一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路制造技术

本实用新型专利技术公开了DC

【技术实现步骤摘要】
一种基于GaN
‑
SiC器件的高频移相全桥软开关DC
‑
DC变换电路


[0001]本技术涉及DC
‑
DC变换电路领域，具体是一种基于GaN
‑
SiC器件的高频移相全桥软开关DC
‑
DC变换电路。

技术介绍

[0002]DC
‑
DC变换器发展的趋势是高频小型化和高效率。为了减小DC
‑
DC变换器的体积，提高功率密度，需要提高开关频率。然而传统DC
‑
DC变换器中Si开关器件的损耗与开关频率成正相关，开关频率越高，DC
‑
DC变换器损耗越大，效率也越低。因此，基于传统Si开关器件的DC
‑
DC变换器很难兼顾高频小型化和高效率。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种基于GaN
‑
SiC器件的高频移相全桥软开关DC
‑
DC变换电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于GaN
‑
SiC器件的高频移相全桥软开关DC
‑
DC变换电路，包括次级带中间抽头的功率变压器，其特征在于，功率变压器的初级侧连接有移相全桥软开关电路，次级侧连接有同步整流电路；所述移相全桥软开关电路采用GaN晶体管作为开关管，采用SiC二极管作为箝位二极管。2.根据权利要求1所述的一种基于GaN
‑
SiC器件的高频移相全桥软开关DC
‑
DC变换电路，其特征在于，所述同步整流电路采用GaN晶体管作为同步整流管。3.根据权利要求2所述的一种基于GaN
‑
SiC器件的高频移相全桥软开关DC
‑
DC变换电路，其特征在于，所述同步整流电路为全波同步整流电路。4.根据权利要求1所述的一种基于GaN
‑
SiC器件的高频移相全桥软开关DC
‑
DC变换电路，其特征在于，还包括为移相全桥软开关电路的开关管提供驱动信号的数字隔离器和初级PWM驱动器；为同步整流电路的同步整流管提供驱动信号的次级PWM驱动器；从DC
‑
DC变换电路的输出端获取电压采样信号的输出电压采样调理电路；从DC

【专利技术属性】
技术研发人员：邹扬，赵隆冬，朱晓辉，袁宝山，徐成宝，高东辉，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十三研究所，
类型：新型
国别省市：