一种偏振红外探测器的制备方法技术

本发明专利技术提出了一种偏振红外探测器的制备方法，包括：S100，在硅片上依次生长隔离层和偏振金属层；S200，通过光刻工艺在偏振金属层生成光刻结构层；S300，基于光刻结构层对偏振金属层进行刻蚀，直至未被光刻结构层覆盖的部分漏出隔离层；S400，去除光刻结构层，完成金属偏振光栅制备；S500，将完成金属偏振光栅制备的硅片与红外探测器的碲镉汞表面连接；S600，去除硅片和隔离层，完成偏振红外探测器的制备。本发明专利技术的制备方法，通过预先在硅片上制备偏振光栅，避免了偏振光栅制备过程中损伤红外探测器，而影响红外探测器性能的问题。而且，硅片表面平整度高，偏振光栅制备工艺简单，可以用于制备高消光比的偏振长波碲镉汞探测器。制备高消光比的偏振长波碲镉汞探测器。制备高消光比的偏振长波碲镉汞探测器。

【技术实现步骤摘要】
一种偏振红外探测器的制备方法


[0001]本专利技术涉及微电子工艺
，尤其涉及一种偏振红外探测器的制备方法。

技术介绍

[0002]红外焦平面探测技术具有光谱响应波段宽、可获得更多地面目标信息、能昼夜工作等显著优点，广泛应用于农牧业、森林资源的调查、开发和管理、气象预报、地热分布、地震、火山活动，太空天文探测等领域。碲镉汞长波红外探测器是红外探测技术的代表产品之一，并且是新一代红外探测器的发展方向。
[0003]碲镉汞长波红外探测器是红外探测技术的代表产品之一，为了实现长波红外偏振光的探测，需要在长波碲镉汞探测器上与像元相对应的位置上加工偏振光栅(如图1所示)。由于长波碲镉汞材料极为敏感且物理性质脆弱，因此偏振光栅的制备过程很容易使长波碲镉汞探测器性能劣化，在其表面加工偏振光栅极为困难。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是如何制备偏振红外探测器，本专利技术提出一种偏振红外探测器的制备方法。
[0005]根据本专利技术实施例的偏振红外探测器的制备方法，包括：
[0006]S100，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种偏振红外探测器的制备方法，其特征在于，包括：S100，在硅片上依次生长隔离层和偏振金属层；S200，通过光刻工艺在所述偏振金属层生成光刻结构层；S300，基于所述光刻结构层对所述偏振金属层进行刻蚀，直至未被所述光刻结构层覆盖的部分漏出所述隔离层；S400，去除所述光刻结构层，完成金属偏振光栅制备；S500，将完成金属偏振光栅制备的所述硅片与红外探测器的碲镉汞表面连接；S600，去除所述硅片和所述隔离层，完成所述偏振红外探测器的制备。2.根据权利要求1所述的偏振红外探测器的制备方法，其特征在于，所述光刻结构层为在所述偏振金属层通过光刻工艺生成的具有预设图案的光刻胶。3.根据权利要求1所述的偏振红外探测器的制备方法，其特征在于，所述S300中，采用离子刻蚀设备对未被所述光刻结构层覆盖的所述偏振金属层进行刻蚀。4.根据权利要求1所述的偏振红外探测器的制备方法，其特征在于，在所述S500之前，所述方法还包括：用胶带覆盖保护所述红外探测器读出电路的引出结构。5.根据权利要求1所述的偏振红外探测器的制备方法，其特征在于，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张轶，刘世光，林国画，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：