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本发明提出了一种偏振红外探测器的制备方法，包括：S100，在硅片上依次生长隔离层和偏振金属层；S200，通过光刻工艺在偏振金属层生成光刻结构层；S300，基于光刻结构层对偏振金属层进行刻蚀，直至未被光刻结构层覆盖的部分漏出隔离层；S400，...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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