【技术实现步骤摘要】
一种硅压阻式压力传感器校准补偿方法
[0001]本专利技术涉及传感器
,特指一种硅压阻式压力传感器校准补偿方法。
技术介绍
[0002]MEMS传感器凭借其体积小、重量轻、能耗低、可高精度低成本批量生产等优点,在航空航天、汽车电子、工业自动化等领域均有广泛的应用空间。其中硅压阻式压力传感器是应用最普遍的压力传感器,但是以半导体材料为敏感元件制成的压阻式压力传感器具有不稳定的温度特性和组成电路的元器件在工作温度范围内的温度漂移现象,使压阻式压力传感器在高精度、高稳定度、宽工作温度范围方向的发展受到了限制。
[0003]目前对硅压阻压力传感器的校准补偿方式有以下几种方法:第一种,采用人工筛选热敏电阻来调整惠斯顿电桥的方式,这种方法工艺落后,生产效率低;第二种,采用软件补偿法(神经网络补偿算法等),实现较为复杂或者补偿精度不够高;第三种,电路补偿法,用图1所示的电路模式,使用一个高精度多通道的ADC来对电桥输出V
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(AIN1/AIN2)、温度量(AIN3/AIN4)和电桥的激励电压V
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅压阻式压力传感器校准补偿方法,其特征在于:包含压力测量模块、温度测量模块、模数转换模块、参考电压模块和微处理器;所述压力测量模块在不同压力下输出对应的电压信号给模数转换模块;所述温度测量模块在不同温度下输出对应的温度信号给模数转换模块;所述模数转换模块用于采集电压信号和温度信号进行模数转换给微处理器;所述参考电压模块利用一个精密电阻分压作为模数转换的参考电压;所述微处理器进行数学运算,结合最小二乘法,可以得到压力量与温度量的二元方程作为校准方程,结合等比例测量法对压阻式压力传感器的激励电压在模数转换前进行补偿,实现了对硅压阻式压力传感器输出的原始电压信号的校准补偿。2.根据权利要求1所述的硅压阻式压力传感器校准补偿方法,其特征在于:所述压力测量模块利用半导体扩散硅的压阻变化原理,在硅膜片的特定方向上...
【专利技术属性】
技术研发人员:王新亮,罗芳海,雷中柱,俞骁,
申请(专利权)人:苏州司南传感科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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