【技术实现步骤摘要】
一种像素结构、显示面板及其制备方法、显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种像素结构、显示面板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置由于具有自发光、无需背光模组、对比度及清晰度高、视角宽、全固化、适用于挠曲性面板、温度特性好、低功耗、响应速度快以及制造成本低等一系列优异特性，已经成为新一代平面显示装置的重点发展方向之一，因此日益受到越来越多的关注。
[0003]尽管OLED显示装置的制造技术已较为成熟，但是，OLED显示的色域范围较小，成为制约其走向更大范围应用和提高竞争力的一个关键因素。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种像素结构、显示面板及其制备方法、显示装置，以解决现有的OLED显示装置的色域范围较小的问题。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术公开了一种第一像素结构，包括：
[0006]第一像素界定层，设置在基板上，所述基板包括第一阳极层和...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种第一像素结构，其特征在于，包括：第一像素界定层，设置在基板上，所述基板包括第一阳极层和电极引线，所述第一像素界定层上设置有露出所述第一阳极层的第一像素开口和露出所述电极引线的凹槽，所述凹槽环绕所述第一像素开口；阻断层，部分覆盖所述第一像素界定层，所述阻断层环绕所述凹槽；第一发光器件膜层，设置在所述第一像素开口中；电极层，覆盖所述第一发光器件膜层，且通过所述第一像素界定层上的所述凹槽与所述电极引线连接；第二发光器件膜层，设置在所述电极层上，所述第二发光器件膜层与所述第一发光器件膜层的发光颜色不同，所述阻断层环绕所述第一发光器件膜层、所述电极层及所述第二发光器件膜层；第一阴极层，覆盖所述第二发光器件膜层。2.根据权利要求1所述的第一像素结构，其特征在于，所述阻断层靠近所述凹槽一侧的第一坡度角大于或等于90
°
，且小于或等于145
°
。3.根据权利要求1所述的第一像素结构，其特征在于，所述阻断层包括叠层设置的第一阻断部和第二阻断部，所述第一阻断部靠近所述第一像素界定层设置，所述第二阻断部靠近所述凹槽的一侧超出所述第一阻断部。4.根据权利要求1所述的第一像素结构，其特征在于，在所述第一像素结构的叠层方向上，所述阻断层的高度大于或等于0.1μm，且小于或等于0.5μm。5.根据权利要求1所述的第一像素结构，其特征在于，所述电极层包括叠层设置的第一介质电极层、金属电极层和第二介质电极层，所述第一介质电极层靠近所述第一发光器件膜层设置。6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1
‑
5任一项所述的第一像素结构。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括与所述第一像素结构相邻的第二像素结构，所述第二像素结构包括：第二像素界定层，设置在所述基板上，所述第二像素界定层与所述第一像素界定层同层设置，所述基板还包括第二阳极层，所述第二像素界定层上设置有露出所述第二阳极层的第二像素开口；第三发光器件膜层，设置在所述第二像素开口中，所述第三发光器件膜层与所述第一发光器件膜层同层设置；第二阴极层，覆盖所述第三发光器件膜层，所述第二阴极层与所述电极层同层设置，所述第一阴极层与所述第二阴极层连接。8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二像素结构还包括：有机拓扑绝缘层，部分覆盖所述第二阴极层，所述第二阴极层靠近所述第一像素结构的一部分露出所述有机拓扑绝缘层，所述第一阴极层覆盖所述第二阴极层露出所述有机拓扑绝缘层的部分。9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述阻断层远离所述凹槽一侧的第二坡度角大于或等于10
°
，且小于或等于80
°
。10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
光取出层，覆盖所述第一像素结构和所述第二像素结构；封装层，覆盖所述光取出层。11.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，不同的所述第三发光器件膜层的发光颜色包括至少一种，所述第三发光器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：焦志强，王路，李晓虎，闫华杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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