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本发明涉及一种硫化锑微纳米管的制备方法，属于光电材料制备技术领域。本发明将固体硫源放置在加热设备的低温加热区，将矿源锑放置在加热设备的高温硫化反应区，采用保护气体进行洗气，然后加热至低温加热区的温度为150～300℃，高温硫化反应区温度为3...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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