传感器、操作其的方法、照相机和电子设备技术

本发明专利技术涉及传感器、操作其的方法、照相机和电子设备。传感器包括第一电极和第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的光活性层。光活性层包括被配置为与第一电极形成肖特基结的光吸收半导体。光活性层具有载流子捕获位点，所述载流子捕获位点被配置为俘获基于吸收至少在邻近第一电极的位置处进入光活性层的入射光的光吸收半导体产生的光生载流子。传感器被配置为具有基于在第一电极和第二电极之间施加的电压偏压调节的外量子效率(EQE)。间施加的电压偏压调节的外量子效率(EQE)。间施加的电压偏压调节的外量子效率(EQE)。

【技术实现步骤摘要】
传感器、操作其的方法、照相机和电子设备
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2020年5月11日提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0056122的优先权和权益，将其全部内容通过引用引入本文中。


[0003]公开了传感器和电子设备。

技术介绍

[0004]成像器件生成图像并且可将其作为电信号存储。成像器件包括图像传感器，所述图像传感器根据入射光波长将入射光分解为单独的分量并将各分量转换为电信号。

技术实现思路

[0005]一些实例实施方式提供能够改善效率和灵敏度的一种或多种传感器。
[0006]一些实例实施方式提供包括所述一种或多种传感器的一种或多种电子设备。
[0007]根据一些实例实施方式，传感器可包括第一电极和第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的光活性层，所述光活性层包括被配置为与第一电极形成肖特基结(Schottky junction)的光吸收半导体。光活性层可具有载流子(载荷子)捕获位点(捕获位，捕获位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.传感器，包括：第一电极和第二电极，以及在所述第一电极和所述第二电极之间的光活性层，所述光活性层包括被配置为与所述第一电极形成肖特基结的光吸收半导体，其中所述光活性层具有载流子捕获位点，所述载流子捕获位点被配置为俘获基于吸收至少在邻近所述第一电极的位置处进入所述光活性层的入射光的光吸收半导体产生的光生载流子，和其中所述传感器被配置为具有基于在所述第一电极和所述第二电极之间施加的电压偏压能调节的外量子效率(EQE)。2.如权利要求1所述的传感器，其中随着第一电极和所述第二电极之间的电压偏压变大，所述传感器的外量子效率(EQE)变高，使得所述传感器的外量子效率(EQE)的大小与在所述第一电极和所述第二电极之间的电压偏压的大小成比例。3.如权利要求2所述的传感器，其中在所述第一电极和所述第二电极之间施加的电压偏压大于0MV/cm且小于或等于0.5MV/cm。4.如权利要求1所述的传感器，其中所述传感器的外量子效率(EQE)超过100％。5.如权利要求1所述的传感器，其中所述光吸收半导体包括p型非聚合半导体或n型非聚合半导体之一。6.如权利要求5所述的传感器，其中所述光活性层至少部分地限定单连续相，所述单连续相包括所述p型非聚合半导体或所述n型非聚合半导体之一。7.如权利要求5所述的传感器，其中所述p型非聚合半导体是具有小于或等于5000道尔顿且大于0道尔顿的分子量的p型单体，和所述n型非聚合半导体是具有小于或等于5000道尔顿且大于0道尔顿的分子量的n型单体。8.如权利要求7所述的传感器，其中所述p型单体是包括给电子部分、π共轭部分和受电子部分的有机半导体。9.如权利要求5所述的传感器，其中所述光吸收半导体被配置为吸收在蓝色波长谱、绿色波长谱、红色波长谱或红外波长谱的至少一种中的光。10.如权利要求1所述的传感器，其中基于所述光活性层的总体积，以90％至100％包括所述光吸收半导体，使得所述光活性层的总体积的90％至100％是所述光吸收半导体。11.如权利要求1所述的传感器，其中所述光活性层的厚度等于或大于100nm且小于或等于3μm。12.如权利要求1所述的传感器，其中所述光活性层具有靠近所述第一电极的第一表面，和靠近所述第二电极的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相反，使得所述第一表面和所述第二表面是所述光活性层的相反表面，其中所述光活性层的第一表面的表面粗糙度在0nm和10nm之间。13.如权利要求12所述的传感器，其中在所述光活性层中的所述载流子捕获位点在垂
直于所述光活性层的第一表面延伸的方向上在从所述光活性层的第一表面起的所述光活性层的总厚度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴敬培，朴性俊，房非非，尹晟荣，林宣晶，许哲准，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：