用于光盘的缺陷探测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种即使当激光源的发射功率发生变化时，也能够在光盘上精确探测灰尘和缺陷的缺陷探测装置。该缺陷探测装置设置有用于通过反射光在光盘上探测缺陷等的缺陷探测单元，以及用于将激光源的发射功率调节到最佳值的功率调节单元。即使当激光功率改变时，该缺陷探测单元也能通过对阈值和根据反射光的值进行比较而精确地探测缺陷，其中该阈值根据功率调节单元的调节结果确定。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于记录-再现装置的缺陷探测装置，该记录-再现装置使用半导体激光器等发射的激光对信息介质记录和再现信息信号。
技术介绍
通常，当使用激光将信息记录在信息介质(以下称为光盘)上时，通过使用从光盘反射的光探测光盘上的光点与所期望轨道的位置偏差，并根据探测信号驱动物镜而进行循轨控制(tracking contrl)，从而能够使光点在所期望的轨道上进行扫描。然而，如果光盘上有灰尘或者在信息层中有瑕疵(以下通常称为缺陷)，就无法获得由光盘反射的精确的反射光，因而也就难于进行精确的循轨控制。当在循轨控制中出现故障时，可能会因此出现激光照射到待记录区域外面的问题。为了避免上述问题，通常使用从反射光的变化中探测光盘上缺陷的方法。这种方法利用了当光盘上存在缺陷时，反射光量减小的现象。也就是说，通过对光盘反射光量和预定阈值的比较能够探测光盘的缺陷。然而，当在光盘上记录信息时，激光源的最佳发射功率取决于光盘等的温度，因此有必要在需要的时候将激光源的发射功率调节到最佳值。激光源的发射功率变化时，从光盘反射的反射光量同时也发生相应变化。因此，在将光盘反射光量与预定阈值相比较的该常规结构中，发现用于探测光盘缺陷的常规结构不能精确探测光盘上的缺陷。根据上述问题，提出了用于探测光盘缺陷的另一种技术，包括以下装置一种装置，用于使用激光通过光学系统照射形成于光盘上的信息轨道，并使用光电探测器接收从该信息轨道反射的反射光，以便于检查记录轨道上的缺陷，从而探测从信息轨道反射的平均反射光；以及一种探测控制装置，用于控制根据平均反射光探测信息轨道上缺陷的装置(例如，见JP60(1985)-107749A，第三页右下第十五行——第四页右上第一行，和图3)。使用这种技术，通过将反射光的平均值假定为阈值，而探测反射光的变化。这样，即使当反射光量变化时，不管反射光量有多少，都能够探测光盘的缺陷。根据上述结构，然而，由于使用平均反射光探测光盘的缺陷，因此不能对激光源功率的突然变化作出响应，所以可能在探测光盘的缺陷时产生问题，例如，当从再现模式到记录模式转换时。也就是说，更具体地，当从再现模式转换到记录模式后，在光盘上立即出现缺陷时，很难探测缺陷，而且循轨控制受到负面影响，因此光束可能施加到记录区域之外。
技术实现思路
根据上述问题，本专利技术的一个目标是提供一种即使当激光源发射功率变化时也能够精确探测光盘缺陷的装置。为了达到上述目标，当使用激光源产生的光束对信息介质记录/再现信息信号时，本专利技术的第一缺陷探测装置对无法记录或者再现的信息介质探测缺陷。第一缺陷探测装置包括一个功率调节单元，用于将激光源的发射功率调节到最佳值；以及一个缺陷探测单元，用于比较根据功率调节单元调节的激光源发射功率而确定的阈值和与反射光相对应的数值，该反射光是经信息介质的信息层反射的光束，并根据比较的结果探测信息层上的缺陷。使用该结构，即使当激光源发射功率改变时，也能够精确探测位于信息介质上信息层诸如尘埃和瑕疵的缺陷。在本专利技术的第一缺陷探测装置中，为了简化缺陷探测单元的结构，优选采用下述结构中的任意一种缺陷探测单元根据从预定激光功率范围中选择的发射功率而确定阈值；根据由功率调节单元所调节的发射功率的平均值确定阈值；根据用预定比率对多个功率电平求和而获得的数值确定阈值，其中对每一个功率电平都有选择地确定了一个发射功率；根据多个功率电平中的最高功率电平确定阈值，其中对每一个功率电平都有选择地确定了一个发射功率；以及根据用于在多个功率电平中擦除的一个擦除功率电平确定阈值，其中对每一个功率电平都有选择地确定了一个发射功率。此外，为了达到上述目标，在使用激光源产生的光束对信息介质记录/再现信息信号时，本专利技术的第二缺陷探测装置对无法记录或者再现的信息介质探测缺陷。第二缺陷探测装置包括一个功率调节单元，用于将激光源的发射功率调节到最佳值；以及一个缺陷探测单元，用于以激光源的发射功率确定的放大因子放大与反射光相对应的信号，其中该反射光是经信息介质的信息层反射的光束，该激光源由功率调节单元调节以便于产生放大反射光量的信号，并用于将与放大反射光量的信号相应的数值和预定阈值相比较，并根据比较的结果探测信息层上的缺陷。使用该结构，即使当激光源发射功率改变时，也能够精确探测位于信息介质上信息层诸如尘埃和瑕疵的缺陷。