光检测设备制造技术

本发明专利技术涉及一种光检测设备。该光检测设备可包括：光电转换区；传输晶体管，所述传输晶体管被配置为将来自所述光电转换区的电荷传输到电荷

【技术实现步骤摘要】
光检测设备
[0001]本申请是申请日为2015年12月7日、专利技术名称为“固态图像传感器、成像装置和电子设备”的申请号为201580005763.8的专利申请的分案申请。


[0002]本技术涉及一种固态图像传感器、成像装置和电子设备，更具体地，涉及一种能够在所有像素中切换FD转换效率的固态图像传感器、成像装置和电子设备。

技术介绍

[0003]已经提出了一种具有切换设置在各像素中的浮动扩散(FD)的转换效率的特征的固态图像传感器(图像传感器)(参考专利文献1)。
[0004]因为FD转换效率由与FD的寄生电容的倒数成比例的值来定义，所以转换效率的切换通过寄生电容的切换来实现。
[0005]根据专利文献1的技术基于典型的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，并且提供了用于在具有第一容量的第一FD和具有大于第一容量的第二容量的第二FD之间切换的栅极。为了使转换效率更高，关闭栅极使得第一FD的寄生电容最小化，反之，为了使转换效率更低，打开栅极使得第一FD和第二FD彼此连接，从而寄生电容最大化。r/>[0006]此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光检测设备，包括：光电转换区；传输晶体管，所述传输晶体管被配置为将来自所述光电转换区的电荷传输到电荷
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电压转换部；开关晶体管，所述开关晶体管配置为选择性地将电容器的电容添加到所述电荷
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电压转换部的电容；以及配线层，所述配线层包括：第一电极，所述第一电极连接到所述开关晶体管；和第二电极，所述第二电极与所述第一电极相对，所述第二电极包括第一部分和第二部分，其中，所述电容器包括所述第一电极和所述第二电极，且其中，所述第二电极的所述第一部分和所述第一电极之间的第一距离与所述第二电极的所述第二部分和所述第一电极之间的第二距离不同。2.根据权利要求1所述的光检测设备，其中，所述第一电极和所述第二电极位于不同的层中。3.根据权利要求1所述的光检测设备，其中，所述第一距离大于所述第二距离。4.根据权利要求2所述的光检测设备，其中，所述第一电极在垂直方向上设置在所述第二电极上方。5.根据权利要求1所述的光检测设备，其中，连接到所述电荷
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电压转换部的配线的触头区位于所述开关晶体管和复位晶体管之间。6.根据权利要求1所述的光检测设备，其中，在平面图中，所述第一电极包括具有长方形的部分。7.根据权利要求1所述的光检测设备，其中，所述第二电极连接到预定电势。8.一种光检测设备，包括：光电转换区；传输晶体管，所述传输晶体管被配置为将来自所述光电转换区的电荷传输到电荷
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电压转换部；开关晶体管，所述开关晶体管配置为选择性地将电容器的电容添加到所述电荷
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电压转换部的电容；放大晶体管，所述放大晶体管配置为输出像素信号；以及配线层，所述配线层包括：第一电极，所述第一电极连接到所述开关晶体管；第二电极，所述第二电极与所述第一电极相对；和第三电极，所述第三电极连接到所述传输晶体管，其中，所述电容器包括所述第一电极和所述第二电极，且其中，所述第一电极与所述第三电极不同。9.根据权利要求8所述的光检测设备，其中，连接到所述电荷
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【专利技术属性】
技术研发人员：町田贵志，山下和芳，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：