一种硫化锑微纳米管的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种硫化锑微纳米管的制备方法，属于光电材料制备技术领域。本发明专利技术将固体硫源放置在加热设备的低温加热区，将矿源锑放置在加热设备的高温硫化反应区，采用保护气体进行洗气，然后加热至低温加热区的温度为150～300℃，高温硫化反应区温度为350～500℃，低温加热区的固体硫源释放气态硫与高温硫化反应区的矿源锑反应生成硫化锑，硫化锑在基底上冷凝即得硫化锑微纳米管。本发明专利技术工艺简单，可大规模制备长度为100nm～20mm的大尺寸硫化锑微纳米管，有利于实现光生载流子在径向上的传输与分离，相较于普通球型或无规则硫化锑材料具有更大的比表面积，适用于光电探测及光催化领域。领域。

【技术实现步骤摘要】
一种硫化锑微纳米管的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种硫化锑微纳米管的制备方法，属于冶金工程


技术介绍

[0002]硫化锑(Sb2S3)是辉锑矿的主要成分，V～VI族直接带隙半导体材料，空间群为Pbnm，属于正交晶系晶体结构，能带间隙为1.5～2.2eV。Sb2S3是一种以(Sb4S6)
n
八面体连接在一起的具有层状结构的二元系化合物半导体，具有良好的光导特性和热电性能，在热电设备、电子和光电子器件、光敏器件、红外光谱方面有着广泛的应用。
[0003]现有技术中，硫化锑(Sb2S3)大多采用湿法制备，包括水热法、回流法、化学浴法、旋涂法等，锑源一般为氯化锑(SbCl3)，常用的硫源主要有硫代乙酰胺(TAM)、硫代硫酸钠(Na2S2O3)、硫脲(CN2H4S)等。通常选用的表面活性剂有三乙醇胺(TEA)、酒石酸(TTA)、乙二胺四乙酸(EDTA)或十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)，此类方法工艺路线长，且制备得到的硫化锑形态主要是球形及无定形，难以获得硫化锑微纳米管。
[0004]现有技术中Sb2S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硫化锑微纳米管的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：将固体硫源放置在加热设备的低温加热区，将矿源锑放置在加热设备的高温硫化反应区，采用保护气体进行洗气，然后加热至低温加热区的温度为150～300℃，高温硫化反应区温度为350～500℃，低温加热区的固体硫源释放气态硫与高温硫化反应区的矿源锑反应生成硫化锑，硫化锑在基底上冷凝即得硫化锑微纳米管。2.根据权利要求1所述硫化锑微纳米管的制备方法，其特征在于：加热设备包括但不限于双温区管式炉、电阻炉。3.根据权利要求1所述硫化锑微纳米管的制备方法，其特征在于：加热设备内的压强为10Pa～200KPa。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨佳，张君，侯堪文，王薇，张雅婷，黄滔，杨海艳，徐宝强，李绍元，杨斌，马文会，熊恒，蒋文龙，李一夫，田阳，刘大春，戴永年，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：