在本专利技术的第二缺陷探测装置中，为了简化缺陷探测单元的结构，优选采用下述结构中的任何一种缺陷探测单元根据从预定激光功率范围中选择的发射功率确定放大因子；根据由功率调节单元调节的发射功率的平均值确定放大因子；根据用预定比率对多个功率电平求和而获得的数值确定放大因子，其中对每一个功率电平都有选择地确定了发射功率；根据多个功率电平中的最高功率电平确定放大因子，对其中每一个功率电平都有选择地确定了发射功率；或者根据用于在多个功率电平中擦除的擦除功率电平确定放大因子，对多个功率电平中每一个功率电平都有选择地确定了发射功率。附图简述附图说明图1为显示了根据本专利技术实施例1的缺陷探测装置的结构的例子的框图；图2为显示了根据本专利技术实施例1的激光源的发射功率指令的例子图表；图3为本专利技术实施例1中用于说明操作的每部分信号的波形图； 图4为显示了根据本专利技术实施例2的缺陷探测装置的结构的例子的框图；图5为显示了根据本专利技术实施例3的缺陷探测装置的结构的例子的框图；图6为框图，显示了根据本专利技术实施例4的缺陷探测装置中的功率调节单元、BDO探测单元和保持单元的结构例子；图7是本专利技术实施例4中用于说明功率调节单元、BDO探测单元和保持单元每部分操作的信号波形图；图8为框图，显示了根据本专利技术实施例5的缺陷探测装置中的功率调节单元、BDO探测单元和保持单元的结构例子；图9为框图，显示了根据本专利技术实施例6的缺陷探测装置中的功率调节单元、BDO探测单元和保持单元的结构例子。专利技术详述参考附图，本专利技术的优选实施例将作为相变型光盘的例子在下文中进行详细说明。在下述实施例中，因为作为相变型光盘的例子，所以假定激光功率有多个等级，但是当激光功率为单个激光功率或者模拟型激光功率的时候，本专利技术的技术思想也能被类似地应用。(实施例1)图1为结构框图，显示了根据本专利技术实施例1的缺陷探测装置的结构的例子。在图1中，由激光源100发射出的光束照射到光盘101的信息层上，经该信息层反射后，该反射光由光电探测器102探测。循轨误差探测单元106使用设置有被分成多个部分的光电探测元件的光电探测器102的探测信号，根据光盘101上的光束相对于其上形成有信息层的轨道的位置偏差而输出循轨误差信号TE。保持单元109接收从循轨误差探测单元106发出的循轨误差信号TE和下文说明的保持信号BDO1，根据保持信号BDO1对循轨误差信号TE执行保持处理，并随后输出一个伺服循轨误差信号STE。更具体地，当保持信号BDO1为“L”时(其中，“L”表示电压的较低电平)，保持单元109将循轨误差信号TE作为伺服循轨误差信号STE输出，当保持信号BDO1为“H”时(其中，“H”表示电压的较高电平)，保持单元109将零信号作为伺服循轨误差信号STE输出。控制处理单元110接收伺服循轨误差信号STE，执行相位超前(phase lead)补偿处理，并随后输出伺服循轨误差信号STE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缺陷探测装置，当使用激光源产生的光束对信息介质进行记录／再现信息信号时，在不能记录或者再现的该信息介质上探测缺陷，该缺陷探测装置包括：功率调节单元，用于将该激光源的发射功率调节到最佳值；以及缺陷探测单元，用于对根据该激光 源的发射功率所确定的阈值和与该信息介质的信息层所反射光束的反射光相对应的数值进行比较，并根据比较的结果探测该信息层上的缺陷，其中该发射功率由该功率调节单元调节。

【技术特征摘要】
JP 2002-9-20 274532/20021.一种缺陷探测装置，当使用激光源产生的光束对信息介质进行记录/再现信息信号时，在不能记录或者再现的该信息介质上探测缺陷，该缺陷探测装置包括功率调节单元，用于将该激光源的发射功率调节到最佳值；以及缺陷探测单元，用于对根据该激光源的发射功率所确定的阈值和与该信息介质的信息层所反射光束的反射光相对应的数值进行比较，并根据比较的结果探测该信息层上的缺陷，其中该发射功率由该功率调节单元调节。2.根据权利要求1所述的缺陷探测装置，其中所述缺陷探测单元根据从激光功率预定范围中选择的发射功率而确定所述阈值。3.根据权利要求1或者2所述的缺陷探测装置，其中所述缺陷探测单元根据由所述功率调节单元调节的所述发射功率的平均值确定所述阈值。4.根据权利要求1或者2所述的缺陷探测装置，其中由所述功率调节单元调节的所述发射功率包括多个功率电平，并且所述缺陷探测单元根据以预定比率对该多个功率电平求和所获得的值确定所述阈值。5.根据权利要求1或者2所述的缺陷探测装置，其中由所述功率调节单元调节的所述发射功率包括多个功率电平，并且所述缺陷探测单元根据该多个功率电平中最高的功率电平而确定所述阈值。6.根据权利要求1或者2所述的缺陷探测装置，其中由所述功率调节单元调节的所述发射功率包括多个功率电平，并且所述缺陷探测单元根据该多个功率电平中用于擦除的擦除功率电平而确定所述阈值。7.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：上田英司，岸本隆，山田真一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]