary data read, write and store operations in the memory element which has on the memory element with double value / arithmetic functions. In the period of storage in the read / modify / write state and there is from the storage element data and data from external devices the interval. Some operations on the external data memory device and the data, and the computing results will be stored in the write cycle. In order to achieve a high speed operation.
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一个在其所具有的存贮器元件上可任意进行读出，写入和存贮数据操作的存贮器电路，其特征为所包括的控制电路具备；根据来自装在所述存贮器元件外部的一个器件的第一数据和所述存贮器元件中第二数据，将所述第一数据存入所述存贮器元件的第一状态；将所 述第二数据再次存入所述存贮器元件的第二状态；将所述第二数据反相所得到的反相数据再次存入所述存贮器元件的第三状态。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木村光一，小仓敏彦，青津明，池上充，桑原祯司，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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